Ключи на биполярных транзисторах. Ключ на транзисторе

Ключ на биполярном транзисторе.

В импульсной технике нашли широкое применение ключи, функциональное назначение которых состоит в подключении информационной шины (проводника) к какой либо части электрической цепи в зависимости от состояния управляющего сигнала. Действительно, если использовать схему показанную на рис. 126, то при ее анализе информационная шина D может быть подключена либо к общему проводу (транзистор полностью открыт), либо к источнику питания через нагрузочный резистор R2 (транзистор полностью закрыт). Должно быть понятно, что качество таких подключении зависит от работы транзистора. В этом можно убедиться, если провести анализ возможных состояний схемы. Для этого воспользуемся выходными характеристиками транзистора и нагрузочной линией, показанными на рис. 127.

Выходные характеристики показывают зависимость тока коллектора Ik от напряжения на коллекторе Uk и тока базы Iб. Нагрузочная линия строится на этом же графике. Для ее построения со схемой ключа нужно провести два эксперимента, которые позволяют определить напряжения и токи в схеме для крайних режимов.

Проводим анализ схемы, предполагая, что транзистор полностью открыт при этом в крайнем случае напряжение между коллектором и эмиттером равно нулю (эксперимент короткого замыкания). Так как Uкэ = 0, то и напряжение на информационной шине то же равно нулю, а ток коллектора определяется по формуле Iкз = Uп/Rk. В нашем случае Uп = +Vcc = 5В, а Rk = R2 = 100 оМ и соответственно Iкз = 50 мА. Отмечаем эту точку на вертикальной оси графика.

Второй эксперимент холостого хода, при этом предполагается, что транзистор полностью закрыт, то есть ток коллектора равен нулю, а напряжение на коллекторе будет равно напряжению питания 5В. Таким образом, получили вторую точку, которую отмечаем на горизонтальной оси.

Эти две точки характеризуют два крайних режима работы транзистора с максимально возможным током коллектора (Iкз), и минимальным током коллектора (Iк = 0).

Все остальные возможные режимы работы транзистора находятся между этими крайними режимами. Напряжение на коллекторе может быть определено по формуле Uk = Uп - Ik*Rk, так как Uп и Rk постоянны, то напряжении на коллекторе будет изменяться пропорционально току коллектора то есть линейно. Для определения напряжения на коллекторе при любом возможном токе коллектора точки Iкз и Uхх соединяем прямой линией, которая и является нагрузочной линией.

Теперь на основе полученных графиков проведем анализ возможных состояний транзистора в зависимости от величины тока базы. Если входное напряжение сделать равным нулю, то и напряжение Uбэ = 0. нулевое напряжение на базе приводит к тому, что базы становится вытекающим из базы и равным Ik0, то есть тепловому току коллектора. Ток коллектора тоже равен Iк0, величина которого настолько мала, напряжение на коллекторе будет равно напряжению питания.

Однако если в базу подать ток I бу (линейный усилительный режим), то величина тока коллектора будет примерно 27 мА, а напряжение на коллекторе буде примерно 2,3В (зеленая линия), то есть и напряжение и ток имеют существенные значения. Но основное в этом режиме состоит в том, что незначительные изменения тока базы в одну или другую сторону относительно Iбу приведет к значительному изменению и тока и напряжения коллектора.

Если в базу транзистора подать ток Iбн, то, анализируя график видно, что ток коллектора будет равен почти току короткого замыкания, а напряжение на коллекторе будет иметь малую величину Uкн ≈ 0,3В. Основная особенность этого режима состоит в том, что изменения тока базы вокруг Iбн не приведет к существенным изменения ни тока коллектора, ни напряжения на коллекторе и не выполняется соотношение Ik = β*Iб и оба перехода транзистора смещены в прямом направлении. Такой режим работы транзистора называют режимом насыщения.

Выполним количественные оценки режима насыщения для схемы рис. 127.

Исходные данные для расчета: Uвх макс = 5В, Uп = +Vcc = 5В, β = 100, Uкнас = 0,3В, Uбэ = 0,7В.

Ток базы Iбн = (Uвх макс – U бэ)/R1 = (5 – 0,7)/1 кОм = 4,3 мА.

Определим ток коллектора, который может сформировать транзистор при этом токе базы Iк1 = β*Iбн = 100* 4,3 = 430 мА.

