01.10.2024

Ик лазерные диоды: Лазерные диоды ближнего ИК диапазона

Содержание

Лазерные диоды ближнего ИК диапазона

Компания АЗИМУТ ФОТОНИКС является официальным дистрибьютором (прямым дилером) продукции Thorlabs в России, предлагая весь ассортимент из каталога Thorlabs по ценам в российских рублях с учетом всех налогов и НДС, оказывает полную техническую поддержку и распространяет гарантийные обязательства на все поставляемое оборудование.

ФотоАртикулНаименованиеЦенаРук-воЧертежЗаказ

L1064h3L1064h3 — Лазерный диод, длина волны: 1064 нм, мощность: 450 мВт, корпус: Ø9 мм, распиновка: H, Thorlabs 56560 р. Руководство

Чертеж

L808h2L808h2 — Лазерный диод, 808 нм, 300 мВт, корпус: Ø9 мм, распиновка: тип H, Thorlabs 37707 р. Руководство

Чертеж

FPV785MFPV785M — Одночастотный лазерный диод, стабилизированный объемной голографической решеткой (VHG), длина волны: 785 нм, мощность: 600 мВт, корпус Butterfly, MM волокно, FC/APC разъем, терморезистор, термоэлектрический элемент, Thorlabs 120913 р. Руководство

Чертеж

L1064h2L1064h2 — Лазерный диод, длина волны: 1064 нм, мощность: 300 мВт, корпус: Ø9 мм, распиновка: H, Thorlabs 31422 р. Руководство

Чертеж

L960h2L960h2 — Лазерный диод, длина волны: 960 нм, мощность: 250 мВт, корпус: Ø9 мм, распиновка: H, Thorlabs 31422 р. Руководство

Чертеж

FPL852PFPL852P — Лазерный диод, 852 нм, 300 мВт, корпус: Butterfly, опотоволокно PM, FC/APC разъем, Thorlabs 251620 р. Руководство

Чертеж

L852h2L852h2 — Лазерный диод, длина волны: 852 нм, мощность: 300 мВт, корпус: Ø9 мм, распиновка: H, Thorlabs 43990 р. Руководство

Чертеж

FPL830PFPL830P — Лазерный диод, 830 нм, 300 мВт, корпус: Butterfly, опотоволокно PM, FC/APC разъем, Thorlabs 251620 р. Руководство

Чертеж

L830h2L830h2 — Лазерный диод, длина волны: 830 нм, мощность: 250 мВт, корпус: Ø9 мм, распиновка: H, Thorlabs 31422 р. Руководство

Чертеж

FPL808PFPL808P — Лазерный диод, 808 нм, 200 мВт, корпус: Butterfly, опотоволокно PM, FC/APC разъем, Thorlabs 251620 р. Руководство

Чертеж

FPL785PFPL785P — Лазерный диод, 785 нм, 200 мВт, корпус: Butterfly, опотоволокно PM, FC/APC разъем, Thorlabs 249036 р. Руководство

Чертеж

DBR770PNDBR770PN — Лазерный диод с распределённым брэгговским отражателем (DBR), 770 нм, 35 мВт, корпус: Butterfly, опотоволокно PM, FC/APC разъем, встроенный изолятор, Thorlabs 576098 р. Руководство

Чертеж

DBR767PNDBR767PN — Лазерный диод с распределённым брэгговским отражателем (DBR), 767 нм, 23 мВт, корпус: Butterfly, опотоволокно PM, FC/APC разъем, встроенный изолятор, Thorlabs 576098 р. Руководство

Чертеж

DBR816PNDBR816PN — Лазерный диод с распределённым брэгговским отражателем (DBR), 816 нм, 45 мВт, корпус: Butterfly, PM оптоволокно, FC/APC разъем, встроенный изолятор, Thorlabs 576098 р. Руководство

Чертеж

L980h2L980h2 — Лазерный диод, 980 нм, 200 мВт, корпус: Ø9 мм, распиновка: тип H, Thorlabs 31422 р. Руководство

Чертеж

L850Vh2L850Vh2 — VCSEL лазерный диод, 850 нм, 2 мВт, распиновка типа H, Thorlabs 18853 р. Руководство

Чертеж

ULN15PTULN15PT — Одночастотный лазер с ультранизким уровнем шума, длина волны: 1550 нм, мощность: 140 мВт, температурная перестройка, тип корпуса: Butterfly, PM волокно, FC/APC разъем, Thorlabs 791845 р. Руководство

Чертеж

ULN15PCULN15PC — Одночастотный лазер с ультранизким уровнем шума, длина волны: 1550 нм, мощность: 140 мВт, токовая перестройка, тип корпуса: Butterfly, PM волокно, FC/APC разъем, Thorlabs 791845 р. Руководство

Чертеж

LP1550-PAD2LP1550-PAD2 — Лазерный диод с распределенной обратной связью (DFB), 1550 нм, 2 мВт, корпус: TO Can, PM оптоволокно, FC/APC разъем, встроенный изолятор, Thorlabs 91126 р. Руководство

Чертеж

DBR1083PNDBR1083PN — Лазерный диод с распределённым брэгговским отражателем, 1083 нм, 100 мВт, корпус: Butterfly, PM оптоволокно, FC/APC разъем, встроенный изолятор, Thorlabs 576098 р. Руководство

Чертеж

DBR1060PNDBR1060PN — Лазерный диод с распределённым брэгговским отражателем, 1060 нм, 130 мВт, корпус: Butterfly, PM оптоволокно, FC/APC разъем, встроенный изолятор, Thorlabs 597025 р. Руководство

Чертеж

L895Vh2L895Vh2 — VCSEL лазерный диод, 895 нм, 0.2 мВт, распиновка типа H, Thorlabs 18853 р. Руководство

Чертеж

L795Vh2L795Vh2 — VCSEL лазерный диод, 795 нм, 0.25 мВт, TO-46, распиновка типа H, Thorlabs 18853 р. Руководство

Чертеж

DBR935PNDBR935PN — Лазерный диод с распределённым брэгговским отражателем, 935 нм, 13 мВт, корпус: Butterfly, PM оптоволокно, FC/APC разъем, встроенный изолятор, Thorlabs 559319 р. Руководство

Чертеж

Следующая страница

зажечь и не сжечь / Хабр

Лазерный диод — это на самом деле вон та тоненькая палочка, к которой тянутся золотые провода. Маленький кубик левее — защитный диод, спасающий лазерный диод от импульсов обратного напряжения

Радиолюбители часто пытаются с той или иной степенью успешности использовать в своих конструкциях полупроводниковые лазерные излучатели видимого и ИК спектра. Лазерный диод внешне кажется довольно простым полупроводниковым прибором. Ему не нужно ни высоких напряжений, ни колоссальных токов. Он на первый взгляд похож на светодиод: пропустил через него ток — получил на выходе излучение. Тем не менее, в использовании полупроводниковых лазеров кроется некоторое количество подводных камней, игнорирование которых ведет прежде всего к снижению их надежности, к быстрой деградации выходной мощности и качества пучка, а нередко и к мгновенному выходу из строя еще до первого включения. В этой статье я хотел бы обратить на эти подводные камни внимание.

Почти светодиод

Структура лазерного диода напоминает обычный светодиод, и в сущности им же и является. Двойная гетероструктура, гетероструктура с квантовыми ямами и квантовыми точками — все эти типы светоизлучающих полупроводниковых структур применяются и в современных высокоэффективных светодиодах. Задачи у этих структур в светодиоде и лазере отличаются: в первом нужно за счет рекомбинации получить излучение само по себе, во втором — инверсную заселенность, превращающую полупроводник в активную среду, усиливающую свет. Тем не менее, решаются они почти одинаково. Первые полупроводниковые лазеры, созданные в 1962 году американцами Робертом Холлом и Ником Холоньяком и советскими учеными Николаем Басовым, Олегом Крохиным и Юрием Поповым, были сделаны на основе обычного pn-перехода на арсениде галлия, излучающего свет в ближней инфракрасной области, и на арсениде-фосфиде галлия — видимый красный свет. Из-за низкой эффективности такие лазеры работали лишь при чудовищной плотности тока, только в импульсном режиме и при охлаждении до криогенных температур, что не только спасало кристалл от расплавления, но и повышало эффективность преобразования энергии тока в энергию возбужденных состояний и удлиняло время их жизни, что облегчало получение инверсной заселенности.

На этом рисунке (из Нобелевской лекции Жореса Алферова) приведен пример схемы строения активной зоны типичного современного лазерного диода, включающего квантовую яму из нелегированного высокоомного арсенида галлия и гетероструктурную сверхрешетку из тончайших (доли нанометра) слоев полупроводников с различной шириной запрещенной зоны, а также слои с более высоким показателем преломления, обеспечивающие удержание света в активной зоне.

А чтобы превратить светодиод в лазер, не хватает самой малости. Имя ей —

Оптический резонатор

Размеры активной зоны на основе полупроводникового кристалла чрезвычайно малы и встроить его в традиционный оптический резонатор из зеркал и линз было бы очень сложно, а еще сложнее — отъюстировать эту оптическую схему. Тем не менее, первый лазерный диод был создан практически сразу же после изобретения светодиода, и помогло в этом полезное свойство кристаллов арсенида галлия — совершенная спайность. Этим понятием называют способность некоторых кристаллов легко раскалываться по параллельным плоскостям, совпадающим с определенными кристаллографическими гранями. Если кристалл совершенен, имеет низкую плотность дислокаций и лишен блочного, мозаичного строения, эти сколы совершенно плоски, атомно гладки (за исключением отдельных ступеней) и абсолютно параллельны друг другу. А в силу высокого показателя преломления эти грани хорошо отражают свет. Эти два параллельных скола, перпендикулярные плоскости активной зоны диода, и образуют резонатор. Оптические свойства двойной гетероструктуры, являющейся по сути волноводом, способствуют снижению потерь света в резонаторе. В современных лазерных диодах волновод формируют в кристалле умышленно, вводя дополнительные слои с более высоким показателем преломления относительно активного слоя.

В типичном лазерном диоде толщина активной зоны, в которой происходит генерация света, лежит в субмикронной области. А ее ширина может составлять от единиц микрон в маломощных (от долей милливатта до 100-200 мВт) одномодовых лазерах, до 250-1000 мкм в многомодовых излучателях с выходной мощностью, достигающей десятка ватт. И на выходе из кристалла, на зеркале резонатора, плотность мощности достигает чудовищных значений. Даже в обычной лазерной указке, при выходной мощности 1-5 мВт это свыше 100 кВт/см2, а в более мощных лазерных диодах плотность излучения может превышать 20МВт/см2. При такой облученности легко испаряется и превращается в плазму сталь, а грань кристалла выдерживает ее исключительно в силу своего идеального совершенства, из-за которого световая энергия большей частью проходит через поверхность, не поглощаясь и не нагревая ее.

Катастрофа на зеркалах

Столь высокие уровни плотности излучения на зеркалах делают их чрезвычайно уязвимыми. Стоит возникнуть малейшему дефекту, нанощербинке размером в несколько параметров решетки,— буквально, сместиться нескольким атомам — и лучевая прочность зеркала резко упадет. Вырвать атом из атомно-гладкой поверхности сложно, его держат связи, образованные множеством других атомов, но стоит удалить один, соседние оторвать становится гораздо проще. Кроме того, дефект поглощает свет и греется, а его рост приводит к усилению нагрева, в результате чего он лавинообразно разрастается, превращаясь в кратер, перекрывающий значительную часть сечения пучка, а то и канал, уходящий вглубь кристалла и разрушающий, сплавляющий структуру активной зоны, и лазер выходит из строя, что проявляется скачкообразным прекращением генерации, а иногда — резким падением излучаемой мощности, при этом пучок становится неоднородным, пятнистым. Такой механизм называется катастрофическим оптическим повреждением (COD — Catastrophic optical damage).

Важно то, что для возникновения зародыша достаточно превышения мощности на несколько наносекунд. И раз начавшись, COD будет развиваться, даже если превышение допустимой мощности излучения не будет продолжаться, при номинальной и даже пониженной мощности.

Конечно, существуют и другие сценарии гибели лазерного диода — как в виде постепенной деградации, так и катастрофической — связанные с образованием скоплений дислокаций, так называемых «темных нитей» в толще активной зоны, с термодиффузионным «размытием» гетеропереходов, с термическим разрушением активной зоны протекающим через нее током. Но во многих случаях именно COD является лимитирующим фактором, определяющим «точку выхода из строя». Не в последнюю очередь это связано со скоростью его развития: кратковременный, наносекундной длительности, запредельный бросок излучаемой мощности может быть обусловлен переходными процессами при включении или выключении, и даже слабым разрядом статического электричества. Из-за этого лазерные диоды, особенно маломощные, являются одними из наиболее подверженных статическому электричеству компонентов.

И способствует этому еще одно свойство лазерных диодов.

Дважды нелинейность

И начинающему радиолюбителю известно, что светодиод нельзя подключать к источнику напряжения. Крутая прямая ветвь ВАХ приводит к резким изменениям тока при небольших колебаниях напряжения, изменениях температуры, в том числе и при саморазогреве. ВАХ лазерного диода совершенно аналогична, но это усугубляется тем, что зависимость выходной мощности от тока тоже очень напоминает прямую ветвь ВАХ: до определенного порогового тока выходная мощность очень мала (лазерный диод светится, как светодиод, генерации нет), а после его достижения выходная мощность стремительно растет, взлетая от нуля до максимально допустимой мощности при изменении тока на 20-30%. А если это помножить на крутизну ВАХ, окажется, что росту мощности от нуля до предельно допустимой величины зачастую соответствует изменение напряжения на единицы процентов!

Ну хорошо, никто не будет питать лазерный диод прямо от батарейки. Даже в дешевой китайской указке он будет включен через резистор, а в любой серьезной конструкции для его питания будет предусмотрен стабилизатор тока. Но является ли такой стабилизатор на самом деле источником тока, или это источник напряжения, которое с помощью цепи обратной связи регулируется так, чтобы поддерживать ток неизменным?

Какая разница? — спросите вы. А вот какая. Если мы возьмем операционный усилитель и охватим его обратной связью по напряжению на токоизмерительном резисторе, мы получим, казалось бы, практически идеальный источник тока. Но на самом деле выход ОУ — это источник напряжения. И источником тока его делает активная работа ОУ. Как только ОУ не успевает — источник тока перестает быть таковым. В частности, когда эту схему включают, на фронте может образоваться выброс, и это будет выброс напряжения. Соответствующий ему бросок тока на нелинейной нагрузке окажется значительно выше, не говоря уже о выбросе излучаемой лазером мощности.

Температура

Не следует забывать о том, что у лазерного диода выходная мощность зависит не только от тока, но и от температуры. Причем, она может неожиданно сильно вырасти при ее понижении, если мы не снизим при этом ток! При падении температуры падает и пороговый ток — в среднем на 1,5% на °С, а вместе с ним ампер-ваттная характеристика смещается влево параллельно самой себе, — так что падение температуры с 25 до -5°С эквивалентно увеличению тока в полтора раза. Чтобы снизить нестабильность выходной мощности и избежать выхода лазера из строя при снижении температуры, нужно либо вводить термокомпенсацию, либо воспользоваться встроенным в корпус излучателя фотодиодом для стабилизации выходной мощности. При этом нужно учитывать, что большинство производителей лазерных диодов никак не нормируют и не гарантируют ни характеристики этого фотодиода, ни его стабильность.

Есть еще другой путь — термостатирование. Обычно его делают с помощью маленькой термоэлектрической батареи-холодильника, встраиваемой непосредственно в корпус лазерного диода вместе с терморезистором. Так поступают обычно в том случае, если нужно стабилизировать не только мощность, но и длину волны излучения, которая тоже зависит от температуры (например, это важно при накачке неодим-ванадат-иттриевого лазера — полоса возбуждения узкая, а у лазерного диода на 808 нм в диапазоне 0-30°С длина волны «уходит» на 10 нм), а также когда имеют дело с мощными лазерами, когда сложно организовать обратную связь по излучению, да и снизить рабочую температуру полезно — и для срока службы, и для КПД.

Как бороться?

Цепь защиты ЛД, срисованная с внутренностей одного из научных приборов, который мне приходилось ковырять. Лазерный диод, к которому наглухо припаяна эта схема, можно спокойно отключить от драйвера, не боясь, что в висящий в воздухе разъем прилетит статика.

Какой же выход? Проектировать драйвер таким образом, чтобы избежать бросков напряжения, тока накачки и, следовательно, мощности. Запирать выход на время переходных процессов при включении (например, закорачивая лазерный диод нормально замкнутым ключом), при возможности, если не нужна быстрая модуляция излучения, организовывать плавный старт, вводить балластное сопротивление между выходом драйвера и лазерным диодом, либо элементы, замедляющие нарастание напряжения на нем и тока — RC-цепочку, последовательную индуктивность. Если нужно запустить лазерный диод на столе, от лабораторного БП — следует включить последовательно с ним балластное сопротивление на 10-100 Ом (в зависимости от рабочего тока излучателя), а параллельно диоду — малоиндуктивный конденсатор на 0,01 мкФ. Удобно также ввести в эту цепь резистор на 1 или 10 Ом для измерения тока, протекающего в цепи. При этом недопустимо подключать эту схему к уже включенному блоку питания. Сначала следует вывести напряжение в ноль, а затем плавно, контролируя ток в цепи и выходное излучение, поднять напряжение сначала до порога генерации, а затем до достижения нужной выходной мощности. Выключаем в обратном порядке. При этом нужно убедиться в том, что регуляторы ЛБП не дают «шорохов» при регулировании. В этом смысле лучше подходят цифровые программируемые ЛБП, но и их надо проверять на наличие «иголок» при переходе на следующий уровень напряжения.

Важным моментом является и измерение выходной мощности. «На глаз» ее не определишь, а ошибка приведет к тому, что лазерный диод быстро, за несколько часов или дней, или даже моментально — придет в негодность. Существуют специальные измерители мощности лазерного излучения — от старого советского ИМО-2Н — хорошего, точного, но чересчур громоздкого, до современных приборов различных производителей, цена которых вызывает в памяти отрывок из известной книги для начинающих радиолюбителей:

Н. — Просто чудесное устройство. Я немедленно куплю себе стробоскопический осциллограф.

Л. — Я советую тебе несколько повременить, потому что сейчас такой осциллограф стоит в 2–3 раза дороже спортивного автомобиля.

Н. — Пока я довольствуюсь самой маленькой микролитражкой и поэтому немного подожду.

Впрочем, сделать, а главное — откалибровать подобный измеритель в домашних условиях не составляет большого труда. Его основа — обыкновенный элемент Пельтье. Его нужно закрепить на радиаторе, зачернить поверхность, на которую будет падать излучение, и подключить к хорошему милливольтметру. Для калибровки к чувствительной поверхности временно приклеиваются несколько SMD-резисторов, через которые пропускается известный ток, и строится градуировочная зависимость термо-ЭДС от мощности, рассеиваемой на них. Но это тема отдельной статьи. А из промышленных приборов самым доступным, пожалуй, является Sanwa LP1, сделанный на базе фотодиода и по этой причине требующий обязательного введения поправки, зависящей от длины волны излучения. Его предельная измеряемая мощность невысока — 40 мВт. С другой стороны, самодельный измеритель на базе элемента Пельтье начинает хорошо работать при падающей мощности не менее пары-тройки десятков милливатт.

И последнее: я выше упоминал, что лазерные диоды — одни из самых чувствительных к статическому электричеству приборов. Импульс тока при статическом разряде — короткий, десятки наносекунд, но в пике может достигать десятков и сотен миллиампер. Так, при статическом потенциале всего 30 В на человеческом теле он в неблагоприятных условиях (влажные руки) доходит до 50-60 мА, чего достаточно для надежного вывода из строя пятимилливаттных лазеров с рабочим током в 20-30 мА. Потенциала в 200-300 В хватает, чтобы спалить таким путем и лазер из DVD-RW привода. Наличие COD-механизма воздействия статики не отменяет чувствительности к электростатическим разрядам структуры, состоящей из множества слоев, среди которых есть слои толщиной в единицы нанометров. Поэтому храним ЛД в антистатической таре — проводящей пене, фольге и т.п., перед монтажом — перемыкаем выводы проволочкой, пользуемся только заземленным паяльником и т.п.

Немного практических схем

Простая схема драйвера для лазерных диодов, стабилизирующего ток, была опубликована в журнале «Радио», 1986, №11, с. 61 в статье об использовании лазерных диодов серии ИЛПН. Я привожу эту схему так, как она опубликована и скажу лишь то, что она легко адаптируются к современным ОУ, в том числе с однополярным питанием. Здесь хорошо работает, например, мой любимый ОУ AD8605. Приведенная там же схема драйвера со стабилизацией выходной мощности рассчитана на подключение внешнего фотодиода (встроенные в лазерные диоды фотодиоды имеют, как правило, один общий вывод с лазерным диодом) и, по-видимому, содержит ошибки.

Существуют удобные, но к сожалению, дороговатые микросхемы серии iC-WK для построения драйверов лазерных диодов, требующие лишь нескольких внешних элементов и содержащие не только цепи стабилизации тока и мощности, но и цепи защиты от опасных импульсов. Схема позволяет подключать лазерные диоды с любой полярностью фотодиода относительно лазерного диода и обеспечивает ток до 350 мА при напряжении питания от 3 до 15 В.

Другая известная микросхема интегрированного драйвера ЛД — MAX3263, ориентированная на передачу данных по оптоволоконным линиям, но также позволяющая стабилизировать ток и мощность для любых целей. К подобным узкоспециализированным микросхемам можно отнести и 65ALS543, применяемую в лазерных принтерах. Впрочем, последний прибор может быть целесообразно применить, если вы решите применить лазер для, например, экспонирования фоторезиста, так как он, наряду с поддержанием постоянной мощности, позволяет быстро включать-выключать излучение. Есть хорошая статья о работе этой микросхемы, опубликованная на сайте технического журнала для сотрудников сервисных служб «Мир периферийных устройств ПК» http://www.mirpu.ru/print/38-laserprint/127-micro65als543.html. Ниже — типичная схема включения этой микросхемы.

Кстати, примененные здесь и в iC-WK выходные каскады, построенные, как токовое зеркало, устраняют вышеописанное поведение источников тока во время переходных процессов, как источников напряжения, повышая надежность лазера, в том числе в процессе быстрой модуляции излучения.

* * *

Не у всех лазерных диодов «живучесть» ограничивается выходной мощностью. Некоторые диодные лазеры обладают столь малой дифференциальной эффективностью (наклоном ампер-ваттной характеристики), что они не достигают порога COD раньше, чем выйдут из строя от перегрева слишком большим током. Таковы многие зеленые лазерные диоды на 520 нм, некоторые мощные синие лазерные диоды. В меньшей степени подвержены COD из-за большой площади зеркал резонатора и VCSEL лазеры. Но у большинства распространенных типов полупроводниковых лазеров именно выходная оптическая мощность ограничивает область безопасной работы в непрерывном режиме.

Специальные лазерные излучающие головки

Для неинвазивного (чрескожного, надвенного, транскутанного) лазерного освечивания крови, методики локального лазерного отрицательного давления (ЛЛОД), вибромагнитолазерного массажа (ВМЛГ)

* На выходе световода КИВЛ-01 производства Научно-исследовательского центра «Матрикс», изготовленных по ТУ 9444-005-72085060-2008

 

С одним лазером (1)

Предназначены для наружного воздействия местно контактно с зеркальной насадкой, дистантно или контактно без насадки, а также с оптическими и магнитными насадками. Изготовлены по самым современным технологиям из специального сверхпрочного пластика, не ломаются, не трескаются, не бьются – надёжнее металлических.
Обозначение: ТИП (ЛО – импульсные, КЛО – непрерывные) – длина волны – мощность.
Например, ЛО-904-20 – импульсная лазерная излучающая головка с длиной волны 904 нм (ИК) и максимальной мощностью не менее 20 Вт (можно регулировать в меньшую сторону).

Матричные (2)

Обозначение: ТИП (МЛ) – длина волны – мощность.
Чаще всего используются матричные излучающие головки
с 8 импульсными лазерными диодами ИК (904 нм)
или красного (635 нм) спектра. Подробная информация далее.

Для внутривенного лазерного освечивания крови (ВЛОК) (3)

Обозначение: КЛ-ВЛОК, длина волны, мощность.

Все лазерные излучающие головки подключаются к аппарату специально разработанными для лазерных терапевтических аппаратов удобными, современными и сверхнадёжными разъёмами TRS 6.35 mm stereo Лазмик®.

Необходимы для оптимизации площади и энергетической плотности воздействия, лазерные диоды распределены по поверхности таким образом, чтобы световые поля, создаваемые ими по отдельности, объединившись, обеспечивали наилучшие пространственно-энергетические параметры методики в объёме [Москвин С.В., 2008, 2014].

Такие головки максимально универсальны и могут реализовать практически все методики лазерной терапии, кроме акупунктуры, поэтому входят в состав даже самого простого комплекта оборудования. Используются как для наружного применения, так и при воздействии на проекцию внутренних органов, находящихся на глубине до 15 см (ИК-лазеры).