Определим реально существующий в схеме ток коллектора Iкн = (Uп – Uкнас)/R2 = (5 – 0,3)/100 = 0,047 А = 47 мА.

На основе полученных результатов приходим к выводу, что транзистор может сформировать в коллекторной цепи ток 430 мА, но величина тока в коллекторе ограничивается внешним резистором и равна всего лишь 47 мА. Величина заряда неосновных носителей в базе определяется током базы и в данном случае намного превышает необходимое значение для формирования тока коллектора. Для оценки избыточности заряда вводят параметр насыщения ─ коэффициент насыщения

S = β*Iбн/Iкн.

В нашем случае S = 430/47 = 9,15.

Замечание.

Если нагрузка включается параллельно транзистору, то при закрытом транзисторе выходное напряжение будет определяться соотношением сопротивления в цепи коллектора R2 и сопротивлением нагрузки, что может привести к значительному уменьшению его.

При положительной логике кодирования логических сигналов транзисторный ключ выполняет логическую функцию "инверсия".

Мы рассмотрели два крайних состояния транзисторного ключа (статические состояния). Однако схемотехника ключа и его режимы влияют на его быстродействие. Поэтому целесообразно рассмотреть процессы переключения во времени.

Лекция 16



infopedia.su

Ключи на биполярных транзисторах.

Ключом называют устройство, основное назначение которого состоит в замыкании и размыкании цепи нагрузки под действием управляющего сигнала. Транзисторный ключ подобен механическому выключателю или электромагнитному реле. Качество ключа определяется минимальным падением напряжения на нем в замкнутом состоянии, минимальным током в разомкнутом состоянии и скоростью переходных процессов.

В импульсной технике используют в ключевом режиме все три схемы включения транзистора: c ОЭ, с ОБ и с ОК. Наибольшее распространение получил транзисторный ключ, собранный по схеме с общим эмиттером, дающей самое большое усиление по мощности. Практическая схема ключа на биполярном транзисторе типа p-n-p представлена на рис. 3.3.

Нагрузочный резистор включен в коллекторную цепь транзистора. Входной управляющий сигнал (рис. 3.4.) поступает на базу транзистора через резистор , ограничивающий величину тока базы транзистора в открытом состоянии. Для обеспечения запертого состояния транзистора при , через резистор на базу транзистора подается положительное напряжение от источника . Транзистор выполняет роль ключа в последовательной цепи с резистором и источником питания .

Также, как и для усилительного каскада, на выходных характеристиках транзистора построим нагрузочную прямую, описываемую соотношением и пересекающую оси координат в точках и . Транзисторный ключ может находиться в одном из двух статических режимов: режиме отсечки (ключ разомкнут) – точка А или режиме насыщения (ключ замкнут) – точка В на рис. 3.5.

В режиме отсечки оба перехода транзистора смещены в обратном направлении и . Исходя из уравнений Эберса – Молла для токов запертого транзистора справедливы соотношения

,

,

,

так как .

Отсюда видно, что, в первом приближении, закрытый транзистор на эквивалентной схеме ключа в режиме отсечки можно представить в виде генератора тока, включенного между базой и коллектором транзистора (рис.3.6.).

При напряжение создается двумя источниками: источником напряжения и источником тока и равно

(3.1)

Поскольку в режиме отсечки должно выполняться условие , то из (3.1) получаем . Учитывая, что указанное условие должно выполняться во всем диапазоне температур, находим необходимую величину резистора .

При подаче на вход ключа отрицательного импульса , ток базы практически мгновенно увеличивается. Рабочая точка перемещается вверх по нагрузочной прямой. Линейная зависимость между базовым и коллекторным токами будет соблюдаться лишь в активной области, расположенной между точками А и В (рис. 3.5) При подходе к линии критического режима ОВ дальнейшее увеличение базового тока уже не приводит к росту коллекторного тока, достигшего своего максимального значения в точке В, т.е. транзистор заходит в режим насыщения и становится неуправляемым. Произойдет это при токе базы насыщения . Ток коллектора насыщения при этом равен . В это время отрицательное напряжение на базе оказывается больше величины остаточного напряжения на коллекторе транзистора и коллекторный переход оказывается смещенным в прямом направлении. Если пренебречь напряжениями на открытых переходах транзистора, то транзистор в режиме насыщения можно представить эквипотенциальной точкой (коротким замыканием его электродов), что существенно упрощает анализ ключевых схем. Эквивалентная схема ключа в режиме насыщения приведена на рис. 3.7. Условие насыщения транзистора можно записать в виде