 








ПараметрыМЛ-904-80
(МЛ01К)
МЛ-904-200
(МЛ01КМ)
МЛ-635-40
(МЛ01КР)
Длина волны, нм904904635
Спектр (цвет)ИКИКкрасный
Количество лазерных диодов, шт.888
Импульсная мощность, Вт8020040
Площадь воздействия, см28-508-508-50
Наличие аналоговУсловноНетНет

У современных матричных лазерных излучающих головок МЛ-904-80, МЛ-904-200 и МЛ-635-40, выполненных по технологии ЛАЗМИК®, лазерные диоды расположены непо­средственно у поверхности, а не за специальным стеклом (на расстоянии), что позволяет значительно повысить эффективность воздействия при меньшем количестве лазеров. Площадь светового пятна, по которой рассчитывают плотность мощности у них на расстоянии до 0,5 см от ЛД составляет 8 см2, т. е. 8 источников света можно представлять суммой 8 лазерных головок с одним лазером и зеркальной насадкой. На расстоянии 7 см (предельном) формируется почти прямоугольная область размером 5×10 см и плотность мощности рассчитывается исходя уже из суммарной мощности всех лазерных диодов на площадь 50 см2.

Лазерная излучающая головка МЛ-635-40 (МЛ01КР) используется в основном для методики неинвазивного (наружного, чрезкожного) лазерного освечивания крови с уникальной эффективностью и при воздействии на патологические очаги, находящиеся на глубине до 5 см.
Лазерная излучающая головка ЛО-ЛЛОД содержит 4 отдельных блока, в каждом по 3 непрерывных красных и 2 импульсных ИК ЛД, т. е. матричный излучатель, в данном случае не плоский, а объёмный. Платы располагаются напротив друг друга на колбе, в результате чего обеспечивается равномерная засветка полового члена со всех сторон.
Матричные излучающие головки, в которых используются непрерывные лазерные диоды, применяются редко.

* На выходе световода КИВЛ-01 производства Научно-исследовательского центра «Матрикс», изготовленных по ТУ 9444-005-72085060-2008

  • Для лазерного освечивания крови только лазеры! (Долой дешёвые, но неэффективные светодиоды и морально устаревшие лампы!)
  • Энергия лазерного света лучше вводится в световод (больше мощность, выше эффект!)
  • Удобный корпус (позволяет легко вставлять и вынимать световод)
  • Специальный радиатор лазера (не касается руки пациента и не вызывает у него негативных ощущений)
  • Оптимальные размеры позволяют использовать более короткие световоды (до 20 см) с сохранением поляризации света
  • Специальный надёжный и долговечный ремень крепления (можно подвергать дезинфекции и стерилизации)
  • Ремни и разъёмы соответствуют цвету (длине волны) лазерного источника (чтобы избежать ошибки в выборе головки при проведении процедуры)

Нашими исследованиями (1997–2014 годы) доказано, что лучшим вариантом наружного лазерного освечивания крови (НЛОК) является применение матричной излучающей головки МЛ01КР (МЛ-635-40) на проекции крупных сосудов, близлежащих к очагу поражения, в которой используются импульсные лазеры красного спектра (635 нм) [Москвин С. В., 2014; Москвин С.В. и др., 2007].

Однако некоторые специалисты предпочитают проводить освечивание на проекцию именно кубитальной вены, т. е. той области, через которую чаще всего проводят ВЛОК. В этом случае необходимо иметь специальную излучающую головку со значительно большей мощностью, поскольку при таком способе доставки энергия лазерного света ослабевает в десятки раз.

КЛО-635-50 (НЛОК)

Основные особенности

  • Длина волны лазера – 635 нм (красный спектр).
  • Средняя мощность – 50 мВт.
  • Крепление специальным ремешком на руке или колене над проекцией сосудов.
  • Специальное устройство оптимизации и стабилизации плотности мощности.

Лазерно-светодиодная матричная излучающая головка МЛС-1 (Эффект)

Чаще всего используется для системного воздействия на организм, методики наружного лазерного освечивания крови или цветотерапии.

Основные особенности

  • Наличие нескольких источников света с разной длиной волны (цвета).
  • Общая площадь светового пятна на расстоянии от 1 см – до 40 см2.
  • Возможность модуляции излучения СИД любой частотой, установленной на базовом блоке.
  • Возможность включения СИД или лазеров при отключении всех остальных источников света.
  • Использование импульсных лазеров инфракрасного (ИК) и красного спектра.

Параметры источников света излучающей головки МЛС-1 (Эффект)

* Для непрерывного режима излучения, в режиме модуляции средняя мощность излучения уменьшается в два раза.
** Импульсная мощность.

Что такое инфракрасный лазерный диод?

Инфракрасный лазерный диод — это электронный компонент, который преобразует электрический ток в электромагнитное излучение; это излучает длину волны между видимым светом и микроволновым излучением. Эти устройства обеспечивают свет, используемый для накачки твердотельных лазеров в волоконно-оптических сетях, научного спектрального анализа, обработки материалов и многих других применений. Диапазон лазерных диодов колеблется от одного милливатта (мВт) до 10 мВт, или они представляют собой твердотельные лазеры с диодной накачкой (DPSS) мощностью несколько киловатт (кВт).

Эти компоненты характеризуются высоким выходом мощности при низких рабочих токах и конфигурации с несколькими пучками. Используя полупроводниковый материал в качестве отражающих торцевых граней, фотоны, стимулируемые непрерывным отражением, сталкиваются с атомами, генерируя мощный выброс большего количества фотонов. Это создает интенсивные световые лучи, которые могут быть направлены через коллимирующий или выпрямляющий луч линзовый или инфракрасный (ИК) фильтр. Приложения включают проигрыватели дисков, компьютерные диски и сети связи.

Другое применение инфракрасного лазерного диода заключается в использовании оптических линий связи в свободном пространстве, которые по существу представляют собой оптические передачи, проходящие через открытый воздух. При скорости передачи около 4 гигабит в секунду (Гбит / с) это может обеспечить недорогую альтернативу для обслуживания телекоммуникаций в областях, где копание волоконно-оптической инфраструктуры является непомерно дорогостоящим. Однако на такие места влияют атмосферные условия и рассеивание лучей. Длины волн около 1330 нм (нм) обеспечивают наименьшую дисперсию, а 1550 нм — лучшую передачу. Инфракрасный передатчик может использовать инфракрасные лазерные диоды или светодиоды (LED) и обычно работает в температурном диапазоне от -10 ° до 60 ° C по сравнению с видимыми диодами при температуре от -10 ° до 50 ° C.

Диоды — это небольшие электронные устройства, которые излучают энергию света, пропуская ток через полупроводник, как в светодиодах. Когда атомы попадают в промежутки в материале, они излучают небольшое количество энергии в виде легкой частицы или фотона. Результирующее свечение может быть модулировано на различных длинах волн или цветах света посредством конфигурации зазоров и направлено через линзы и фильтры для изменения интенсивности. Инфракрасный (ИК) — это часть электромагнитного (ЭМ) диапазона выше радиоволн и прямо под радужно-красным цветом, невидимая невооруженным глазом. Это тепловое излучение, улавливаемое приборами ночного видения и тепловизорами.

ИК излучение стимулируется тепловым перемешиванием, когда излучение ударяется о объект. Этот тип излучения движется по прямой линии как свет, а не как тепловая конвекция или электрическая проводимость. Инфракрасный лазерный диод усиливает этот невидимый свет, обеспечивая быструю цифровую передачу во всем, от камер до ракетных систем.

Инфракрасные лазеры с диодной накачкой используются для гравировки металла и конструирования печатных плат. Длинноволновые ИК-лазеры менее подвержены влиянию атмосферных условий, чем коротковолновые ИК-излучение, и поэтому чаще используются в коммуникациях. Инфракрасная лазерная диодная технология используется в хирургии и в ракетных системах обнаружения цели в военных применениях. Он используется для обнаружения газа и позволяет настольной компьютерной мыши отслеживать поверхности с 20-кратным разрешением светодиодной визуализации. Лазерные прицелы на орудиях используют инфракрасные лазерные диоды для создания невидимой точки прицеливания, которая будет обнаружена с помощью приборов ночного видения.

Свет, излучаемый инфракрасным лазерным диодом, опасен для прямого просмотра. Человеческий глаз не имеет тепловых рецепторов, чтобы предупредить нервную систему от опасного жжения. Чувствительная к инфракрасному излучению камера или люминофорная пластина могут помочь в определении оптического пути инфракрасного лазера. В то время как некоторые лазеры направляют свои коллимированные лучи через инфракрасные фильтры, чтобы устранить этот риск, производственные процессы иногда приводят к неисправности или отсутствию ИК-фильтров; таким образом, безопаснее просто избегать прямого попадания в глаза всех лазерных лучей.




ДРУГИЕ ЯЗЫКИ

Технология лазерного диода и ИК-излучателя обеспечивает автономное приближение к реальности

Погодостойкая система LIDAR с использованием инфракрасных импульсных лазерных диодов и фотодиодов обнаруживает объекты и предотвращает столкновения.

Автор РАЙЕЕВ ТАКУР,

Менеджер по маркетингу ИК-продуктов,

Osram Opto Semiconductors,

www. osram-os.com/

Низкозатратный LIDAR обеспечивает автономное вождение в городских условиях

В гонке, чтобы создать первый в мире самозаводящийся автомобиль, появились новые ADAS (усовершенствованные системы помощи водителю), такие как недорогая (детектирующая свет и дальность) система обнаружения LIDAR, разработанная для соответствия требованиям Euro NCAP (New Car Assessment Program) Требования к аварийному торможению — помогают проложить путь. LIDAR работает по принципу радара, но использует свет от специализированного инфракрасного импульсного лазера. Современные системы являются большими и дорогими. Новая система Wideview LIDAR от Phantom Intelligence — это компактный, менее дорогой блок, который зарекомендовал себя как надежный инструмент для обнаружения препятствий на низкой скорости в городском вождении.

Phantom Intelligence разработала устойчивую к погодным условиям систему LIDAR с использованием инфракрасных импульсных лазерных диодов и фотодиодов от Osram Opto Semiconductors, которые работают для обнаружения объектов на дороге и предотвращения столкновения. Лазеры обеспечивают высокую эффективность до 40% при максимальной выходной мощности 70 Вт, что обеспечивает длительный срок службы. Фотодиоды особенно подходят для измерения коротких световых импульсов с учетом их короткого времени переключения. Оригинальные производители оборудования, которые включают LIDAR Phantom в свои транспортные средства для обеспечения активных функций безопасности, также могут реализовать экономию средств и получить лучшую производительность.

LIDAR можно установить внутри лобового стекла и за зеркалом заднего вида, что обеспечивает лучшую согласованность характеристик, чем на переднем бампере автомобиля, и снижает затраты на замену в случае повреждения автомобиля. Эта технология идеально подходит для транспортных средств с низким уровнем обслуживания, которые должны соответствовать требованиям автоматического NCA для автоматического торможения Euro NCAP для городского вождения. Поскольку технологии безопасности развиваются с правилами и автономным вождением, LIDAR, дополненный камерами и радарами, может дать автопроизводителям достаточно информации о окружающей среде для навигации полностью автономных транспортных средств.

Европейские и американские нормы NCAP требуют, чтобы транспортные средства соответствовали определенным стандартам, чтобы получить рейтинг безопасности автомобилей с пятью звездами. Благодаря технологии освещения Osram, Phantom Intelligence планирует сделать системы LIDAR следующего поколения еще лучше, чтобы улучшить решения по обнаружению препятствий и устранению конфликтов, повысив безопасность всех транспортных средств.

«Наша конечная цель — улучшить безопасность, избавить от беспокойства и сократить время в пути», — сказал Жан-Ив Дешенес, президент Phantom Intelligence.

Phantom Intelligence и Osram создали компактный, менее дорогой модуль LIDAR, который можно использовать для обнаружения низкоскоростных препятствий во время езды по городу. (Изображение: Фантомный интеллект)

Высокомощные импульсные лазерные диоды Osram со встроенным драйвером упрощают дизайн лазерных систем и снижают их стоимость. (Изображение: Osram)

Продвижение в безопасности водителя

Мониторинг драйверов также является важной частью технологии, необходимой для продвижения автономного вождения. В сценариях, где драйверу необходимо вернуть управление с автомобиля, система мониторинга должна будет «следить» за драйверами, чтобы дать им достаточно времени, чтобы безопасно это сделать. Специальные датчики изображения для ИК (инфракрасного) необходимы, потому что используемые излучатели должны максимально соответствовать пику чувствительности датчика изображения и обеспечивать достаточное освещение без отвлечения водителя или возникновения проблем безопасности глаз.

Мониторинг драйверов может предупредить усталого водителя о том, чтобы потянуться и отдохнуть. Он также поддерживает другие функции ADAS, такие как предупреждение о выезде из полосы движения и переключение между режимами автономного и ручного управления. В экстремальных случаях, таких как вождение в нетрезвом состоянии, он может отключить транспортное средство. До сих пор технология была чревата ограничениями видимости на длинах волн инфракрасного диапазона 940 нм. Была разработана новая система автомобильных камер, которая работает как в видимом, так и в инфракрасном спектрах и теперь доступна для производителей оригинального оборудования. Система объединяет инфракрасный излучатель от Osram Opto Semiconductors с новой камерой от Advanced Vision Systems для создания первой инфракрасной камеры с исключительным качеством изображения в видимом (400-700 нм) и ближнем инфракрасном (940 нм) спектрах. Osram разработала специальные ИК-излучатели с высокой квалификацией, которые позволили Advanced Vision Systems найти правильный баланс между необходимыми источниками света для безопасности камеры и глаз. Обычно для этой технологии требуются две разные камеры и чередующиеся фильтры.

Технология мониторинга драйверов использует ИК-камеру с активной подсветкой. Камера установлена ​​внутри автомобиля и расположена к лицу водителя, чтобы следить за их глазами и лицом. Активное освещение от излучателей стека с высокой мощностью Osram IR 940 нм обеспечивает свет, не ощущаемый человеческим глазом. Свет отражается от лица водителя и захватывается датчиком изображения.

Камеры, которые в настоящее время производятся, не работают хорошо ночью или в условиях плохого освещения. Они не создают качественные изображения в ИК-спектре и нуждаются в излучателях 850 нм, которые имеют красное свечение, которое может отвлекать водителей, потому что человеческий глаз более чувствителен к этой длине волны. Новая камера от Advanced Vision Systems использует излучатели Osram 940 нм SFH 4725S, которые устраняют красное свечение, используют меньшее количество светодиодов и требуют меньшего энергопотребления на светодиод. В дополнение к более эффективной и безопасной камере мониторинга драйверов, потенциальное использование в других автомобильных приложениях включает в себя камеры с боковым обзором или камерой объемного просмотра для обнаружения слепой пятнистости, камеры заднего вида для предупреждения о перекрестном движении и самостоятельную парковку. Это идеальное решение для мониторинга драйверов, которое обеспечивает экономию средств для других приложений.

Advanced Vision Systems и Osram сотрудничают в создании камеры, которая работает как в видимом, так и в инфракрасном спектрах света без использования механических фильтров. (Изображение: усовершенствованные системы видения)

Исключатель SFH 4725S от Osram — это автомобильный светодиодный ИК-светодиод длиной 940 нм с высокой эффективностью. (Изображение: Osram)

Дополнительную информацию о Phantom Intelligence можно найти на сайте //phantomintelligence.com//.

Для получения дополнительной информации о Advanced Vision Systems посетите сайт //www.advancedvisionsystems.com/.

Для получения дополнительной информации о лазерных диодах Osram Opto Semiconductors, фотодиодах и инфракрасных излучателях посетите

//www.osram-os.com/.

РАДЖЕЕВ ТАКУР, менеджер по маркетингу IR, Osram Opto Semiconductors, www.osram-os.com/

Разработаны эффективные лазерные диоды на длине волны 1060 нм

 

Специалисты Физического института им. П. Н. Лебедева РАН (ФИАН) изготовили мощные лазерные диоды, излучающие в спектральном диапазоне 1060 нм. Новые устройства отличаются высокой эффективностью и по предварительным данным имеют значительный потенциал рабочего ресурса. Эти лазеры, имеющие непрерывную мощность до 10 Вт, будут использоваться в научных исследованиях, а также широко применяться в целом ряде практических областей.

 

В группе полупроводниковых лазеров нейтронно-физического отдела (НФО) ФИАН в течение ряда лет ведутся работы, направленные на повышение выходной мощности и срока службы лазерных диодов различных спектральных диапазонов. Лазерный диод это твердотельный лазер, рабочим веществом в котором служит полупроводник, точнее кристалл, изготовленный на основе многослойных наноразмерных полупроводниковых гетероструктур. Полупроводниковый кристалл (чип) современного лазерного диода имеет миниатюрные размеры (0,1×0,5×3 мм), а накачка активной области кристалла осуществляется непосредственно от компактного безопасного низковольтного источника питания (рабочее напряжение около 2 В). Диодные лазеры как законченное устройство — наиболее легкие, компактные и экономичные среди существующих типов лазеров (полный КПД от розетки составляет около 50 %), Поэтому они — лидеры продаж лазерного рынка (по данным журнала Laser Focus, более 60% мирового производства лазеров).
В последние годы бурное развитие технологии диодных лазеров позволило повысить ресурсную непрерывную выходную мощность одиночных излучателей до уровня 8—10 Вт при сроке службы более 5 тыс. часов — этого достаточно для решения многих практических задач. Однако резервы диодных лазеров далеко не исчерпаны, ведутся интенсивные исследования и разработки, направленные на повышение КПД лазерных чипов до 65 % и более, а также продолжается поиск более эффективных методов отвода тепла от активной области лазерного кристалла (необходимо найти новые методы отвода тепловых потоков экстремально высокой плотности более 5 кВт/см2). Продвижение к решению этих проблем позволит в ближайшее время повысить ресурсную мощность одиночных лазерных диодов до 15—20 Вт.
Особый интерес для разработчиков представляют диапазоны длин волн 805—808 нм и 915—980 нм. Лазеры с такими характеристиками необходимы для научных исследований, они применяются для накачки твердотельных и волоконных лазеров. Эти лазеры широко используются в медицинской аппаратуре и навигационных приборах.
В мае 2011 г. в группе были получены мощные, высокоэффективные и потенциально ресурсные лазерные диоды, излучающие в спектральном диапазоне 1060 нм. Наиболее перспективные направления их использования: имитаторы излучения мощных твердотельных лазеров диапазона 1047—1064 нм, а в ряде случаев — дешевая замена твердотельных лазеров этого диапазона. Кроме того, эти диоды послужат источником лазерного излучения для применения в медицине (в хирургии, гинекологии, онкологии и т. д.).
Говорит ведущий научный сотрудник группы полупроводниковых лазеров НФО ФИАН кандидат физико-математических наук Виктор Безотосный: «Важное преимущество лазерных диодов это возможность плавной перестройки длины волны излучения для попадания или отстройки от определенных полос поглощения материалов простыми способами вариации температуры теплоотводящего элемента и тока накачки. На основании предварительных исследований первой серии образцов лазеров этого спектрального диапазона можно отметить их высокую эффективность, воспроизводимость ватт-амперных характеристик и потенциально высокую надежность. При ресурсных испытаниях одиннадцати лазеров в течение 100 часов при выходной мощности 8 Вт на всей партии в пределах точности измерений не было зафиксировано уменьшения мощности. А совсем недавнее усовершенствование технологий металлизации теплоотводящих элементов и процессов монтажа еще более улучшило их параметры. На отдельных образцах получена рекордная для спектрального диапазона 1060 нм эффективность в непрерывном режиме работы — выходная мощность составила более 10 Вт при токе накачки 10 А. Также нам удалось кратковременно получить максимальную воспроизводимую непрерывную выходную мощность более 20 Вт при ширине полоскового контакта излучателя 120 мкм (плотность мощности на зеркале в пиковом режиме составила около 16,7 МВт/см2).
Сейчас в нашей группе продолжаются исследования, направленные на повышение ресурсной и максимальной выходной мощности, а также повышение надежности мощных диодных лазеров за счет применения сабмаунтов с высокой теплопроводностью (до 2000 Вт/мК) на основе искусственных алмазов, выращенных методом “plasma – CVD”».

Ватт-амперные характеристики первой серии из 11 лазерных диодов, собранных на теплоотводящих элементах типа C-маунт (условия измерений — термоэлектрическое охлаждение при температуре теплоотводящего элемента 20º С).

АНИ «ФИАН-информ»

Общий вид конструкции мощного лазерного диода, смонтированного на теплоотводящем элементе типа С-маунт с цилиндрической микролинзой (зеленый цвет) для фокусировки излучения по «быстрой оси».

Выходное зеркало (голубой цвет) смонтированного мощного лазерного диода.
Ширина кристалла (горизонтальное направление) — 0,5 мм, толщина кристалла
(вертикальное направление) — 0,1 мм.

Смонтированный чип мощного лазерного диода
(вид сверху), длина резонатора (горизонтальное направление) — 4 мм.

 

Производство лазерных диодов оптом на экспорт. ТОП 50 экспортеров лазерных диодов

Продукция крупнейших заводов по изготовлению лазерных диодов: сравнение цены, предпочтительных стран экспорта.

  1. где производят лазерные диоды
  2. ⚓ Доставка в порт (CIF/FOB)
  3. лазерные диоды цена 04.02.2022
  4. 🇬🇧 Supplier’s laser diodes Russia

Страны куда осуществлялись поставки из России 2018, 2019, 2020, 2022

  • 🇺🇸 СОЕДИНЕННЫЕ ШТАТЫ (40)
  • 🇮🇪 ИРЛАНДИЯ (7)
  • 🇩🇪 ГЕРМАНИЯ (7)
  • 🇸🇾 СИРИЙСКАЯ АРАБСКАЯ РЕСПУБЛИКА (7)
  • 🇮🇱 ИЗРАИЛЬ (6)
  • 🇦🇹 АВСТРИЯ (6)
  • 🇱🇻 ЛАТВИЯ (5)
  • 🇻🇳 ВЬЕТНАМ (5)
  • 🇬🇧 СОЕДИНЕННОЕ КОРОЛЕВСТВО (4)
  • 🇯🇵 ЯПОНИЯ (4)
  • 🇦🇿 АЗЕРБАЙДЖАН (4)
  • 🇮🇹 ИТАЛИЯ (4)
  • 🇹🇼 ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) (3)
  • 🇨🇿 ЧЕШСКАЯ РЕСПУБЛИКА (3)
  • 🇮🇳 ИНДИЯ (3)

Выбрать лазерные диоды: узнать наличие, цены и купить онлайн

Крупнейшие экспортеры из России, Казахстана, Узбекистана, Белоруссии, официальные контакты компаний. Через наш сайт, вы можете отправить запрос сразу всем представителям, если вы хотите купить
лазерные диоды.
🔥 Внимание: на сайте находятся все крупнейшие российские производители лазерных диодов, в основном производства находятся в России. Из-за низкой себестоимости, цены ниже, чем на мировом рынке

Поставки лазерных диодов оптом напрямую от завода изготовителя (Россия)

Крупнейшие заводы по производству лазерных диодов

Заводы по изготовлению или производству лазерных диодов находятся в центральной части России. Мы подготовили для вас список заводов из России, чтобы работать напрямую и легко можно было купить лазерные диоды оптом

Диоды светоизлучающие

Изготовитель Лазеры

Поставщики приборы

Крупнейшие производители   преобразователи статические

Экспортеры типографские шрифты

Компании производители Приборы измерительные универсальные для измерения или контроля напряжения

Производство Части и принадлежности

Изготовитель Аппаратура

Поставщики Части диодов

Крупнейшие производители части и принадлежности к станкам товарной позиций

Экспортеры элементы химические легированные

Компании производители Фильтры

Инфракрасный диодный лазер – обзор

3.

3.1 Светодиод с квантовыми ямами AlGaAsSb/GaInAsSb

Первое поколение MIR-светодиодов на основе GaSb было продемонстрировано в 1980 г. Kobayashi et al. из исследовательских лабораторий NTT [19]. Они были выращены методом жидкофазной эпитаксии, работали в импульсном режиме при КТ и излучали на длине волны 1,8 мкм. Впоследствии ЛД, выращенные методом жидкофазной эпитаксии и работающие на длине волны около 2 мкм, были изготовлены несколькими лабораториями по всему миру [20–23] или МЛЭ [24, 24a]. Однако эти ранние ЛД были основаны на двойных гетероструктурах, что ограничивало их характеристики.Первый GaSb ЛД на основе гетероструктур с квантовыми ямами (КЯ) был описан в 1984 г. Омори и др., также из исследовательской лаборатории NTT [25]. Активная зона была выполнена из квантовых ям AlGaAsSb/GaSb, а лазерное излучение было получено в импульсном режиме при КТ с излучением около 1,65 мкм.

Вскоре было признано, что система материалов с квантовыми ямами GaInAsSb/AlGaAsSb является наиболее многообещающим кандидатом для разработки ЛД, работающих на длинах волн более 2 мкм. Соединения AlGaAsSb с высоким содержанием алюминия, обладающие широкой запрещенной зоной и низким показателем преломления, используются в качестве плакирующих и барьерных слоев, тогда как узкозонный сплав GaInAsSb предназначен для излучающих слоев [26].Типичный профиль полосы такой лазерной гетероструктуры показан на рис. 3.1.

Рис. 3.1. Типичная зонная структура лазерного диода GaInAsSb/AlGaAsSb с QW типа I, излучающего в диапазоне длин волн 2–3 мкм.