, (3.2)

где - реальный ток базы открытого транзистора, который для нашей схемы ключа (рис. 3.3.) равен

. (3.3)

 

Для количественной оценки степени насыщения транзистора вводят коэффициент насыщения

(3.4)

С увеличением коэффициента насыщения растет нагрузочная способность, уменьшается влияние различных дестабилизирующих факторов (разброс величин резисторов, изменение напряжения питания и т. д.) на выходные параметры ключа, но как показано ниже, ухудшается быстродействие ключа. Поэтому коэффициент S выбирают из компромиссных соображений, исходя из условий конкретной задачи. Обычно выбирают S = 1,5 ÷ 3. Условие насыщения транзистора (3.2) с учетом выражений (3.3) и (3.4) можно представить в виде равенства

(3.5)

Решив равенство (3.5) относительно , найдем выражение для его расчета

.

Рассмотрим переходные процессы, протекающие в ключевой схеме рис. 3.3. Временные диаграммы, иллюстрирующие переходные процессы в ключе, представлены на рис. 3.8.

Пусть в исходном состоянии ключ выключен, транзистор заперт некоторым обратным напряжением , которое можно определить из выражения (3.1). При подаче на вход ключа отрицательного управляющего импульса эмиттерный переход смещается в прямом направлении, и через базу будет протекать постоянный ток , величина которого определяется выражением (3.3).

В момент времени , когда напряжение на базе достигает , открывается эмиттерный переход и транзистор переходит из режима отсечки в активный режим, начинается этап формирования фронта . На этом этапе ток коллектора стремится измениться от значения до по экспоненциальному закону

, (3.6)

где – постоянная времени передачи тока базы в схеме с ОЭ. Однако в момент ток коллектора достигает максимального значения и ограничивается, транзистор переходит из активного в режим насыщения. Если считать, что формирование фронта заканчивается при , то, решив (3.6) относительно длительности фронта получим

, (3.7)

где , , .

После преобразований получим

(3.8)

Анализируя (3.8), можно сделать вывод, что длительность фронта уменьшается, если выбрать более высокочастотный транзистор и увеличивать степень насыщения транзистора .

Несмотря на то, что после момента времени , коллекторный ток остается постоянным, заряд в базе продолжает нарастать, но уже с постоянной времени , определяемой как среднее время жизни неосновных носителей в базовой и коллекторной областях насыщенного транзистора . В базе транзистора происходит накопление неосновных носителей заряда (дырок). По мере увеличения числа избыточных дырок в базе растут и их потери на рекомбинацию. Когда число дырок в базе, рекомбинирующих в единицу времени, становится равным числу электронов, приходящих из внешней цепи, процесс нарастания заряда в базе прекращается и заряд будет равен . Постоянная времени в режиме насыщения меньше постоянной передачи тока базы в активном режиме вследствие возрастания рекомбинации носителей заряда. Полагают, что этап накопления заряда в базе заканчивается через время . Практически для различных транзисторов .

Процесс выключения транзисторного ключа можно разделить на два этапа: время рассасывания заряда неосновных носителей в базе и время формирования отрицательного фронта (рис. 3.8). В момент окончания управляющего входного сигнала ток базы скачком изменяется от прямого значения до обратного . Обратный ток способствует рассасыванию избыточного заряда неосновных носителей из области базы. Очевидно, что пока заряд, накопленный в базе, больше , коллекторный ток и напряжение на коллекторе не изменяются. На временной диаграмме коллекторного тока (рис. 3.8) процесс рассасывания заряда неосновных носителей отображен экспоненциальным изменением кажущегося тока коллектора от до уровня . Пока кажущийся ток превышает уровень транзистор можно считать насыщенным. Рассасывание избыточного заряда заканчивается в момент , когда . Тогда время рассасывания равно

,

где , , .

(3.9)

Из формулы (3.9) видно, что время рассасывания сокращается при уменьшении степени насыщения S и увеличении обратного тока .

В момент транзистор выходит из режима насыщения, и ток коллектора изменяется по экспоненциальному закону от до величины с постоянной времени , соответствующей активному режиму работы транзистора. В момент времени ток коллектора уменьшается до нуля, эмиттерный переход закрывается, и обратный ток базы падает до величины . Транзистор переходит в режим отсечки и процесс выключения ключа заканчивается.

Длительность отрицательного фронта можно найти из выражения

,

где , , .