Активная зона состоит из нескольких напряженных квантовых ям GaInAsSb, ограниченных согласованными по решетке барьерными слоями AlGaAsSb. Для формирования волновода используется сплав AlGaAsSb, содержащий 25–35 % Al и 3–4 % As. Содержание In и As в КЯ обычно составляет около 30–40 % и 6–9 % соответственно, чтобы контролировать энергию перехода при сохранении деформации сжатия около 1.5%, что дает наилучшие результаты с точки зрения характеристик лазера [27, 28]. Плакирующие слои изготовлены из широкозонного четверного сплава AlGaAsSb с 70–90 % Al и 6–8 % As. Градиентные слои AlGaAsSb вставляются между подложкой и контактным слоем, чтобы сгладить профили валентной зоны и зоны проводимости между GaSb и плакирующим сплавом AlGaAsSb. Вся структура, кроме квантовых ям, согласована по решетке с подложкой GaSb. Составы сплавов и толщины слоев регулируются в соответствии со значениями, указанными ранее, в зависимости от свойства, которое должно быть предпочтительным, и от опыта каждой лаборатории, участвующей в этих исследованиях.

Пороговые плотности тока среди самых низких значений, достигнутых с любой полупроводниковой лазерной технологией с торцевым излучением (ниже 100 А/см 2 ), уже давно демонстрируются несколькими группами в диапазоне длин волн 2,0–2,5 мкм с такими структурами [29– 31]. Работа в непрерывном режиме была получена при температурах до 140°С с характеристическими температурами T 0 в диапазоне 50–80 К [32]. Кроме того, были измерены высокие выходные мощности до 1,6 Вт [31, 33–36] при работе в непрерывном режиме с эффективностью сетевой розетки, достигающей 15% [31]. Массивы этих последних лазеров генерировали более 10 Вт в непрерывном режиме и 25 Вт в квази-непрерывном режиме [31]. Внутренние потери около 5 см  — 1  были выведены из характеристик и моделирования различных устройств. Обширное моделирование коэффициентов усиления свидетельствует о превосходных внутренних свойствах системы гетероструктур GaInAsSb/AlGaAsSb для изготовления ЛД, излучающих в диапазоне 2,0–3,0 мкм, благодаря пониженной плотности состояний и эффективным массам [7].

Тем не менее, полное преимущество этих преимуществ может быть достигнуто только в том случае, если оба типа носителей — электроны и дырки — эффективно удерживаются в квантовых ямах.На рис. 3.2 показана эволюция зонной структуры при адаптации состава КЯ GaInAsSb для увеличения длины волны излучения с 2 мкм до ~ 3,3 мкм при сохранении состава барьерного слоя AlGaAsSb, ширины КЯ и деформации КЯ. постоянная [37]. Видно, что удержание дырок постепенно уменьшается, прежде чем КЯ переключается с типа I на тип II на длинах волн, близких к 3 мкм. Напротив, электронная КЯ становится очень глубокой, что в конечном итоге приводит к неоднородному распределению электронов в КЯ.Ограничение исчезающей дырки, в свою очередь, вызывает снижение характеристик ЛД GaInAsSb/AlGaAsSb с квантовыми ямами из-за теплового выхода дырки на длине волны больше ~ 2,8 мкм [38–40].

Рис. 3.2. Эволюция выравнивания группы, рассчитанные для AL 0.35 GA 0.65 AS 0.03 SB 0.03 / GA / GA x в 1- x AS Y SB 1- y Гетероструктуры с квантовыми ямами, в которых содержание In и As подобрано так, чтобы поддерживать одно и то же напряжение (1.5%) и той же ширины КЯ (15 нм) при увеличении длины волны с 2,0 до примерно 3,3 мкм.

Из Y. Rouillard, Лазерные диоды GaInAsSb/AlGaAsSb для излучения в диапазоне длин волн 2–3 мкм, (докторская диссертация), Университет Монпелье, 2007 г.

Инфракрасные лазерные диоды мощностью 1 Вт, 808 нм

Недавно мне удалось раздобыть несколько более мощных лазерных диодов. Они имеют мощность 1 Вт и длину волны 808 нм.Это типичная длина волны для накачки зеленого лазера DPSS. Эти светодиоды также используются в промышленных и медицинских целях или для освещения помещений.
инфракамера.
Мощность этих лазерных диодов во много раз превышает мощность диодов от CD-RW и DVD-RW приводов (пишущих устройств).
Сначала я попытался воткнуть диод между ребрами радиатора. Этого оказалось недостаточно. Диод слишком горячий через 10-20 секунд.
Я обнаружил, что эти диоды в непосредственной близости могут сжечь черный пластик или изоленту даже без оптики.я тоже пробовал
фокусировка луча объективом, удерживаемым трясущимися руками 🙂 но это не идеальное решение. Затем я прикрепил диод к радиатору.
от питания ATX. Диод имеет гораздо лучший тепловой контакт и не перегревается. Поставил оптику от CD-ROM привода перед диодом.
Это может улучшить фокусировку луча. Я боялся, что пластиковая линза расплавится, но этого не произошло.
Недостаток в том, что линзу трудно установить точно на ось диода, поэтому луч не очень хорошо фокусируется. Я также думал об электромагнитной фокусировке с помощью системы с CD или DVD-привода и фокусировке с помощью потенциометра, но в итоге не пробовал.
Мне удалось получить корпуса со стеклянными линзами, предназначенными для красных диодов с длиной волны около 600 нм и инфракрасных диодов с длиной волны более 800 нм.
Диаметр диода 9мм, Корпус ТО-5. Корпуса с оптикой позволяют осуществлять точную фокусировку лазера за счет ввинчивания линзы в «червяк» с мелкой резьбой.
Он может фокусироваться как в ближнюю точку, так и в параллельный луч.Лазерные диоды могут питаться от регулируемого источника питания с последовательным сопротивлением
(плохое решение) или с использованием источника тока на LM317T, работающего от произвольного напряжения в диапазоне 7-16В (лучшее решение).
Схема LM317T должна быть размещена на радиаторе. Ток определяется резистором R1. Его значение определяется расчетной формулой R = 1,25/I.
Вы можете использовать эти резисторы или комбинацию резисторов:
3x 3R3 / 0,6 Вт параллельно на 1136 мА,
2 0R51/1W последовательно на 1225 мА,
1x 1R/2W на 1250 мА.

Лазер класса IV

Предупреждение! Лазерные диоды от привода DVD-RW излучают видимое и невидимое
лазерное излучение и они крайне опасны! Их свет может навсегда повредить глаза.
Ни в коем случае нельзя смотреть в работающий диод даже без линзы или наводить его на отражающую поверхность.
Лазерный луч может вызвать ожоги или возгорание. Обычно это лазер класса IIIb. Все, что вы делаете на свой страх и риск.

Примечание. Ближний инфракрасный свет может быть слегка заметен при очень высокой интенсивности, но если есть ситуация, которую вы уже видите
слабый красный свет, на самом деле вы смотрите на чрезвычайно интенсивный свет и рискуете повредить глаза!
Кажущаяся малая яркость объясняется очень низкой чувствительностью глаза к этому
длина волны.По этой причине инфракрасные лазеры очень опасны. Чувствительность камер к инфракрасному излучению выше.
То, что видно на фото ниже, невооруженным глазом не увидеть!

Схема блока питания стабилизированного тока для лазерного диода мощностью 1Вт и простейший блок питания.

Распиновка лазерного диода 1 Вт 808 нм и LM317T (в корпусе TO220).

Параметр

Значение

Блок

Диаметр корпуса

мм

нм

9
Длина волны 808 +/- 5
Номинальная мощность 1000 мВт
Номинальный ток 1160 мА
Максимальный ток 1300 мА
Пороговый ток 200 мА
падение напряжения при номинальном I 1,83 В
Дифференциальная эффективность 1,04 мВт/мА
Макс.Рабочая температура 50 ° C ° C
10 000 H
Срок службы в руках ламы 1 NS

Спецификация лазерных диодов мощностью 1 Вт 808 нм.

Лазерные диоды 1000мВт 808нм в банке ТО-5 (9мм).

Внутри виден чип лазерного диода с четырьмя выводами.

Первый тест лазерного диода — чтобы показать, как охлаждение никогда не должно выглядеть :).Более 10 секунд его нельзя было использовать. Лазерный диод почти не контактирует с радиатором.

Второй тест — тут действительно теплоотвод. Диод крепится к радиатору базовой площадкой. Он может работать без проблем в течение нескольких минут.

Выход диода через отверстие в радиаторе.

Деталь крепления лазерного диода.

Тест лазерного диода.

Объектив с CD-диска

Оптика прикручена к радиатору с диодом.

Лазерная оптика для диода 9 мм с ручкой.

Разобранная лазерная оптика

Лазерная головка для винтовой линзы.

Линза в винте.

Лазерный диод в голове.

Собранный лазерный модуль.

Коробка от компакт-диска с прожженной дыркой :).

Параллельный лазерный луч.

Лазерный луч сфокусирован в ближнюю точку.

Он может сжечь дерево. Надписи выжжены на деревянной доске :).

Прожигание лазером четырех пластиковых пластин подряд.



Видео 1 — Первые эксперименты с диодом на 1000 мА.
Питается через резистор 3R9/10Вт от регулируемого блока питания. Плохое охлаждение (можно включить только на короткое время).
Диод прожигает как с линзой так и без линзы.

youtube.com/v/b-7xYA6wJc8?fs=1&hl=cs_CZ&rel=0″/>

Видео 2 — Светодиод на металлической пластине от радиатора БП ATX, оптика от CD-ROM.
Прожигание коробки с компакт-диском и разрезание ее, перерезание клейкой ленты и зажигание спичек.



Видео 3 — Лазер с винтовой оптикой зажигает одну и ту же спичку 3 раза. Первый раз с головой, потом 2 раза без головы (только дерево).



Видео 4 — Лазер 1 Вт, 808 нм, резка пластикового пакета при 1160 мА.



Видео 5 — разрезаем коробку от CD, изолируем скотчем и прожигаем отверстия в коробке от CD (сзади).

youtube.com/v/Xjr52hLlpxg?fs=1&hl=cs_CZ&rel=0″/>

Видео 6 — Выжигание букв на дереве и картоне.



Видео 7 — Автоматический лазерный труборез 🙂

Не для лам!


Мощные лазерные диоды на самом деле не рассчитаны на лам.Когда кто-то пишет, что я шучу, потому что у него такой же диод, и диод 1) красный, а не инфракрасный, и 2)
диод определенно не такой мощный и опасный, как я говорю, потому что он слабо светит, я почти
бейся головой о стену. ..

дом

Купить современный мощный ИК-лазерный диод для ваших нужд. Бесплатный образец сейчас.ком. Вы можете купить массив

высокомощных ИК-лазерных диодов , включая, помимо прочего, светодиоды, микрофоны, выпрямители, лазеры, стабилитроны, триггеры, диоды Шоттки, SMD, энергосберегающие лампы. Вы можете выбрать высокомощный ИК-лазерный диод из широкого набора ключевых параметров, спецификаций и номиналов, который будет соответствовать вашим целям.

высокомощный ИК-лазерный диод на Alibaba.com удобен в установке и использовании. Используемый пластик более высокого качества обеспечивает изоляцию, снижающую нагрев.Они доступны в кремнии и германии. Мощный ИК-лазерный диод используется в различных отраслях промышленности для множества электрических функций и датчиков. Они используются в инверторах, светодиодах, автомобильной электронике, потребительских товарах, USB 2.0 и USB 3. 0, HDMI 1.3 и HDMI 1.4, SIM-картах, мобильной одежде, беспроводной связи, автомобильных генераторах и лазерной эпиляции. Они используются в качестве выпрямителя, датчика света, излучателя света, для рассеивания нагрузки и т. д. Предлагаются различные физические упаковки для мощного ИК-лазерного диода , подходящие для монтажа на печатной плате, теплоотвода, проводного монтажа и поверхностного монтажа.

Характерными особенностями мощного ИК-лазерного диода являются толстая медная опорная пластина, малая утечка, способность к сильному току, низкое прямое падение напряжения, легирование золотом, низкое инкрементальное сопротивление импульсным перенапряжениям, отличная способность зажима, быстрое время отклика и т. д. Предлагаемые технические характеристики на высокомощном ИК-лазерном диоде включают различные оптические и электрические характеристики, такие как максимальная мощность, напряжение, оптический выход, время обратного восстановления, рабочая температура и т. д. Мощный ИК-лазерный диод изготавливается в соответствии со стандартными процедурами для поддержания высочайшего качества. .Они соответствуют требованиям RoHS и IEEE 1394.

Получите лучшие предложения ИК-лазерного диода высокой мощности на Alibaba.com от различных поставщиков и оптовиков. Получите высококачественный высокомощный ИК-лазерный диод для требований вашего проекта.

Лазерный диод

Что такое лазерный диод

Термин «лазер» представляет собой аббревиатуру, расшифровывающуюся как «Усиление света за счет стимулированного излучения». Лазерный диод — это полупроводниковый компонент, который излучает лазерный свет при подаче на него нужной силы тока (порога).Для обычного использования в качестве электронного компонента полупроводниковый чип лазерного диода обычно заключают в корпус для его защиты и простоты подключения к цепи.

Светодиод

против лазерного диода

Светодиод

представляет собой светоизлучающие диоды, изготовленные из p-n-перехода, который излучает свет, когда на его выводы подается подходящее напряжение. В этом состоянии электроны рекомбинируют с дырками внутри полупроводникового устройства, тем самым высвобождая энергию в виде фотонов (частиц света). Цвет света определяется шириной запрещенной зоны полупроводникового материала, используемого для светодиода.

Лазерные диоды имеют другую структуру, в которой свет излучается внутри полости внутри полупроводникового материала. Резонатор придает лазерному диоду его основные характеристики: когерентность.

Лазерный свет является когерентным, что позволяет сфокусировать лазер в одну узкую точку. Лазерные лучи также могут оставаться узкими на большом расстоянии, что называется коллимацией, что является уникальным среди светоизлучающих устройств. Лазерный свет также имеет высокую временную когерентность, что позволяет излучать свет с очень узким спектром (несколько нанометров), в отличие от светодиода.

Длина волны

Длина волны — это пространственный период электромагнитного излучения. Электромагнитное излучение с длиной волны в диапазоне от 400 до 700 нм воспринимается человеческим глазом как видимый свет. Лазеры обычно имеют очень узкий спектр длин волн. Для потребительского рынка они обычно имеют полосу пропускания длин волн ~ 1 нм, в отличие от обычных источников света, излучающих белый свет. Белый свет соответствует сумме всех видимых и невидимых (таких как инфракрасные и ультрафиолетовые) волн спектра.Лазерный диод излучает только на определенной длине волны, в зависимости от полупроводникового материала, из которого он сделан.

Выходная мощность

Выходную мощность лазера можно измерить с помощью измерителя мощности. Лазеры могут работать в режиме CW (непрерывный режим) или в импульсном режиме. Мощность импульсов можно учитывать на основе их средней мощности или пиковой мощности каждого импульса. Средняя мощность лазеров колеблется от <1 мВт для лазерных указок и других потребительских товаров до нескольких кВт для лазерной резки или систем лазерного оружия и т. д.

Защита глаз

Из первых лазеров в 1964 году стало ясно, что этот источник света не только обладает мощностью для выполнения требуемой работы, но и может быть очень опасен при неправильной эксплуатации. Руководство по лазерной безопасности было написано для потребителей, уровни мощности обычно записываются для лазеров непрерывного излучения видимого света и делятся на класс 1, класс 1M, класс 2, класс 2M, класс 3R, класс 3B, класс 4. Для импульсных лазеров и невидимых длинах волн могут применяться другие ограничения мощности.В США считается, что лазеры класса 2 безопасны для потребителей, в то время как в ЕС требуется, чтобы лазеры были класса 1. Людям, работающим с лазерами классов 3B и 4, рекомендуется защищать глаза защитными очками, которые предназначены для поглощения света определенной длины волны.

Форма балки

Лазерный свет является когерентным, что позволяет манипулировать лазерными лучами для создания множества различных форм, от простых коллимированных лучей до сложных узоров (созданных с помощью линз DOE).Наиболее часто встречающиеся узоры включают в себя: лазерную точку, круглую точку, лазерную линию, лазерный крест, линию земли. Пользовательские шаблоны могут быть достигнуты с помощью пользовательских оптических элементов.

Использование

Лазерные технологии могут принести пользу во многих областях, таких как: медицина, различные промышленные применения, военные применения, потребительские товары и т. д. В настоящее время использование лазера варьируется от чтения данных с компакт-диска или DVD до измерения земли до расстояние до луны.

Технические характеристики лазерного диода

от

Товар Символ Определение
Оптическая выходная мощность По (CW) Максимально допустимая мощность излучения в режиме непрерывной волны (CW)
Импульсная оптическая выходная мощность Ро (импульсный) Максимальная допустимая мощность излучения в импульсном режиме
Обратное напряжение В Максимально допустимое обратное напряжение смещения, подаваемое на лазерный диод Для лазерных диодов со встроенным фотодиодом обратное напряжение фотодиода V(PD) и лазерного диода V(LD) может быть указано отдельно
Рабочая температура до Диапазон температур корпуса лазерного диода, при котором можно безопасно эксплуатировать лазерный диод
Температура хранения Ц Диапазон температур корпуса лазерного диода, при котором можно безопасно хранить лазерный диод

Оптические и электрические характеристики

Товар Символ Определение
Оптическая выходная мощность По Оптическая выходная мощность при указанном прямом токе (If)
Пороговый ток Ит Значение прямого тока, при котором лазерный диод начинает излучать лазерный свет (генерировать)
Рабочий ток Иоп Вход прямого тока на указанном оптическом выходе Мощность (Po)
Рабочее напряжение Воп Входное напряжение на указанном оптическом выходе Power (Po)
Пиковая длина волны λp Длина волны максимальной интенсивности в спектральном распределении излучаемого лазерного излучения диапазона
Расхождение луча параллельно стыку θ// Расходимость светового луча, испускаемого лазерным диодом, выраженная как полный угол на половине пиковой интенсивности (FWHM) в параллельном профиле
Расхождение луча перпендикулярно стыку θ┴ Расходимость светового луча, испускаемого лазерным диодом, выраженная как полный угол при половине пиковой интенсивности (FWHM) в перпендикулярном профиле

Температурные характеристики

Характеристики лазера (длина волны, рабочий ток) меняются в зависимости от температуры, причем при более короткой длине волны изменения более значительны.

Мы рекомендуем установить схему APC для поддержания постоянного выхода, поскольку рабочий ток значительно зависит от температуры.

Точно так же надежность лазерных диодов может быть повышена за счет разработки продуктов, основанных на их характеристиках тепловыделения.

Поскольку надежность лазерного диода резко падает при повышении температуры, никогда не допускайте выхода корпуса за пределы диапазона рабочих температур, указанного в технических характеристиках, во время использования лазера.

Инструкции по обращению

1.Лазерные диоды могут быть повреждены пиковым током, генерируемым при включении или выключении питания или при регулировке выходного напряжения. Перед активацией диодов проверьте переходное состояние источника питания, чтобы убедиться, что оно не превышает максимальное номинальное напряжение.

2. Используйте лазерные диоды ниже максимальной номинальной оптической выходной мощности, чтобы предотвратить повреждение граней зеркала и, как следствие, потерю надежности.

3. Максимальные характеристики указаны для температуры корпуса 25°C.Дизайн должен быть сделан так, чтобы работать с температурой. По мере повышения температуры рассеиваемая мощность, а также максимальная мощность светового потока уменьшаются.

Условия пайки

Максимальная температура установлена ​​на уровне 260°C, время пайки не превышает 3,0 секунд, и необходим минимальный зазор 1,6 мм от корня вывода.

Предотвращение выхода из строя из-за статического электричества или импульсного тока

Лазерные диоды могут подвергаться неблагоприятному воздействию статического электричества и импульсного тока, что, в свою очередь, вызывает выход из строя элементов и снижение их надежности, если не будут предприняты следующие меры:

(1) Источник питания, монтажное и измерительное оборудование должны быть заземлены.На входе источника питания должен быть предусмотрен фильтр помех или шумоподавляющий трансформатор.

(2) Во время работы рабочая одежда, головные уборы и обувь должны быть защищены от статического электричества. Кроме того, тело рабочего должно быть защищено от статического электричества с помощью заземляющей ленты или подобного устройства и заземлено с помощью высокого сопротивления (500K — 1M).

(3) Паяльник должен быть заземлен для защиты лазерных диодов от утечки напряжения.

(4) Любой контейнер для перевозки и хранения должен быть защищен от статического электричества.

(5) Избегайте использования лазерных диодов в местах, где могут генерироваться частые импульсные токи, поскольку индуктивное электрическое поле приводит к пробою или износу. (Например, избегайте размещения рядом с флуоресцентной лампой для выращивания растений).

Где купить лазерные источники среднего инфракрасного диапазона, квантовые каскадные лазеры, соль свинца, легированный изолятор, Cr:ZnSe, газовые и химические лазеры, производители и поставщики

Лазерные источники среднего инфракрасного диапазона могут быть основаны на квантовых каскадных лазерах, соли свинца лазеры, лазеры на легированных изоляторах (например,г. Cr:ZnSe), газовые и химические лазеры. Существуют также источники среднего инфракрасного диапазона, основанные на генерации разностной частоты или на параметрических колебаниях или усилениях.

62 поставщика лазерных источников среднего инфракрасного диапазона перечислены в Руководстве покупателя RP Photonics. Зарегистрироваться могут как производители, так и дистрибьюторы.

Для составления списка тех поставщиков, которых вы хотите проверить более внимательно, сначала отметьте всех подходящих, нажав на записи (сделав их фон светло-серым).Затем нажмите на эту кнопку:

Для документирования поиска поставщиков вы можете распечатать эту страницу на бумаге или в формате PDF.

3

4

Palaiseau
Франция

20 New England Business Center
Andover, MA 01810-1077
США

Соединенные Штаты

Поставщики с Ad Package
, представляя свои описания продукта
Company 3

Описание продукта 3

APE Angewandte Plauiter Straße GmbH

Plauener Straße 163-165 / Haus N
13053 Berlin
Германия

Для среднего ИК-диапазона APE предлагает Carmina, профессиональный источник ИК-излучения для интеграции с микроскопами рассеяния SNOM и AFM-IR. Carmina устанавливает новые стандарты разрешения, чувствительности и диапазона настройки благодаря своей архитектуре OPO/DFG. Уникальная комбинация широкополосного излучения -1 на длине волны 300 см и узкополосного излучения на длине волны 20 см -1 охватывает два взаимодополняющих метода наномасштабного ИК-излучения: s-SNOM и AFM-IR.

Исключительно высокая выходная мощность от 5 мВт до 300 мВт в сочетании с чрезвычайно низким уровнем шума позволяет решать более широкий спектр задач в области визуализации и спектроскопии ближнего поля.

У вас есть фемтосекунда?

Light Conversion, UAB

Keramiku 2B
10233 Вильнюс
Литва

ORPHEUS-MIR представляет собой оптический параметрический усилитель (OPA), оптимизированный для эффективной генерации широкополосных импульсов среднего ИК-диапазона. Система обеспечивает широкополосные импульсы в диапазоне настройки от 2,5 до 10 мкм и достигает до 15 мкм с дополнительным узкополосным расширением. Благодаря новой конструкции системы ОРФЕЙ-МИР обеспечивает импульсы < 100 фс непосредственно на выходе.Сигнальный и холостой выходы доступны одновременно. Архитектура системы хорошо подходит для накачки высокоэнергетическими и мощными лазерами PHAROS и CARBIDE.

Thorlabs

56 Avarta Avare
Newton, NJ 07860
Соединенные Штаты Соединенные Штаты

Thorlabs производят ряд середины инфракрасных лазеров, включая SC4500 SID-IR Supercontinuum, Y-Fi OPA и под ключ МИР ККЛ. Эти системы предлагаются вместе с портфолио фтористых волокон среднего ИК-диапазона и коммутационных кабелей без покрытия.Наши сверхбыстрые лазерные системы дополняются набором чирпированных зеркал, оптики с низким GDD и сопутствующими продуктами для измерения импульсов, предварительной компенсации и измерения дисперсии.

LEUKOS

2 rue Edouard Michaud
Beaublanc Bât. 3–4–5
87000 Лимож
Франция

LEUKOS ELECTRO MIR — это лазерный источник суперконтинуума нового поколения, оптимизированный для среднего ИК-диапазона с длиной волны до &приблизительно 10 мкм. Он основан на более чем 15-летнем опыте LEUKOS в области источников суперконтинуума.

См. наш техпаспорт.

До встречи на LASER World of Photonics 2022 в Мюнхене, 26–29 апреля!

Лазер CNI

No. 888 Jinhu Road
Зона высоких технологий, Чанчунь 130103
Китай

CNI предлагает лазеры с различными длинами волн, некоторые из которых находятся в среднем инфракрасном диапазоне. Например, есть непрерывный DPSS на 3800 нм и перестраиваемые лазеры на 3590–4940 нм.

Точность в фотонике. Вместе мы формируем свет.

Menlo Systems GmbH

Bunsenstr. 5
82152 Martinsried
Германия

Лазеры среднего инфракрасного диапазона Menlo Systems, основанные на запатентованной лазерной технологии Menlo Figure 9®, ориентированы на диапазон длин волн от 1 мкм до 10 мкм. Доступны системы от одиночных фемтосекундных лазеров до полных гребенчатых систем среднего инфракрасного диапазона оптических частот. Область применения варьируется от датчиков до высокоточной лазерной спектроскопии.

Все длины волн.

TOPTICA Photonics AG

Lochhamer Schlag 19
82166 Gräfelfing
Германия

Спектральная область между оптикой и электроникой, расположенная в среднем инфракрасном диапазоне, труднодоступна. Тем не менее, он представляет большой интерес для спектроскопии, поскольку содержит большинство молекулярных отпечатков пальцев: важные колебательные моды с энергиями в спектральном диапазоне от 670 см -1 до 3400 см -1 могут быть доступны путем возбуждения образца на длинах волн от 3 мкм до 15 мкм.