, (3.10)

Из выражения (3.10) видно, что уменьшается с увеличением обратного тока .

Анализ переходных процессов проводился без учета емкости коллекторного перехода . Учесть влияние можно, если в формулах (3.8) и (3.10) заменить на .

Для того, чтобы обеспечить высокое быстродействие ключа желательно, чтобы базовый ток транзистора имел форму, показанную на рис. 3.9. Амплитуда выброса должна быть достаточно большой, чтобы получить требуемую длительность . В стационарном включенном состоянии ток базы нужно поддерживать на таком уровне , чтобы открытый транзистор работал на границе режима насыщения при минимальном (есть возможность уменьшить время рассасывания). Для быстрого выключения транзистора нужно, чтобы в базу был подан обратный ток , достаточный для запирания транзистора в течение заданного промежутка времени . Форма тока базы, близкая к желаемой, получается в схеме ключа с ускоряющей емкостью, приведенной на рис. 3.10а.

В данной схеме вместо базового тока в первый момент действует ток (при ), что позволяет сократить . По мере заряда конденсатора C ток базы уменьшается и стремится к установившемуся току .

После окончания входного сигнала к обратному току добавляется дополнительный ток разряда конденсатора C. Это ведет к сокращению и . Основной недостаток ключа с ускоряющей емкостью - наличие конденсатора, который трудно реализовать при интегральной технологии. Конденсатор занимает много места на подложке.

Для исключения накопления избыточного заряда в базе, и, следовательно, исключения времени рассасывания при любой форме входного сигнала используют ключ с нелинейной обратной связью (ненасыщенный ключ), в котором транзистор работает на границе активного и насыщенного режима. При разработке цифровых интегральных схем широко используются ключи с нелинейной обратной связью, образованной с помощью диода Шоттки (рис. 3.11). При транзистор закрыт, диод смещен в обратном направлении и его сопротивление велико. Цепь обратной связи от коллектора к базе разорвана. С приходом управляющего импульса транзистор открывается и должен войти в режим насыщения, а его коллекторный переход сместиться в прямом направлении. Однако раньше, чем откроется коллекторный переход кремниевого транзистора, открывается диод Шоттки.

Диод Шоттки (структура металл - полупроводник) имеет малое падение напряжения в открытом состоянии - меньшее, чем падение напряжения на открытом кремниевом p-n-переходе транзистора а также в нем отсутствует накопление заряда. При малом прямом напряжении на коллекторном переходе переход остается практически закрытым. Через малое сопротивление открытого диода Шоттки осуществляется параллельная ООС по напряжению. Через открытый диод Шоттки часть входного тока ответвляется в цепь коллектора, так что базовый ток транзистора остается равным току . Следовательно, не будут накапливаться избыточные неосновные носители, и время рассасывания будет равно нулю, а формирование фронтов импульса будет происходить, как и в других схемах при больших токах базы. Основной недостаток ненасыщенного ключа – в большем падении напряжения на открытом транзисторе (порядка 0,3- 0,4 В).



infopedia.su

79. Ключ на биполярном транзисторе

Имеются три характерные области работы транзистора: область выключения (отсечки) I, область активного режима II и область включения (насыщения) III. В ключевых схемах транзистор находится в активном режиме лишь в переходном состоянии. Статические параметры ключа: остаточное напряжение U во включенном состоянии (точка В) и остаточный ток в выключенном (запертом) состоянии (точка А). В точке А напряжение на электродах практически совпадает с эдс источника питания. В точке В токи электродов определяются параметрами внешних цепей: . В исходном состоянии транзистор закрыт положительным напряжением Еб2 . Процесс отпирания транзистора при подаче на базу отрицательного напряжения Еб1 можно разделить на три этапа: задержка фронта, формирование фронта и накопление заряда. Этап задержки фронта обусловлен зарядом входной емкости запертого транзистора от значения Еб2 до напряжения открывания транзистора U*. Входную емкость обычно принимают равной сумме барьерных емкостей эмиттерного и коллекторного переходов. Когда открывается эмиттерный переход, начинается инжекция носителей в базу, транзистор переходит в активный режим. На этом этапе коллекторный ток возрастает до значения Iкн . В конце этапа формирования фронта в базе транзистора накапливается заряд Qгр ,а напряжение на переходе коллектор – база падает до нуля. После того, как транзистор начал работать в режиме насыщения, заметных внешних изменений в схеме ключа не происходит.

Процесс выключения транзистора начинается, когда на базу подаётся запирающее напряжение. В момент переключения на обоих p-n – переходах сохраняются прямые смещения, близкие к U*. При этом коллекторный ток не меняется и остаётся равным

Iкн . Базовый ток принимает значение: . На первом этапе процесса выключения происходит рассасывание накопленного заряда током Iб2 . После этого начинается уменьшение коллекторного тока и формирование среза импульса. В конце этого рассасывания в базе транзистора остаётся некоторый остаточный заряд Qост. По окончании этапа рассасывания начинается последний этап переходного процесса –запирание транзистора. Длительность запирания обычно определяется процессом заряда коллекторной ёмкости.

Общая инерционность транзисторного ключа характеризуется временами включения tвкл

и выключения tвыкл :

Усовершенствованные ключи на биполярном транзисторе.

Схема с дополнительным источником смещения.

Схема с ускоряющей емкостью

Схема с нелинейной обратной связью

80. Ключ на переключателе тока

81. Ключи на полевых транзисторах.

    Полевой транзистор в области малых напряжений сток-исток ведет себя как резистор, сопротивление которого может изменяться во много раз при изменении управляющего напряжения затвор-исток Uзи. На рис изображена упрощенная схема последовательного ключа на полевом транзисторе с управляющим pn-переходом.

Если в этой схеме управляющее напряжение Uупр установить меньшим, чем минимально-возможное входное напряжение, по крайней мере на величину порогового напряжения транзистора, транзистор закроется и выходное напряжение станет равным нулю. Для того, чтобы транзистор был открыт, напряжение затвор-исток Uзи следует поддерживать равным нулю, что обеспечивает минимальное сопротивление канала. Если же это напряжение станет больше нуля, управляющий pn-переход откроется, и выход ключа окажется соединенным с цепью управления. Если напряжение Uупр установить большим, чем максимально-возможное входное напряжение ключа, диод VD закроется и напряжение Uзи будет, как это и требуется, равно нулю. При достаточно большом отрицательном управляющем напряжении диод будет открыт, а полевой транзистор закрыт. В таком режиме работы через резистор R1 течет ток от источника входного сигнала в цепь управляющего сигнала. Это не мешает нормальной работе схемы, так как выходное напряжение ключа в этом режиме равно нулю. Нарушение нормального режима работы такой схемы может произойти лишь в случае, если цепь входного сигнала содержит разделительный конденсатор, который при закрытом транзисторе ключа зарядится до отрицательного уровня управляющего напряжения.

studfiles.net

Электронный ключ на полевом транзисторе

КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА

По дисциплине «Общая Электротехника и электроника»

На тему: «Электронный транзисторный ключ на полевом транзисторе»

1. Общие сведения об электронных ключах

2. Схемы электронных ключей на полевых транзисторах

3. Принцип действия электронных ключей

4. Применение электронных ключей

4. Литература

1. Общие сведения об электронных ключах

Ключ – элемент, который под воздействием управляющего сигнала производит различные коммутации (источников питания, активных элементов и т.д.). Электронный ключ является основой для построения более сложных цифровых устройств. При включении активного элемента с общим эмиттером (истоком) ключ выполняет логическую операцию НЕ, т.е. инвертирует входной сигнал.

Ключ имеет два состояния: замкнутое и разомкнутое

.

Рис. 4

Для реализации ключей используют диоды, биполярные и полевые транзисторы.

Время переключения ключей на биполярных транзисторах определяется барьерными емкостями p-n-переходов и действиями скопления и рассасывания неосновных носителей заряда в базе. Для повышения быстродействия и входного сопротивления используют ключи на полевых транзисторах.

2. Схемы электронных ключей на полевых транзисторах

Транзисторный ключ является основным элементом устройств цифровой электроники. Основные особенности транзисторного ключа является обязательным условием понимания принципов работы цифровых устройств.

Схемы ключей на полевых транзисторах с управляющим p-n-переходом и с индуцированным каналом с общим истоком и общим стоком показаны на рисунке:

Рис. 5

Для любого ключа на полевом транзисторе Rн > 10-100 кОм.

Управляющий сигнал Uвх на затворе порядка 10-15 В. Сопротивление полевого транзистора в закрытом состоянии велико, порядка 108-109 Ом.

Сопротивление полевого транзистора в открытом состоянии может составлять 7-30 Ом. Сопротивление полевого транзистора по цепи управления может составлять 108-109 Ом. (схемы "а" и "б") и 1012-1014 Ом (схемы "в" и "г").

1 поколение – с линейной нагрузкой

.

2 поколение – с нелинейной нагрузкой. В качестве нагрузки (вместо

) ставили второй полевой транзистор одинакового типа проводимости.

Рис. 6 Транзисторный ключ на полевом транзисторе с линейной нагрузкой.

3. Принцип действия электронных ключей

Электронные ключи основаны на работе биполярных транзисторов. Когда на базе транзистора «0» относительно эмиттера, транзистор «закрыт», ток через него не идёт, на коллекторе всё напряжение питания (сигнал высокого уровня — «1»). Когда на базе транзистора «1», он «открыт», возникает ток коллектор — эмиттер и падение напряжения на сопротивлении коллектора, напряжение на коллекторе, а с ним и напряжение на выходе, уменьшается до низкого уровня «0».

В статическом режиме ключ находится в состоянии «включено» (ключ замкнут), либо в состоянии «выключено» (ключ разомкнут). Переключение ключа из одного состояния в другое происходит под воздействием входных управляющих сигналов : импульсов или уровней напряжения. Простейшие ключевые схемы имеют один управляющий вход и один выход.

Основу ключа составляет транзистор в дискретном или интегральном исполнении.

В зависимости от состояния ключ шунтирует внешнюю нагрузку большим или малым выходным сопротивлением. В этом и заключается коммутация цепи, производимая транзисторным ключом.

Основными параметрами ключа являются :

• быстродействие, определяемое максимально возможным числом переключений в секунду ; для интегральных ключевых схем оно составляет миллионы коммутаций ;

• длительность фронтов выходных сигналов ;

• внутренние сопротивления в открытом и закрытом состоянии ;

• потребляемая мощность ;

• помехоустойчивость, равная уровню помехи на входе, вызывающей ложное переключение ;

• стабильность пороговых уровней, при которых происходит переключение ;

• надежность работы в реальных условиях старения радиодеталей, изменения источников питания и т.д.

4. Применение электронных ключей

Электронный ключ служит для переключения непрерывно изменяющихся электрических сигналов. Если ключ находится в состоянии "включено", его выходное напряжение должно по возможности точно равняться входному; если же ключ находится в состоянии "выключено", выходное напряжение должно быть как можно ближе к нулю или, во всяком случае, должно как можно меньше зависеть от входного.

Электронные ключи основаны на работе биполярных транзисторов. Когда на базе транзистора «0» относительно эмиттера, транзистор «закрыт», ток через него не идёт, на коллекторе всё напряжение питания (сигнал высокого уровня — «1»). Когда на базе транзистора «1», он «открыт», возникает ток коллектор — эмиттер и падение напряжения на сопротивлении коллектора, напряжение на коллекторе, а с ним и напряжение на выходе, уменьшается до низкого уровня «0».

Также возможно использование полевых транзисторов. Принцип их работы схож с принципом работы электронных ключей на биполярных транзисторах. Цифровые ключи на полевых транзисторах потребляют меньший ток управления, обеспечивают гальваническую развязку входных и выходных цепей, однако быстродействие их ниже по сравнению с биполярными.

Литература

1. Горбачев Н.Г. Промышленная электроника М. 2001

2. Кудрявцев И.А. Фалкин В.Д. Электронные ключи учебное пособие Самара 2002

3. Семенов Б.Ю. Силовая электроника для любителей и профессионалов - М.: СОЛОН-Р, 2001. - 327с.

4. Опадчий Ю.Ф., Глудкин О.П., Гуров А.И. Аналоговая и цифровая электроника - М.: Горячая линия - Телеком, 2000. - 768 с.

5. www.wikipedia.org

6. Учебно-методический комплекс, раздел «Электроника» 117-118 с.

mirznanii.com

---

• 
  Прямое напряжение диода
• 
  Токовая отсечка и мтз в чем разница
• 
  Какой источник энергии является неисчерпаемым
• 
  Могут ли отключить отопление за неуплату в одной квартире
• 
  Приказ вид оперативного обслуживания электроустановок
• 
  Сила тока смертельная для человека
• 
  Что такое масло трансформаторное
• 
  Включение отопления в самаре
• 
  Гальваническая развязка для чего
• 
  Как проверить люминесцентную лампу индикаторной отверткой
• 
  Энергия расчет