Сверхбыстрый волоконный лазер TOPTICA FemtoFiber dichro midIR генерирует мощное излучение с регулируемой длиной волны от 3 мкм до 15 мкм, которое идеально подходит для спектроскопии и микроскопии (ближнего поля). На основе генерации разностной частоты (ГРЧ) двух оптически синхронизированных лазерных импульсов с перестраиваемой длиной волны 1 – 2 мкм генерируется высокостабильное широкополосное излучение примерно 400 см -1 . Здесь мощный основной выход на 1560 нм сверхбыстрого волоконного лазера, легированного эрбием, накладывается на длинноволновую или коротковолновую часть суперконтинуума.

Подгоняемые высокопроизводительные ультрафастские лазеры

активных волокна GmbH

ERNST-RUSKA-RING 17
07745 Jena
07745 Jena
Германия

Это расширение дополняет компактную 50FS-Thulium-легированное ультрафавидная лазерная система и обеспечивает мощную частотную гребенку в среднем ИК-диапазоне. Сверхбыстрые импульсы среднего ИК-диапазона достигаются за счет внутриимпульсной генерации разностной частоты, что гарантирует пассивную стабильность смещения несущей огибающей.Полная частотно-гребенчатая природа источника может быть достигнута путем управления и стабилизации основной частоты повторения импульсов возбуждающего лазера.

Лидер из фторидного стекла и оптического волокна

Le Verre Fluoré

Rue Gabriel Voisin
Campus de Ker Lann
35170 Bruz, Brittany
Франция

на основе наших фторидных активных волокон, мы развиваем волокно модули, которые просты в обращении и напрямую интегрируются в конечную коммерческую лазерную систему.

Совместно с Университетом Лаваля COPL мы разрабатываем волоконные лазеры среднего ИК-диапазона, которые коммерциализирует наша дочерняя компания LumIR Lasers. Эти волоконные лазеры, например, используются в медицине.

Лазерные диоды. Переопределено.

Eblana Photonics

3 West Pier Business Campus
Dun Laoghaire
Dublin A96 A621
Ирландия

Платформа Eblana Discrete-Mode не зависит ни от длины волны, ни от материала, и может использоваться для производства высококачественных лазерных диодов с высокими характеристиками. средний ИК-диапазон для различных применений, включая обнаружение следовых газов и мониторинг окружающей среды с использованием полос основного поглощения для высокочувствительного обнаружения.Лазерные диоды Eblana серии EP2327-0-DM, нацеленные на обнаружение CO на длине волны 2,3 мкм, теперь доступны OEM-клиентам, желающим внедрить передовые лазерные конструкции в свои системы обнаружения.

Frankfurt Laser Company

An den 30 Morgen 13
61381 Friedrichsdorf
Германия

Frankfurt Laser Company предлагает инфракрасные лазерные диоды с длиной волны излучения от 2 нм до 7310 мкм.

98

Откройте для себя ИК-будущее

Si Stuttgart Instruments GmbH

Curiestraße 2

STUTTGARSE 2
70563 STUTTGART
Германия

STUTTGART Instruments Alpha System — это модульная, длина волны лазерное покрытие 700 нм до 20 мкм спектральный диапазон.Он обеспечивает сверхбыстрые импульсы с частотой повторения МГц и мощностью от милливатта до ватта. Благодаря отличной пассивной долговременной стабильности, выдающимся характеристикам на пределе дробового шума и широкому спектральному диапазону он идеально подходит для чувствительных ИК-приложений.

Систему Alpha можно настроить оптимальным образом для вашего приложения. Его базовая версия настраивается в диапазоне от 1,35 мкм до 4,5 мкм, но может быть модернизирована до более высокой мощности, до VIS (700–980 нм), NIR (1,1–1,4 мкм) и MIR-диапазона (4. 5 – 20 мкм). Каждый модуль можно обновить на месте, а вся система полностью автоматизирована и управляется с помощью удобного графического интерфейса пользователя.

Pioneering Photonics

Alpes Laser

ALPES Laser SA

Avenue Des PAquiers 1
2072 ST-Blaise
Швейцария

Alpes Lasers Designs и производит широкий ассортимент различных лазерных типов с длинами волн от 4 до 14 мкм и мощностью до сотен милливатт. Сюда входят лазеры FP, DFB, THz, частотная гребенка и лазеры с внешним резонатором в среднем ИК-диапазоне.Кроме того, Alpes предлагает уникальные быстрые и широко настраиваемые лазеры в линейке продуктов ET и XT.

Продукция вашей компании здесь отсутствует? Получите наш рекламный пакет , чтобы насладиться этим и многими другими преимуществами!
Все поставщики 3

Active Fiber Systems GmbH

Ernst-Ruska-Ring 17
07745 Jena
Германия

Это Расширение дополняет компактную сверхбыструю волоконную лазерную систему с легированием тулия 50 фс и обеспечивает мощную частотную гребенку в среднем ИК-диапазоне. Сверхбыстрые импульсы среднего ИК-диапазона достигаются за счет внутриимпульсной генерации разностной частоты, что гарантирует пассивную стабильность смещения несущей огибающей. Полная частотно-гребенчатая природа источника может быть достигнута путем управления и стабилизации основной частоты повторения импульсов возбуждающего лазера.

Pioneering Photonics

Alpes Laser

ALPES Laser SA

Avenue Des PAquiers 1
2072 ST-Blaise
Швейцария

Alpes Lasers Designs и производит широкий ассортимент различных лазерных типов с длинами волн от 4 до 14 мкм и мощностью до сотен милливатт.Сюда входят лазеры FP, DFB, THz, частотная гребенка и лазеры с внешним резонатором в среднем ИК-диапазоне. Кроме того, Alpes предлагает уникальные быстрые и широко настраиваемые лазеры в линейке продуктов ET и XT.

APE Angewandte Plizik und Plauener Straße

Plauener Straße 163-165 / Haus N
13053 Berlin
Германия

для середины ИК-региона, APE предлагает Carmina, профессиональный ИК-источник света для интеграция с рассеивающими СБОМ и АСМ-ИК микроскопами. Carmina устанавливает новые стандарты разрешения, чувствительности и диапазона настройки благодаря своей архитектуре OPO/DFG. Уникальная комбинация широкополосного излучения -1 на длине волны 300 см и узкополосного излучения на длине волны 20 см -1 охватывает два взаимодополняющих метода наномасштабного ИК-излучения: s-SNOM и AFM-IR.

Исключительно высокая выходная мощность от 5 мВт до 300 мВт в сочетании с чрезвычайно низким уровнем шума позволяет решать более широкий спектр задач в области визуализации и спектроскопии ближнего поля.

ATLA Lasers, AS

Flatåstoppen 59
7079 Flatåsen
Trondheim
Норвегия

0

Brolis Semiconductors

Moletu PL. 73
14259 Vilnius
Lithuania

0

Chromacity Ltd.

Hivingstone House
43 Discovery Terrace
Edinburgh EH24 4AP
Великобритания

Crisel Instruments S. р.л.

Via Mattia Battistini, 177
Рим
Италия

Лазерные диоды. Переопределено.

Eblana Photonics

3 West Pier Business Campus
Dun Laoghaire
Dublin A96 A621
Ирландия

Платформа Eblana Discrete-Mode не зависит ни от длины волны, ни от материала, и может использоваться для производства высококачественных лазерных диодов с высокими характеристиками. средний ИК-диапазон для различных применений, включая обнаружение следовых газов и мониторинг окружающей среды с использованием полос основного поглощения для высокочувствительного обнаружения.Лазерные диоды Eblana серии EP2327-0-DM, нацеленные на обнаружение CO на длине волны 2,3 мкм, теперь доступны OEM-клиентам, желающим внедрить передовые лазерные конструкции в свои системы обнаружения.

Eluxi Ltd.

Eluxi Ltd.

Расширенные технологии Инновационный центр
Loughborough Университет науки и корпоративных парков
5 Oakwood Drive
Loughborough Le11 3QF
Великобритания

EQ Photonics GmbH

Оберее Hauptstr. 30
85386 ECHING
85386 ECHING
Германия

60

6
6

Франкфуртская лазерная компания

DEN 30 Morgen 13
61381 Friedrichsdorf
61381 Friedrichsdorf
Германия

Frankfurt Laser Company предлагает инфракрасные лазерные диоды с длинами волн выбросов от 730 нм до 12 мкм.

Futonics Laser GmbH

Maschmühlenweg 36

37081 Göttingen
37081 Göttingen
37081 Göttingen

60

Technology в области флюоридных и оптических волокна

Rue Gabriel Voisin

Rue Gabriel Voisin
Campus de Ker Lann
35170 Bruz, Бретань
Франция

На основе наших фторидсодержащих активных волокон мы разрабатываем оптоволоконные модули, которые просты в обращении и непосредственно интегрируются в окончательную коммерческую лазерную систему.

Совместно с Университетом Лаваля COPL мы разрабатываем волоконные лазеры среднего ИК-диапазона, которые коммерциализирует наша дочерняя компания LumIR Lasers. Эти волоконные лазеры, например, используются в медицине.

LEUKOS

2 rue Edouard Michaud
Beaublanc Bât. 3–4–5
87000 Лимож
Франция

LEUKOS ELECTRO MIR — это лазерный источник суперконтинуума нового поколения, оптимизированный для среднего ИК-диапазона с длиной волны до &приблизительно 10 мкм.Он основан на более чем 15-летнем опыте LEUKOS в области источников суперконтинуума.

См. наш техпаспорт.

У вас есть фемтосекунда?

Light Conversion, UAB

Keramiku 2B
10233 Вильнюс
Литва

ORPHEUS-MIR представляет собой оптический параметрический усилитель (OPA), оптимизированный для эффективной генерации широкополосных импульсов среднего ИК-диапазона. Система обеспечивает широкополосные импульсы в диапазоне настройки от 2,5 до 10 мкм и достигает до 15 мкм с дополнительным узкополосным расширением.Благодаря новой конструкции системы ОРФЕЙ-МИР обеспечивает импульсы < 100 фс непосредственно на выходе. Сигнальный и холостой выходы доступны одновременно. Архитектура системы хорошо подходит для накачки высокоэнергетическими и мощными лазерами PHAROS и CARBIDE.

9

м в квадратных лазерах

м

венчурное здание
1 Kelvin Campus
к западу от науки Scotland Park
Maryhill Rd
Glasgow, G20 0SP
Великобритания

0

Точность в фотониках.Вместе мы формируем свет.

Menlo Systems GmbH

Bunsenstr. 5
82152 Martinsried
Германия

Лазеры среднего инфракрасного диапазона Menlo Systems, основанные на запатентованной лазерной технологии Menlo Figure 9®, ориентированы на диапазон длин волн от 1 мкм до 10 мкм. Доступны системы от одиночных фемтосекундных лазеров до полных гребенчатых систем среднего инфракрасного диапазона оптических частот. Область применения варьируется от датчиков до высокоточной лазерной спектроскопии.

MG Optical Solutions GmbH

Industriestr. 23
86919 UTTING / AMMERSEE
ГЕРМАНИЯ

0

MIRSENSE

Centre D’Intégration Nanoinnov
Bâtiment 863
8 Avenue De La Vauve

Mountain Photonics GmbH

Albert -Эйнштейна-ул. 18
86899 Landsberg am Lech
Германия

0

Nano-Giga

137 Avenue Anatole Anatole France,
94600 Chohy Le Roi
Франция

0

Nanoplus Nanosystems и Technologies GmbH

Oberer Kirschberg 4
97218 Гербрунн
Германия

Новые технологии и консалтинг

Hauptstrasse 52
67297 Марнхайм
Германия

NORBLIS

Virumgade 35 D
2830 Virum
Дания

Novae

Zi Du Moulin Cheyroux
87700 Aixe Sur Vienne
Франция

0

Opton Laser International

Parc Club Orsay Université
29 Rue Jean Rostand
91893 Orsay
Франция

0

Optoprim Германия GmbH

улица Макса Планка Асс 3
85716 Unterschleißheim
Германия

Pantec Biosolutions AG

Industriering 21
9491 Ruggell
Лихтенштейн

Pantec Engineering AG — Медицинский лазерный

Industriering 21
9491 Руггелль
Лихтенштейн

Sacher Lasertechnik

Rudolf-Breitscheid-Str. 1-5
35037 Marburg
35037 Marburg
Германия

69
9

4 STEBENEV LARE
Минск, 220024
Беларусь

60

Soliton Laser- und Messtechnik GmbH

Talhofstr. 32
82205 Gilching
82205 Gilching
Германия

9

Si Stuttgart Instruments GmbH

Curiestraße 2
70563 STUTTGARS
Германия

The Shuttgart Instruments Alpha System — это модульная, длина волны лазерное покрытие спектральном диапазоне от 700 нм до 20 мкм.Он обеспечивает сверхбыстрые импульсы с частотой повторения МГц и мощностью от милливатта до ватта. Благодаря отличной пассивной долговременной стабильности, выдающимся характеристикам на пределе дробового шума и широкому спектральному диапазону он идеально подходит для чувствительных ИК-приложений.

Систему Alpha можно настроить оптимальным образом для вашего приложения. Его базовая версия настраивается в диапазоне от 1,35 мкм до 4,5 мкм, но может быть модернизирована до более высокой мощности, до VIS (700–980 нм), NIR (1,1–1,4 мкм) и MIR-диапазона (4.5 – 20 мкм). Каждый модуль можно обновить на месте, а вся система полностью автоматизирована и управляется с помощью удобного графического интерфейса пользователя.

Topag Lasertechnik GmbH

Nieder-Ramstädter-Str. 247
64285 Дармштадт
Германия

Все длины волн.

TOPTICA Photonics AG

Lochhamer Schlag 19
82166 Gräfelfing
Германия

Спектральная область между оптикой и электроникой, расположенная в среднем инфракрасном диапазоне, труднодоступна.Тем не менее, он представляет большой интерес для спектроскопии, поскольку содержит большинство молекулярных отпечатков пальцев: важные колебательные моды с энергиями в спектральном диапазоне от 670 см -1 до 3400 см -1 могут быть доступны путем возбуждения образца на длинах волн от 3 мкм до 15 мкм.

Сверхбыстрый волоконный лазер TOPTICA FemtoFiber dichro midIR генерирует мощное излучение с регулируемой длиной волны от 3 мкм до 15 мкм, которое идеально подходит для спектроскопии и микроскопии (ближнего поля).На основе генерации разностной частоты (ГРЧ) двух оптически синхронизированных лазерных импульсов с перестраиваемой длиной волны 1 – 2 мкм генерируется высокостабильное широкополосное излучение примерно 400 см -1 . Здесь мощный основной выход на 1560 нм сверхбыстрого волоконного лазера, легированного эрбием, накладывается на длинноволновую или коротковолновую часть суперконтинуума.

фон Gegerfelt Photonics

Hermann-Löns-Strasse 4
64625 Bensheim
Германия

Xiton Photonics

Kohlenhofstrasse 10
67663 Кайзерслаутерн
Германия

За пределами Европы:

Allied Sciential Pro

815 Carriere Blvd, Suite 202
Gatineau, QC, J * Y6T4
CANADA

Block Engineering

377 Simarano Drive
MALLBORE, MA 01752
США

Boston Electronics Corporation

91 Boylston St
Brookline, MA 02445
Соединенные Штаты

40 CNI № 5 Laser

888 Jinhu Road
High-tech Zone, Changchun 130103
Китай

CNI предлагает лазеры со многими длинами волн, некоторые из которых находятся в среднем инфракрасном диапазоне. Например, есть непрерывный DPSS на 3800 нм и перестраиваемые лазеры на 3590–4940 нм.

ООО «СИБЕЛ».

1195 Pennsylvania Avenue
Bethlehem, PA 18018-2026
United States

DRS Daylight Solutions Inc.

15378 проспект науки
Suite 200
San Diego, CA 92128
США

Enlight Technologies, Inc.

3455 NW John Oslen Pl.
Hillsboro, или 97124
Соединенные Штаты

0

, BLV Du Parc Technologique, 2-й этаж
Québec (QC) G1P 4R1
Canada

IL Photonics

511 Hashita
9955256 Beit Shemesh
Израиль

0

IPG Photonics Corporation

50 старой Webster Road
Oxford, MA 01540
United States

LAHAT Technologies LAHAT LTD

17 ATIR YEDA Street
KFAR SABA, 4464313
Израиль

Laser-Femto, Inc.

144 старые Lystra Road
Chapel Hill, NC 27517
United States

0

Laserglow Technologies

873 Ave veair

873 Toronto, Ontario
Canada M6C 1C4

0

LMD Power Light Corp. DBA Lasermaxdefense

3495 Winton Place
3495, NY 14623
Rochester, NY 14623
United States

Lumir Lasers

1405 Boulevard DU PARC Technologique, 2e Étage
Ciebec City, QC, G1P 4P5
Canada

Mirage Photonics

8 Sherwood Drive
Oaklands Park, SA 5046
Австралия

Opto-Knowledge Systems Inc.

19805 Hamilton Ave.
Torrance CA

Соединенные Штаты

0

0

Polaronyx

470 привод на берегу озера, люкс F
Sunnyvale CA 9085
United States

0

Power Technology Inc.

POO коробки 1

Little Rock, AR 72219-1117
США

0

Pranalytica Inc .

1101 Colorado Avenue
Santa Monica, CA

0

8

Sintec Optronics PTE Ltd (HQ)

10 Bukit Batok Crescent # 07-02
SPIRE
Singapore 658079

0

Thorlabs

56 Sparta Avenue
Newton, NJ 07860
США

Thorlabs производит ряд лазеров среднего ИК-диапазона, в том числе источник суперконтинуума среднего ИК-диапазона SC4500, Y-Fi OPA и MIR QCL «под ключ».Эти системы предлагаются вместе с портфолио фтористых волокон среднего ИК-диапазона и коммутационных кабелей без покрытия. Наши сверхбыстрые лазерные системы дополняются набором чирпированных зеркал, оптики с низким GDD и сопутствующими продуктами для измерения импульсов, предварительной компенсации и измерения дисперсии.

9

Tokyo Instruments, Inc.

6-18-14 Nishi-Kasai, Edogawa-Ku
Tokyo 134-0088
Япония

9

PTE Ltd

БЛК 2 Букит Баток ул.24, #06–01/03/09
Skytech Building
Сингапур 659480

Нажмите на запись компании, чтобы отметить ее.

Записи о продуктах поставщиков, имеющих рекламный пакет , отображаются с логотипом, описанием продукта и изображением продукта.

Инфракрасный диодный модуль высокой мощности 808 нм 500–1000 мВт, лазерные ИК-модули 808 нм

При работе устройства ночного видения с подсветкой, такого как ПЗС-камера, черно-белая камера или инфракрасная лазерная камера, высокая мощность 808 нм от 500 мВт до 1000 мВт Инфракрасный лазерный диодный модуль будет работать с очень четким и точным ИК-лазерным выравниванием точек.Интегрированный с импортной технологией инфракрасного лазерного диода 808 нм и металлическим корпусом, этот инфракрасный лазерный модуль высокой интенсивности обеспечивает улучшенную стабильность лазерного луча и обеспечивает высочайший уровень точности генерации ИК-точек для различных рабочих случаев.

◆ Широкий диапазон выходной мощности обеспечивает максимально четкое выравнивание ИК-точек на расстоянии.

Выбранный из 500 мВт, 600 мВт, 700 мВт, 800 мВт, 900 мВт и 1000 мВт, высокомощный 808-нм инфракрасный лазерный модуль сохраняет до 80% фотоэлектрической способности и сверхчеткую ИК-инфракрасную лазерную точечную проекцию для различных областей применения, включая инфракрасные лазерные приборы OEM, научные исследования, связь, спектральный анализ, лазерная медицинская терапия, ИК-осветитель ночного видения, ИК-лазерные устройства позиционирования и т. д.

◆ Регулируемый фокус обеспечивает высочайший уровень точности совмещения точек.

Инфракрасный лазерный диодный модуль высокой мощности 808 нм генерирует самый интенсивный и мощный инфракрасный лазерный луч из апертуры лазерного луча. Простая регулировка апертуры лазерного луча обеспечивает немедленную концентрацию ИК-лазерного света, мгновенно формируя инфракрасную лазерную точку самого компактного размера на расстоянии.

◆ Структура с длительным сроком службы обеспечивает высокую стабильность выравнивания точек в суровых условиях.

Изготовлен из авиационного материала корпуса из алюминиевого сплава и медного 808-нм ИК-лазерного диода, подлинное выравнивание ИК-точек с мощным 808-нм инфракрасным лазерным модулем гарантирует превосходную теплопроводность и сверхстабильную работу в широком диапазоне температур окружающей среды. Выравнивание точек ИК-лазера сохраняет высокую стабильность при механических ударах, калибровке или перемещении во время использования.

◆ Цепь управления APC, ACC обеспечивает постоянное эффективное выравнивание точек.

Температура трубки инфракрасного лазерного модуля высокой мощности 808 нм серьезно возрастает после простого подключения к источнику питания постоянного тока. Плата управления APC, ACC обеспечивает эффективное предотвращение серьезного воздействия электрического тока, обеспечивая постоянную и высокостабильную проекцию ИК-лазерной точки в течение 8-10 часов в день.

Основные характеристики:

◆ Блок питания постоянного тока принимает широкий диапазон электрического тока в пределах от 100 В до 240 В, обеспечивая удобное и быстрое создание ИК-точек при сильных помехах или сильном статике и т. д.
◆ Уменьшена вероятность перегорания или повреждения лазерного диода и электрической схемы управления при работе с профессиональным прибором или оборудованием с подсветкой ночного видения.
◆ Высокомощный инфракрасный лазерный модуль с длиной волны 808 нм, изготовленный из авиационного алюминиевого сплава, отличается простотой установки, низкими временными затратами и меньшим использованием ручного труда и навыков.
◆ CW модуляция

Технические параметры:

Артикул Инфракрасный лазерный диодный модуль высокой мощности
Длина волны (нм) 808 нм
Выходная мощность (мВт) 500 мВт, 600 мВт, 700 мВт, 800 мВт, 900 мВт, 1000 мВт
Диаметр луча в апертуре (мм) 2мм×6мм@2M
Расходимость луча (мрад) 6 мрад
Лучевой режим ТЭ
Фокус регулируется? Да
Рабочее напряжение (В) DC=9В
Рабочий ток (мА) I<1000 мА
Рабочая температура (℃) 10℃~30℃
Температура хранения (℃) -10℃~50℃
Размер Диаметр 26 мм × длина 250 мм
Ожидаемый срок службы (часы) ≥8000 часов
Гарантия 6 месяцев

Примечание:

Модуль инфракрасного лазерного диода высокой интенсивности 808 нм мощностью 500 мВт-1000 мВт поддерживает генерацию самого интенсивного и мощного инфракрасного лазерного излучения и лазерного отражения. Он позволяет работать только опытным пользователям или профессионалам с профессиональным оборудованием или устройством для выравнивания.

Любое воздействие на глаза мощного инфракрасного лазерного излучения с длиной волны 808 нм может привести к серьезной травме или повреждению глаз и кожи человека. Избегайте работы без лазерных мер безопасности. Не забудьте надеть защитные очки для инфракрасного лазера с длиной волны 808 нм при использовании любого мощного ИК-лазерного устройства с длиной волны 808 нм.

Источник питания:

Вход: 100–240 В переменного тока, 1,0 А, 50/60 Гц
Выход: 9 В постоянного тока, 1000 мА
Размеры: 70 мм × 46 мм × 27 мм
Длина входной линии переменного тока: 116 см
Длина выходной линии постоянного тока: 126 см

Упаковочный лист:
1.Модуль инфракрасного лазерного диода высокой мощности 808 нм
2. Источник питания постоянного тока

Внимание:  По вопросам мощных или OEM-модулей инфракрасных лазерных диодов 808 нм свяжитесь с нами бесплатно по адресу support@berlinlasers. com.

Лазерные диодные модули — Лазерный модуль

ЛД-1310-31Б
Лазерный диод, оптоволокно, 1310 нм, 1,5 мВт, 9/125 одномод, FC

В наличии

347 €

ЛД-1310-31Б
Лазерный диод, оптоволокно, 1310 нм, 1.5 мВт, 9/125 одномод, FC

ЛД-1550-21Б
Лазерный диод, оптоволокно, 1550 нм, 1,5 мВт, 9/125 одномод, FC
622 €

ЛД-1550-21Б
Лазерный диод, оптоволокно, 1550 нм, 1. 5 мВт, 9/125 одномод, FC

ЛД-635-11А
Лазерный диод, оптоволокно, 635 нм, 0,3 мВт, 4/125 одномод, FC

В наличии

429 €

ЛД-635-11А
Лазерный диод, волокно с косичками, 635 нм, 0.3 мВт, 4/125 Одномодовый, FC

ЛД-635-21Б
Лазерный диод, оптоволокно, 635 нм, 1,2 мВт, 9/125 одномод, FC

В наличии

437 €

ЛД-635-21Б
Лазерный диод, волокно с косичками, 635 нм, 1.2 мВт, 9/125 одномод, FC

ЛД-635-31А
Лазерный диод, оптоволокно, 635 нм, 1,0 мВт, 4/125 одномод, FC
566 €

ЛД-635-31А
Лазерный диод, волокно с косичками, 635 нм, 1.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *