Транзистор мощный: Справочник по транзисторам мощным отечественным биполярным. Импортные аналоги.

Справочник по транзисторам мощным отечественным биполярным. Импортные аналоги.

								На главную страницу || Карта сайта Справочник транзисторов маломощных биполярных. Справочник транзисторов средней мощности высокочастотных, биполярных. Справочник полевых транзисторов отечественных. Справочник отечественных smd транзисторов . Каталог MOSFET транзисторов . Использование справочных данных транзисторов для расчета ключевой схемы с резистивной нагрузкой. Использование справочных данных транзистора для расчета ключевой схемы с индуктивной нагрузкой.
								От составителя: В справочник по мощным транзисторам вошла как документация из изданных еще при СССР каталогов, так и информация из справочных листков и документация с сайтов производителей. Основой является таблица, где приведено наименование транзистора, аналоги, тип проводимости, тип корпуса, максимально допустимые ток и напряжения и коэффициент усиления, то есть основные параметры, по которым выбирается транзистор. Руководствуясь этой таблицей, можно значительно сузить область поиска. Если транзистор по этим данным подходит, можно просмотреть краткий справочный листок (только для распространенных приборов, например, КТ502, КТ503, КТ814, КТ815, КТ816, КТ817, КТ818, КТ819, КТ825, КТ827, КТ829, КТ837, КТ838, КТ846, КТ940, КТ961, КТ972, КТ973, КТ8101, КТ8102), где приведены только основные параметры транзисторов (которых, впрочем, достаточно для грубых расчетов), фото с цоколевкой, аналоги и производители. Для более детального изучения характеристик нужно открыть datasheet, где уже есть графики зависимостей параметров и редко требующиеся характеристики. Фильтр параметров позволяет сформировать в справочнике списки по функциональным особенностям транзисторам Содержание: Раздел составных транзисторов (всего 49 штук) Раздел мощных высоковольтных транзисторов (всего 64 штук) Раздел p-n-p транзисторов (всего 56 штук) Раздел n-p-n транзисторов (всего 138 штук) Показать/скрыть краткое описание транзисторов Всего в справочнике приведено подробное описание более 140 отечественных мощных транзисторов и более 100 их импортных аналогов.
Фильтр параметров: n-p-n   p-n-p   Составные транзисторы   Высоковольтные   Показать все
Типы корпусов
Наименование	Аналог	Корпус	PDF	Тип	Imax, A	Umax, В	h31e max
КТ501(А-Е)	BC212	TO-18		pnp	0,3	30	240	КТ501 предназначен для применения в усилителях низкой частоты. Справочные данные транзистора КТ501 содержатся в даташит.
КТ502(А-Е)	MPSA56	TO-92		pnp	0,15	90	240	Транзистор КТ502(А-Е) в корпусе ТО-92, предназначен для применения в усилителях низкой частоты. Подробные параметры КТ502 и цоколевка приведены в даташит. Аналог КТ502 — MPSA56. Комплементарная пара КТ503.
КТ503(А-Е)	2SC2240	TO-92		npn	0,15	100	240	Универсальный транзистор КТ503(А-Е) в корпусе TO-92, предназначен для работы в усилителях НЧ. Подробные характеристики, графики зависимостей параметров и цоколевка КТ503 приведены в datasheet. Аналог КТ503 — 2SC2240. Комплементарная пара (транзистор обратной проводимости с близкими параметрами) — КТ502.
КТ504(А,Б,В)	BSS73	TO-39		npn	1	350	100	КТ504(А-В) в металлическом корпусе, для применения в преобразователях. Цоколевка и характеристики КТ504 содержатся в datasheet. Импортный аналог КТ504 — BSS73.
KТ505(А,Б)	BSS76	TO-39		pnp	1	300	100	КТ505(А,Б) в металлическом корпусе предназначен для применения в источниках вторичного электропитания (ИВЭП). Параметры и характеристики приведены в справочном листке.
КТ506(А,Б)	BUX54	TO-39		npn	2	800	30	КТ506А и КТ506Б для  переключающих устройств. Импортным аналогом КТ506 является BUX54.
2Т509А		TO-39		pnp	0,02	450	60	2Т509 для высоковольтных стабилизаторов напряжения.
КТ520(А,Б)	MPSA42	TO-92 DPAK		npn	0.5	300	40	Высоковольтный транзистор КТ520 используется в выходных каскадах видеоусилителей и высоковольтных переключательных схемах.
КТ521(А,Б)	MPSA92	TO-92		pnp	0.5	300	40	Высоковольтный транзистор КТ521 является комплиментарной парой для КТ520.
КТ529А		TO-92		pnp	1	60	250	КТ529, его параметры рассчитаны под схемы с низким напряжением насыщения. Комплементарная пара — КТ530.
КТ530А		TO-92		npn	1	60	250	Описание транзистора КТ530. Его характеристики аналогичны КТ529, является его комплементарной парой.
КТ538А	MJE13001	TO-92		npn	0.5	600	90	Высоковольтный КТ538 используется в высоковольтных переключательных схемах. Подробно параметры описаны в справочном листке.
КТ704(А-В)	MJE18002			npn	2,5	500	100	КТ704, предназначен для применения в импульсных высоковольтных модуляторах.
ГТ705(А-Д)				npn	3,5	30	250	ГТ705 предназначен для применения в усилителях мощности НЧ.
2Т708(А-В)	2SB678	TO-39		pnp	2,5	100	1500	составной транзистор 2Т708 предназначен для применения в усилителях и переключательных устройствах.
2Т709(А-В)	BDX86	TO-3		pnp	10	100	2000	мощный составной транзистор 2Т709 для усилителей и переключательных устройств. Подробно характеристики описаны в справочном листке.
КТ710А		TO-3		npn	5	3000	40	КТ710А для применения в высоковольтных стабилизаторах и переключающих устройствах.
КТ712(А,Б)	BU806	TO-220		pnp	10	200	1000	мощные составные транзисторы КТ712А и КТ712Б. Характеристики заточены для применения в источниках вторичного электропитания и стабилизаторах.
2Т713А		TO-3		npn	3	2500	20	2Т713, параметры адаптированы для применения в высоковольтных стабилизаторах
2Т716 (А-В)	2SD472H	TO-3		npn	10	100	750	2Т716 для применения в усилителях и переключающих устройствах.
2Т716 (А1-В1)	BDX33	TO-220		npn	10	100	750	составной 2Т716А1 в пластиковом корпусе. Параметры аналогичны 2Т716.
КТ719А	BD139	TO-126		npn	1,5	120	70	КТ719А для применения в линейных и переключающих схемах. Подробные характеристики и описание КТ719 приведено в справочном листке.
КТ720А	BD140			pnp	1,5	100
КТ721А	BD237			npn	1,5	100		BD237, импортный аналог КТ721А
КТ722А	BD238			pnp	1,5	100		Справочные данные BD238, аналога КТ722А
КТ723А	MJE15028			npn	10	100		Справочные данные MJE15028, импортного аналога КТ723
КТ724А	MJE15029			pnp	10	100		Справочные данные MJE15029, аналога КТ724А
КТ729	2N3771			npn	30	60		Параметры 2N3771, аналога КТ729
КТ730	2N3773			npn	16	140		Характеристики 2N3773, аналога КТ730
КТ732А	MJE4343	TO-218		npn	16	160	15	КТ732 используется в преобразователях напряжения.
КТ733А	MJE4353	TO-218		pnp	16	160	15	КТ733 — Комплементарная пара для КТ732, их характеристики идентичны.
КТ738А	TIP3055	TO-218		npn	15	70	70	КТ738 используется в усилителях и ключевых схемах.
КТ739А	TIP2955	TO-218		pnp	15	70	70	КТ739 — Комплементарная пара для КТ738.
КТ740А,А1	MJE4343	TO-220 TO-218		npn	20	160	30	КТ740 предназначен для применения в регуляторах и преобразователях напряжения. Импортный аналог КТ740 — MJE4343
КТ805(А-ВМ)	KSD363 BD243	TO-220		npn	5	160	15	КТ805АМ, КТ805БМ, КТ805ВМ в корпусе ТО-220 предназначен для применения в выходных каскадах строчной развертки и переключающих устройствах. Подробные характеристики транзистора КТ805 приведены в datasheet. Транзисторы КТ805А, КТ805Б с аналогичными параметрами выпускаются в металлостеклянном корпусе. Импортные аналоги для КТ805 — транзисторы BD243 и KSD363. По характеристикам в качестве комплиментарной пары для КТ805 подходит транзистор КТ837.
КТ807(А-БМ)				npn	0,5	100	150	КТ807 для строчной и кадровой разверток, усилителей НЧ и ИВЭП (ИВЭП — источник вторичного электропитания)
КТ808(А-ГМ)		TO-3		npn	10	130	50	КТ808 для кадровой и строчной разверток
КТ812(А-В)		TO-3		npn	10	700	30	КТ812 для применения в импульсных устройствах. Цоколевка приведена в справочном листке.
КТ814(А-Г)	BD140 ZTX753	TO-126 DPAK		pnp	1,5	100	100	Транзистор КТ814. предназначен для усилителей НЧ, импульсных устройств. Подробные характеристики КТ814 и цоколевка приведены в datasheet. Там же графики: входной характеристики, зависимости h31e от тока эмиттера, напряжения насыщения от тока коллектора и другие. Импортный аналог КТ814 — транзистор BD140. Комплементарная пара для КТ814 (транзистор обратной проводимости с близкими характеристиками) — КТ815.
КТ815(А-Г)	BD139 ZTX653	TO-126 DPAK		npn	1,5	100	100	КТ815 является комплиментарной парой для КТ814. Транзисторы КТ815А, КТ815Б, КТ815В, КТ815 параметрами отличаются по напряжению. КТ815 предназначен для усилителей НЧ и ключевых схем. Подробные характеристики КТ815 и цоколевку см. в datasheet. Приведена входная характеристика КТ815, график зависимости h31e от тока, график для напряжения насыщения. Импортным аналогом КТ815 является транзистор BD139.
КТ816(А-Г)	BD238 MJE172	TO-126 DPAK		pnp	3	80	100	КТ816 в два раза мощнее по току, чем КТ814, предназначены для применения в ключевых и линейных схемах. Транзисторы КТ816А, КТ816Б, КТ816В, КТ816Г отличаются по предельному напряжению. Подробные характеристики КТ816 и цоколевка приведены в datasheet. Там же график входной характеристики КТ816, зависимости усиления от тока, графики для напряжения насыщения. Импортным аналогом КТ816 является транзистор BD238. Комплементарная пара — КТ817.
КТ817(А-Г)	BD237 MJE182	TO-126 DPAK		npn	3	80	100	КТ817 в два раза мощнее по току, чем КТ815. Применяются в ключевых и линейных схемах. Транзисторы КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817 параметрами отличаются по Uкэ(max). Подробные характеристики КТ817 и цоколевка даны в datasheet. Кроме характеристик по постоянному току приведены графики входной характеристики, зависимости параметра h31e от тока, взаимосвязи параметров Uкэнас и Iк . Аналоги КТ817Б — транзисторы BD233 и MJE180. Аналоги КТ817В — BD235 и MJE181, импортные аналоги КТ817Г — BD237 и MJE182. Комплементарная пара — КТ816.
КТ818(А-ГМ)	BDW22 BD912	TO-220 TO-3		pnp	10 15	100	100	Мощный транзистор КТ818 предназначен для применения в усилителях. КТ818А, КТ818Б, КТ818В и КТ818Г в корпусе TO-220, а КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ и КТ818ГМ в металлическом корпусе. Подробные характеристики КТ818 и цоколевка приведены в datasheet. Там же графики зависимостей параметров, входная и выходная характеристика. Импортные аналоги КТ818 — BDW22 и BD912. Комплементарная пара — транзистор КТ819.
КТ819(А-ГМ)	BDW51 BD911	TO-220 TO-3		npn	10 15	100	100	Транзистор КТ819 является комплементарной парой для КТ818 и предназначен для применения в усилителях. Транзисторы КТ819А, КТ819Б, КТ819В и КТ819Г в корпусе TO-220, а КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ и КТ819ГМ в корпусе TO-3. Подробные параметры КТ819 и цоколевка приведены в datasheet. Там же графики зависимостей, входная и выходная характеристика. Импортные аналоги КТ819 — BDW51 и BD911.
КТ825(Г-Е)	2Т6050	TO-220 TO-3		pnp	15 20	100	18000	Мощный составной pnp транзистор КТ825 для применения в усилителях и переключающих устройствах. 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В, КТ825Г, КТ825Д и КТ825Е в металлическом корпусе. Подробные характеристики приведены в datasheet. Различие в параметрах по напряжению. Комплементарная пара для КТ825 — транзистор КТ827. Импортный аналог — 2T6050.
КТ826(А-В)		TO-3		npn	1	700	120	Биполярный транзистор КТ826 для применения в преобразователях и высоковольтных стабилизаторах. Описание КТ826 и характеристики приведены в документации.
КТ827(А-В)	2N6057 BDX87	TO-3		npn	20	100	18000	Мощный составной npn транзистор КТ827 для применения в усилителях, стабилизаторах тока, устройствах автоматики. В металлическом корпусе. Подробные характеристики КТ827А, КТ827Б, КТ827В приведены в даташит. Различаются параметрами по напряжению. Комплементарная пара для КТ827 — транзистор КТ825. Импортный аналог — 2N6057.
КТ828(А-Г)	BU207	TO-3		npn	5	800	15	характеристики КТ828, графики и параметры см. в даташит
КТ829(А-Г)	TIP122 2N6045	TO-220		npn	8	100	3000	Составной транзистор КТ829 для применения в усилителях НЧ и переключательных устройствах. Графики входных характеристик. Подробные характеристики транзисторов КТ829А, КТ829Б, КТ829В,КТ829Г в datasheet . Аналоги КТ829 — транзисторы TIP122 и 2N6045.
2Т830(А-Г)	2N5781	TO-39		pnp	2	90	160	транзистор 2Т830 для применения в усилителях мощности и ИВЭП. Аналог 2Т830 — 2N5781.
2Т831(А-В)	2N4300	TO-39		npn	2	50	200	2Т831 для усилителей НЧ и преобразователей.
КТ834(А-В)	BU323	TO-3		npn	15	500	3000	составной транзистор КТ834 для источников тока и напряжения.
КТ835(А,Б)	2N6111	TO-220		pnp	7,5	30	100	транзистор КТ835 для усилителей и преобразователей. Аналог КТ835 — импортный 2N6111
2Т836(А-В)	BD180	TO-39		pnp	3	90	100	2Т836 для усилителей мощности и ИВЭП.
КТ837(А-Ф)	2N6108 2N6111	TO-220		pnp	8	70	200	pnp транзистор КТ837 предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах. Корпус пластмассовый TO-220. Подробные параметры КТ837А, КТ837Б, КТ837В, КТ837Г, КТ837Д, КТ837Е-Ф указаны в файле. Аналог для КТ837 — транзистор 2N6108 с близкими характеристиками.
КТ838А	2SD1554 BU208	TO-3		npn	5	1500	14	Высоковольтный транзистор КТ838А для строчной развертки телевизоров . Характеристики КТ838А приведены в файле. Импортные аналоги — 2SD1554 и BU208.
КТ839А	2SC1172 MJ16212	TO-3		npn	10	1500	12	Характеристики и параметры КТ839 аналогичны транзистору КТ838, но круче по току.
КТ840(А,Б)	BUX97	TO-3		npn	6	400	100	Биполярный транзисторы КТ840А и КТ840Б для применения в переключающих устройствах. Подробные параметры приведены в файле.
КТ841(А-В)	MJ413 2N3442	TO-3		npn	10	600	35	Мощный биполярный транзистор КТ841 для применения в мощных преобразователях. Подробные параметры транзисторов КТ841А, КТ841Б, КТ841В в даташит.
КТ842(А,Б)	2SB506	TO-3		pnp	5	300	30	Биполярный транзистор КТ842 для применения в мощных преобразователях и линейных стабилизаторах напряжения.
КТ844А	MJ15011	TO-3		npn	10	250	60	КТ844 предназначен для импульсных устройств, подробное описание приведено в datasheet
КТ845А		TO-3		npn	5	400	100	КТ845А разработан для применения в импульсных устройствах.
КТ846А	BU208	TO-3		npn	5	1500	15	Высоковольтный биполярный транзистор КТ846А, входные характеристики, графики приведены в datasheet.
КТ847А	BUX48 2N6678	TO-3		npn	15	650	100	Подробное описание КТ847А, входные и выходные характеристики. Аналогом для КТ847 является BUX48.
КТ848А	BUX37	TO-3		npn	15	400	1000	Составной транзистор КТ848А для систем электронного зажигания. Характеристики КТ848 в прикрепленном файле. Аналог КТ848 — BUX37.
КТ850(А-В)	2SD401	TO-220		npn	2	250	200	КТ850 заточен для применения в усилителях мощности и переключающих устройствах. Подробное описание КТ850А, КТ850Б, КТ850В и графики  приведены в datasheet .
КТ851(А-В)	2SB546	TO-220		pnp	2	200	200	КТ851 для усилителей НЧ и переключающих устройств. Параметры КТ851А, КТ851Б, КТ851В см. в файле pdf
КТ852(А-Г)	TIP117	TO-220		pnp	2	100	1500	Составной КТ852 для усилителей и переключающих устройств. Параметры КТ852А в даташит.
КТ853(А-Г)	TIP127 2N6042	TO-220		pnp	8	100	750	Составной pnp транзистор КТ853. Предназначен для применения в усилительных схемах. Параметры КТ853А, КТ853Б, КТ853В, КТ853Г см. в pdf файле.
КТ854(А,Б)	MJE13006	TO-220		npn	10	500	50	КТ854 для применения в преобразователях и линейных стабилизаторах. Справочные данные приведены в datasheet.
КТ855(А-В)	MJE9780	TO-220		pnp	5	250	100	КТ855 для применения в преобразователях, линейных стабилизаторах. Аналог с близкими характеристиками — MJE9780.
2Т856(А-В)	BUX48	TO-3		npn	10	950	60	2Т856 для переключательных устройств. Аналог — BUX48.
КТ856(А1,Б1)	BUV48	TO-218		npn	10	600	60	КТ856 для применения в усилителях и переключающих устройствах. Справочные данные КТ856А1, КТ856Б1 см. в datasheet .
КТ857А	BU408	TO-220		npn	7	250	50	КТ857 для применения в усилителях и переключающих устройствах. Аналог — BU408.
КТ858А	BU406	TO-220		npn	7	400	60	транзистор КТ858 предназначен для применения в переключающих устройствах. Аналог — BU406. Подробное описание смотри в datasheet .
КТ859А	MJE13005	TO-220		npn	3	800	60	Высоковольтный КТ859 заточен для переключающих устройств. Параметры и цоколевка КТ859 приведены в datasheet. Импортный аналог с близкими характеристиками — MJE13005.
2Т860(А-В)		TO-39		pnp	2	90	100	2Т860 предназначен для усилителей мощности и преобразователей.
2Т862(А-Г)		TO-3		npn	15	400	100	2Т862 для применения в импульсных модуляторах и переключающих устройствах.
КТ863Б,В	D44Vh20	TO-220		npn	10	160	300	Транзистор КТ863 предназначен для применения в преобразователях, фотовспышках. Справочные характеристики см. в datasheet. Аналог КТ863 — D44Vh20.
КТ863БС	D44Vh20	TO-220 TO-263		npn	12	160	300	КТ863БС — более свежая разработка. Модификация КТ863БС1 предназначена для поверхностного монтажа.
КТ864А	2N3442	TO-3		npn	10	200	100	КТ864 для применения в ИВЭП, усилителях и стабилизаторах.
КТ865А	2SA1073	TO-3		pnp	10	200	60	Область применения транзистора КТ865 та же, что и у КТ864.
КТ867А	TIP35	TO-3		npn	25	200	100	КТ867 для применения в ИВЭП. В описании транзистора приведены графики зависимости коэффициента усиления от тока и график области максимальных режимов.
КТ868(А,Б)	BU426			pnp	6	400	60	КТ868 предназначен для применения в источниках питания телевизоров. Подробные характеристики см. в datasheet. Функциональный аналог КТ868 — BU426.
КТ872(А-В)	BU508 MJW16212	TO-218		npn	8	700	16	Высоковольтный npn транзистор КТ872 для применения в строчной развертке телевизоров. Подробное описание КТ872 приведено в справочном листе. Аналоги КТ872 — транзисторы BU508 и MJV16212.
2Т875(А-Г)	2SD1940	TO-3		npn	10	90	200	2Т875 для применения в усилителях и переключающих устройствах.
2Т876(А-Г)	MJE2955	TO-3		pnp	10	90	140	2Т876 для применения в усилителях и переключающих устройствах.
2Т877(А-В)	2N6285	TO-3		pnp	20	80	10000	Составной транзистор 2Т877 для применения в усилителях и переключающих устройствах.
КТ878(А-В)	BUX98	TO-3		npn	30	900	50	КТ878 для применения в переключающих устройствах, ИВЭП.
КТ879				npn	50	200	25	КТ879 для применения в переключающих устройствах.
2Т880(А-В)	2N6730			pnp	2	100	140	2Т880 — для усилителей и переключательных устройств.
2Т881(А-Г)	2N5150			npn	2	100	200	2Т881 — применение аналогично 2Т880
2Т882(А-В)		TO-220		npn	1	300	100	2Т882 в корпусе ТО-220 для применения в усилителях и переключающих устройствах. Цоколевка и характеристики приведены в pdf.
2Т883(А,Б)		TO-220		pnp	1	300	100	2Т883 для усилителей и переключающих устройств. Корпус ТО-220.
2Т884(А,Б)		TO-220		npn	2	800	40	2Т884 для применения в усилителях и переключающих устройствах. Подробные параметры см. в datasheet .
2Т885(А,Б)		TO-3		npn	40	500	12	мощный транзистор 2Т885 предназначен для применения в ИВЭП.
КТ886(А1,Б1)	MJW16212	TO-218		npn	10	1400	25	Высоковольтный транзистор КТ886 для применения в строчной развертке и ИВЭП. Характеристики см. в файле pdf. Аналог для КТ886 — MJW16212.
КТ887 А,Б		TO-3		pnp	2	700	120	КТ887 для переключательных схем, стабилизаторов напряжения.
КТ888 А,Б		TO-39		pnp	0,1	900	120	Высоковольтный транзистор КТ888 для применения в преобразователях и стабилизаторах напряжения ИВЭП.
КТ890(А-В)	BU323	TO-218		npn	20	350	700	Составной транзистор КТ890 предназначен для применения в схемах зажигания авто. Подробные характеристики КТ890А, КТ890Б и КТ890В приведены в pdf. Аналогом для КТ890 является BU323.
КТ892(А-В)	BU323A	TO-3		npn	15	400	300	мощный транзистор КТ892 предназначен для применения в схемах зажигания авто и других схемах с индуктивной нагрузкой.
КТ896 (А,Б)	BDW84	TO-218		pnp	20	80	10000	Составной мощный транзистор КТ896 для применения в линейных и переключающих схемах. Характеристики КТ896А и КТ896Б см. в datasheet файле. Аналог для КТ896 — BDW84.
КТ897(А,Б)	BU931Z	TO-3		npn	20	350	4000	Составной транзистор КТ897 для схем зажигания авто и других схем с индуктивной нагрузкой. Аналог для КТ897 — BU931.
КТ898 (А,Б)	BU931P	TO-218		npn	20	350	1500	Составной транзистор КТ898 для применения в ИВЭП. Параметры оптимизированы для работы на индуктивную нагрузку. Аналог КТ898 — BU931. Подробные характеристики КТ898А и КТ898Б см. в datasheet.
КТ899А	BU806	TO-220		npn	8	150	1000	Составной транзистор КТ899 для применения в усилительных и переключательных устройствах. Аналог с близкими характеристиками — BU806.
КТ8101(А,Б)	MJE4343 2SC3281	TO-218		npn	16	200	100	мощный транзистор КТ8101 предназначен для применения в усилителях НЧ, стабилизаторах и преобразователях. Подробные характеристики КТ8101А и КТ8101Б см. в datasheet. Аналог для КТ8101 — транзистор MJE4343. Комплементарная пара — КТ8102.
КТ8102(А,Б)	MJE4353 2SA1302	TO-218		pnp	16	200	100	Мощный транзистор КТ8102, область применения аналогична КТ8101, являющемуся его комплиментарной парой. Характеристики КТ8102А, КТ8102Б приведены в datasheet . Импортный аналог для КТ8102 — MJE4353.
КТ8106 (А,Б)	MJH6286	TO-218		npn	20	80	3000	Составной транзистор КТ8106 для применения в усилителях мощности и переключающих схемах. Аналог для КТ8106 — MJH6286.
КТ8107(А-В)	BU208	TO-218		npn	8	700	12	КТ8107 для применения в каскадах строчной развертки, ИВЭП, высоковольтных схемах. Подробные параметры в datasheet. Импортный аналог для КТ8107 — BU208.
КТ8109	TIP151	TO-220		npn	7	350	150	Составной транзистор КТ8109 для схем зажигания авто. Справочные данные см. в datasheet.
КТ8110 (А-В)	BUT11			npn	7	400	30	Справочные данные BUT11, импортного аналога КТ8110.
КТ8111(А9-Б9)	BDV67	TO-218		npn	20	100	750	Составной мощный транзистор КТ8111 для применения в усилителях НЧ, стабилизаторах тока и напряжения, переключателях. Аналог — BDV67.
КТ8115(А-В)	BD650 TIP127	TO-220		pnp	8 5	100	1000	Составной pnp транзистор КТ8115А для применения в усилительных и преобразователях напряжения. Аналог для КТ8115 — BD650. Комплементарная пара — КТ8116.
КТ8116(А-В)	TIP132	TO-220 DPAK		npn	8 5	100	1000	Составной транзистор КТ8116, область применения аналогична КТ8115, являющимся его комплементарной парой.
КТ8117А	BUV48	TO-218		npn	10	400	10	мощный транзистор КТ8117 предназначен для ИВЭП, управления двигателями, стабилизаторов тока.
КТ8118А	MJE8503	TO-220		npn	3	800	40	КТ8118 для высоковольтных переключательных схем, усилителей постоянного тока.
КТ8120А		TO-220		npn	8	450	10	КТ8120 для ИВЭП, схем управления электродвигателями.
КТ8121А,Б		TO-220		npn	4	400	60	КТ8121 для высоковольтных переключающих схем, преобразователей
КТ8123А		TO-220		npn	2	150	40	КТ8123 для схем вертикальной развертки ТВ, усилителей.
КТ8124(А-В)		TO-220		npn	10	400	7	Справочные данные КТ8124, предназначенного для применения в горизонтальной развертке ТВ, переключательных схемах.
КТ8126(А1,Б1)	MJE13007	TO-220		npn	8	400	30	мощный транзистор КТ8126 для применения в горизонтальной развертке ТВ, преобразователях. Справочные данные приведены в datasheet .
КТ8130 (А-В)	BD676			pnp	4	80	15000
КТ8131 (А,Б)	BD677			npn	4	80	15000
КТ8133 (А,Б)				npn	8	240	3000
КТ8137А	MJE13003	TO-126		npn	1,5	700	40	Для применения в строчной развертке ТВ, управления двигателями.
КТ8141 (А-Г)				npn	8	100	750
КТ8143 (А-Ш)		КТ-9М		npn	80	300	15	биполярный мощный высоковольтный n-p-n транзистор с диодом КТ8143 для низковольтных источников питания бортовой аппаратуры
КТ8144(А,Б)		TO-3		npn	25	800	55
КТ8146(А,Б) КТ8154(А,Б) КТ8155(А-Г)		ТО-3		npn	15 30 50	800 600 600		мощный высоковольтный транзистор для применения в источниках питания
КТ8156(А,Б)	BU807	TO-220		npn	8	200	1000	КТ8156 предназначен для применения в горизонтальных развертках малогабаритных ЭЛТ.
КТ8157(А-В)		TO-218		npn	15	1500	8	для строчных разверток ТВ с увеличенной диагональю экрана
КТ8158(А-В)	BDV65	TO-218		npn	12	100	1000	КТ8158, параметры заточены для применения в усилителях НЧ, в ключевых и линейных схемах.
КТ8159(А,Б,В)	BDV64	TO-218		pnp	12	100	1000	КТ8159, Комплементарная пара для КТ8158, параметры и область применения аналогичные.
КТ8163А				npn	7	500	40
КТ8164(А,Б)	MJE13005	TO-220		npn	4	400	60	Высоковольтный транзистор КТ8164 для импульсных источников питания.
КТ8167 (А-Г)				pnp	2	80	250
КТ8168 (А-Г)				npn	2	80	250
КТ8170(А1,Б1)	MJE13003	TO-126		npn	1. 5	400	40	Высоковольтный транзистор КТ8170 для применения в импульсных источниках питания.
КТ8171 (А,Б)				npn	20	350	10000
КТ8176(А,Б,В)	TIP31	TO-220		npn	3	100	50	КТ8176 для усилителей и переключательных схем.
КТ8177(А,Б,В)	TIP32	TO-220		pnp	3	100	50	КТ8177 для усилителей и переключательных схем. Комплементарная пара для КТ8176.
КТ8192 (А-В)		ISOTOP		npn	75	1500	10	мощный npn транзистор КТ8192 для применения в электроприводе
КТ8196 (А-В)				npn	10	350	400
КТ8212(А,Б,В)	TIP41	TO-220		npn	6	100	75	КТ8212 для линейных и ключевых схем.
КТ8213(А,Б,В)	TIP42	TO-220		pnp	6	100	75	Комплементарная пара для КТ8212.
КТ8214(А,Б,В)	TIP112	TO-220		npn	2	100	1000	Составной транзистор КТ8214 предназначен для применения в ключевых и линейных схемах.
КТ8215(А,Б,В)	TIP117	TO-220		pnp	2	100	1000	Составной транзистор КТ8215 — Комплементарная пара КТ8214.
КТ8216 (А-Г)	MJD31B			npn	2	800	275
КТ8217 (А-Г)	MJD32B			pnp	10	100	275
КТ8218 (А-Г)				npn	4	100	750
КТ8219 (А-Г)				pnp	4	40	750
КТ8224(А,Б)	BU2508	TO-218		npn	8	700	7	Высоковольтный транзистор КТ8224 для применения в высоковольтных схемах ТВ приемников. Аналог — BU2508. Интегральный демпфирующий диод и резистор база-эмиттер.
КТ8228(А,Б)	BU2525	TO-218		npn	12	800	10	Высоковольтный транзистор КТ8228 для применения в высоковольтных схемах ТВ приемников. Белорусский аналог BU2525. Диод между коллектором э эмиттером, резистор между базой-эмиттером.
КТ8229А	TIP35F	TO-218		npn	25	180	75	КТ8229 для линейных и ключевых схем.
КТ8230А	TIP36F	TO-218		pnp	25	180	75	КТ8230 -Комплементарная пара для КТ8229.
КТ8231А	BU941			npn	15	500	300	datasheet на транзистор BU941
КТ8232 (А,Б)	BU941ZP	TO-218		npn	20	350	300	КТ8232 для применения в переключательных и импульсных схемах, параметры оптимизированы для схем зажигания.
КТ8246(А-Г)	КТ829	TO-220		npn	15	150	9000	Составной транзистор КТ8246 для применения в автотракторных регуляторах напряжения.
КТ8247А	BUL45D	TO-220		npn	5	700	22	Высоковольтный транзистор КТ8247 для применения в преобразователях напряжения. Аналог — BUL45. Интегральный демпфирующий диод и резистор база-эмиттер.
КТ8248А	BU2506	TO-218		npn	5	1500	60	Высоковольтный транзистор КТ8247 для применения в строчных развертках ТВ. Аналог — BU2506. Интегральный демпфирующий диод и резистор база-эмиттер.
КТ8251А	BDV65	TO-218		npn	10	180	1000	Составной npn транзистор КТ8251 для применения в линейных усилителях и ключевых преобразователях напряжения.
КТД8252(А-Г)	BU323Z	TO-220 TO-218		npn	15	350	2000	для работы на индуктивную нагрузку
КТ8254А				npn	2	800	30
КТ8255А	BU407	TO-220		npn	7	330	200	КТ8255 для применения линейных и ключевых схемах.
КТД8257(А-В)	SGSD96	TO-220		npn	20	180	1000	для применения в усилителях НЧ и переключающих устройствах.
КТ8258(А,Б)	MJE 13004	TO-220		npn	4	400	80	для использования в преобразователях, в линейных и ключевых схемах, аналог транзистора 13004
КТ8259(А,Б)	MJE13007 13007	TO-220		npn	8	400	80	для использования в преобразователях, в линейных и ключевых схемах, отечественный аналог импортного транзистора 13007
КТ8260(А-В)	MJE13008	TO-220		npn	15	500	15	для ИВЭП, преобразователей, аналог транзистора 13008.
КТ8261А	BUL44	TO-126		npn	2	400	20	КТ8261 для применения в преобразователях напряжения.
КТД8262(А-В)	SEC80	TO-220		npn	7	350	300	Для систем зажигания автотракторной техники
КТ8270А	MJE13001	TO-126		npn	0.5	600	90	КТ8270 для использования в преобразователях напряжения. Подробные справочные данные приведены в datasheet.
КТ8271(А,Б,В)	BD136	TO-126		pnp	1.5	80	250	КТ8271 для преобразователей напряжения. Подробные параметры приведены в datasheet.
КТ8272(А,Б,В)	BD135	TO-126		npn	1.5	80	250	КТ8272 для линейных усилителей и преобразователей напряжения. Комплементарная пара для КТ8271
КТД8278(А-В1)	SGSD93ST	TO-220		npn	20	180	1000	Для усилителей НЧ, переключательных устройств.
КТД8279(А-В)	2SD1071	TO-220 TO-218		npn	10	350	300	для работы на индуктивную нагрузку, в системах зажигания.
КТД8280(А-В)		TO-218		npn	60	120	1000	Составной транзистор КТД8280 для преобразователей напряжения, схем управления двигателями, источников бесперебойного питания.
КТД8281(А-В)		TO-218		pnp	60	120	1000	Составной транзистор КТД8281 для преобразователей напряжения, схем управления двигателями.
КТ8283(А-В)		TO-218		pnp	60	120	100	для преобразователей, схем управления двигателями. Параметры описаны в даташит.
КТ8284(А-В)	КТ829	TO-220		npn	12	100	500	для автотракторных регуляторов напряжения, линейных схем.
КТ8285(А-В)	BUF410	TO-218 TO-3		npn	30	450	40	для преобразователей напряжения, ИВЭП. Характеристики описаны в даташит.
КТ8286(А-В)	2SC1413	TO-218 TO-3		npn	5	800	40	для усилителей низкой частоты, переключающих устройствах, мощных регуляторах напряжения. Подробные характеристики см. в datasheet
КТ8290А	BUh200	TO-220		npn	10	700	15	Высоковольтный биполярный транзистор КТ8290 для использования в импульсных источниках питания.
КТ8296(А-Г)	KSD882	TO-126		npn	3	30	400	КТ8296 для использования в импульсных источниках питания, ключевых схемах и линейных усилителях.
КТ8297(А-Г)	KSD772	TO-126		pnp	3	30	400	КТ8297 — Комплементарная пара (транзистор с близкими характеристиками, но обратной проводимости) для КТ8296.
КТ8304А,Б		TO-220 D2PAK		npn	8	160	250	КТ8304 с демпферным диодом для автомобильных регуляторов напряжения.
ПИЛОН-3	TIP122	TO-220		npn	15	100	1000	для применения в переключающих схемах и преобразователях напряжения. Импортный аналог с близкими характеристиками — транзистор TIP122.
ПИР-1	BUV48	TO-218		npn	20	450	8	ПИР-1 для ключевых схем с индуктивной нагрузкой и усилителей с высокой линейностью.
ПИР-2	MJE4343	TO-220 TO-218		npn	20	160	30	ПИР-2 для линейных усилителей и ключевых схем.
								Справочник составлен в 2007 году, затем дополнялся и дорабатывался вплоть до 2015г. Соавторы: WWW и Ко

Справочник мощных импортных полевых транзисторов.

Особенностью справочника является то, что импортные полевые транзисторы взяты из прайсов интернет-магазинов.							Справочник предназначен для подбора полевых транзисторов по электрическим параметрам, для выбора замены (аналога) транзистору с известными характеристиками. За основу спраочника взяты отечественные транзисторы, расположенные в порядке возрастания напряжения и тока. Импортные MOSFET транзисторы в справочник взяты из прайс-листов магазинов. Импортные и отечественные транзисторы, расположенные в одной колонке, имеют близкие параметры, хотя и не обязательно являются полными аналогами.
							MOSFET транзисторы обладают следующими достоинствами: малая энергия, которую нужно затратить для открывания транзистора. Этот параметр хоть и растет с увеличением частоты, но все равно остается гораздо меньшей, чем у биполярных транзисторов. У MOSFET транзисторов не времени обратного восстановления , как у биполярных и «хвоста», как у IGBT транзисторов, в связи с чем могут работать в силовых схемах на более высоких частотах. Кроме того, у MOSFET нет вторичного пробоя, и поэтому они более стойки к выбросам самоиндукции.
Отечеств.	Корпус	PDF	Тип	Imax, A	Импортн.	Корпус
Ограничения по длительному току, накладываемые корпусом: ТО220 не более 75А, ТО247 не более 195А. В реальных условиях отвода тепла эти цифры в несколько раз меньше.
Полевые транзисторы на напряжение до 40В:
КП364	ТО-92		n	0. 02			кп364 — полевой транзистор 40В 0.1А, характеристики
КП302	ТО-92		n	0.04			транзистор кп302 на 40В 0.1А
2П914А	ТО-39		n	0.1(0.2)	BSS138 2SK583	sot23 TO-92	полевой транзистор 2п924 на 40В 0.1А
КП601	ТО-39		n	0.4			полевой транзистор кп601 на 40В 0.15А
КП507	ТО-92		p	0.6 1.1	TP2104	TO-92, sot23 sot23	полевой транзистор кп507на 40В 0.3А
			n	1.6	BSP295	sot223	импортный полевой smd транзистор BSP295
			n	2	RTR020N05	sot23	полевой транзистор для поверхностного монтажа на 40В 2А с защитным стабилитроном в затворе
			n	4	NTR4170	sot23
			n	5	PMV60EN	sot23
			n	6	BSP100	sot223
КП921А	TO-220		n	10			мощный полевой транзистор КП921 на 40В 10А для применения в быстродействующих переключающих устройствах
КП954Г	TO-220		n	20(18)	FDD8424	TO-252	мощный полевой транзистор КП954 на 40В 20А для источников питания
			n	34	BUZ11	TO-220	импортный MOSFET транзистор BUZ11 на 40В 34А
2П7160А	TO-258		n	46(42)	IRFR4104	TO-252	характеристики мощного MOSFET IRF4104
			n	100	IRF1104	TO-220	MOSFET транзистор IRF1104 на 40В 100А
			n	162	IRF1404	TO-220	MOSFET транзистор IRF1404 на 40В 162А. Подробные характеристики см. в datasheet
			n	210	IRF2204	TO-220	импортный полевой транзистор IRF2204 на 40В 210А
			n	280	IRF2804	TO-220	импортный полевой транзистор IRF2804 на 40В 280А
			n	350	IRFP4004	TO-247	мощный полевой транзистор с изолированным затвором IRFP4004 с током до 195А
MOSFET транзисторы на напряжение до 60-75В:
			n	0.2 0.5	2N7000 BS170	TO-92, sot23	smd маломощный полевой транзистор BS170 на 60В 0.2А для поверхностного монтажа
КП804А	ТО-39		n	1
КП505 А-Г	ТО-92		n	1. 4 2.7	IRFL014	sot223	импортный полевой транзистор irfl014 на 60В 0.1А для поверхностного монтажа
КП961Г	ТО-126		n	5			транзистор КП961Г на 60В 0.5А
КП965Г	ТО-126		n	5			транзистор КП965Г на 60В 0.5А
КП801 (А,Б)	ТО-3		n	5
КП739 (А-В)	ТО-220		n	10	IRF520	ТО-220	импортный полевой транзистор IRF520, характеристики
КП740 (А-В)	ТО-220		n	17	STP16NF06	TO-220	на 60В 15А
КП7174А	ТО-220		n	18
КП784А	ТО-220		p	18
КП954 В,Д	ТО-220		n	20	STP20NF06	TO-220	мощный полевой транзистор КП954 на 60В 20А
2П912А	ТО-3		n	25			полевой транзистор 2П912А на 60В и ток 25А
КП727(А,Б)	ТО-220		n p	30 31	STP36NF06 IRF5305	ТО-220	мощный полевой транзистор КП727А на 60В 30А
КП741 (А,Б)	ТО-220		n	50	IRFZ44	TO-220	мощный полевой транзистор irfz44 на 60В и ток 50А. Подробные характеристики см. в datasheet.
КП723(А-В)	ТО-220		n	50	STP55NF06	TO-220	отечественный мощный полевой транзистор КП723 на 60В и ток до 50А
КП812(А1-В1)	ТО-220		n	50			отечественный MOSFET транзистор КП812 на 60В и ток до 50А
2П7102Д	ТО-220		n	50			MOSFET транзистор 2П7102 на 60В и ток до 50А
КП775(А-В)	ТО-220		n	50(60)	STP60NF06	TO-220	полевой транзистор КП775 на напряжение до 60В и ток до 50А
КП742(А,Б)	ТО-218		n n n p	80 80 82 74	SPB80N08 IRF1010 IRF2807 IRF4905	TO-220, D2PAK ТО-220 ТО-220 ТО-220	полевой транзисторы irf1010, irf2807, irf4905 на 60В и ток до 80А
			n	140 169	IRF3808 IRF1405	ТО-220 ТО-220	MOSFET транзистор irf3808 на 60В и ток до 140А
			n	210	IRFB3077	ТО-220	полевой транзистор irfb3077 на 75В и ток 210А
			n	350	IRFP4368	ТО-247	мощный полевой транзистор irfp4368 на напряжение 75В  ток до 195А
MOSFET на напряжение до 100-150В:
КП961В	ТО-126		n	5
КП965В	ТО-126		p	5(6. 8)	IRF9520	ТО-220	p-канальный импортный полевой транзистор IRF9520 на напряжение до 100В, ток до7А
КП743 (А1-В1)	ТО-126		n	5.6
КП743 (А-В)	ТО-220		n	5.6	IRF510	ТО-220	mosfet транзистор IRF510 на напряжение до 100В, ток до 6А.
КП801В	ТО-3		n	8	IRFR120	DPAK
КП744 (А-Г)	ТО-220		n	9.2	IRF520	TO-220	импортный полевой транзистор IRF520 на напряжение до 100В и ток до 9А
КП922 (А,Б)	ТО-3		n	10	BUZ72	TO-220	mosfet транзистор BUZ72 с током до 10А
КП745 (А-В)	ТО-220		n	14	IRF530	ТО-220	транзистор IRF530 на напряжение до 100В и ток до 14А
КП785А	ТО-220		p	19	IRF9540	ТО-220	импортный p-канальный полевой транзистор IRF9540 на ток до 19А
2П7144А	ТО-220		p	19			мощный p-канальный полевой транзистор 2П7144 на 100В и ток до 19А
КП954Б	ТО-220		n	20	IRFB4212	TO-220	параметры мощного MOSFET транзистора IRFB4212
2П912А	ТО-3		n	20			мощный n-канальный полевой транзистор 2П912 на напряжение 100В и ток до 20А
КП746(А-Г)	ТО-220		n	28	IRF3315	ТО-220	импортный полевой транзистор IRF3315 на ток до 28А
2П797Г	ТО-220		n	28	IRF540	ТО-220	импортный полевой транзистор IRF540 на ток до 28А
КП769(А-Г)	ТО-220		n	28			мощный полевой транзистор КП769 на напряжение до 100В и ток до 28А
КП150	ТО-218		n	33 34 38	IRF540NS BUZ22	TO-220, D2PAK TO-220	мощный полевой транзистор irf540 на 100В и ток 34А
КП7128А,Б	ТО-220		p	40	IRF5210	ТО-220	mosfet транзистор irf5210 на 100В и ток до 40А
КП771(А-Г)	ТО-220		n	40 42 47	IRF1310 PHB45NQ10	ТО-220 TO-247, D2PAK	отечественный полевой транзистор КП771 на 100В 40А и его импортный аналог irf1310
			n	57	STB40NF10 IRF3710	smd ТО-220	мощный полевой транзистор irf3710 на 100В 57А
			n	72	IRFP4710	ТО-247	mosfet транзистор irf4710 на 100В и ток до 72А
			n	171	IRFP4568	ТО-247	полевой тразистор irf4568 на 150В 171А
			n	290	IRFP4468	ТО-247	мощный полевой транзистор irf4468 на 100В 195А
Полевые транзисторы на напряжение до 200В:
КП402А	ТО-92		p	0.15	BSS92	TO-92
КП508А	ТО-92		p	0.15
КП501А	ТО-92		n	0.18	BS107	TO-92
КП960В	ТО-126		p	0.2
КП959В	ТО-126		n	0.2
КП504В	ТО-92		n	0.2	BS108	ТО-92
КП403А	ТО-92		n	0.3
КП932А	ТО-220		n	0.3
КП748 (А-В)	ТО-220		n	3.3	IRF610	ТО-220	mosfet транзистор IRF610 с напряжением до 200В и на ток до 3А
КП796В	ТО-220		p	4.1	BUZ173	TO-220
КП961А	ТО-126		n	5	IRF620	TO-220	полевой транзистор IRF620 на 200В 5А
КП965А	ТО-126		p	5
КП749 (А-Г)	ТО-220		n	5.2
КП737 (А-В)	ТО-220		n	9	IRF630	ТО-220	mosfet транзистор irf630 на ток до 9А и напряжение до 200В
КП704 (А,Б)	ТО-220		n	10			mosfet на 200В 10А
КП750 (А-В)	ТО-220		n	18	IRF640 IRFB17N20	TO-220	mosfet транзистор IRF640 (200В 18А)
КП767 (А-В)	ТО-220		n	18
КП813А1,Б1	ТО-220		n	22	BUZ30A IRFP264	TO-220 TO-247	мощный полевой транзистор irf264 на 200В 20А
КП250	ТО-218		n	30(25)	IRFB4620	TO-220
2П7145А,Б	КТ-9		n	30	IRFB31N20	TO-220	мощный полевой транзистор 2П7145 (200В 30А)
КП7177 А,Б	ТО-218		n	50(62)	IRFS4227	D2PAK	характеристики MOSFET транзистора на 200В 50А
			n	130	IRFP4668	TO-247	мощный импортный полевой транзистор irfp4668 на 200В 130А
Полевые транзисторы на напряжение до 300В:
КП960А	ТО-126		p	0.2
КП959А	ТО-126		n	0.2
КП796Б	ТО-220		p	3.7
2П917А	ТО-3		n	5
КП768	ТО-220		n	10
КП934Б	ТО-3		n	10
КП7178А	ТО-218 ТО-3		n	40
Полевые транзисторы до 400В:
КП502А	ТО-92		n	0.12
КП511А,Б	ТО-92		n	0.14
КП733А	ТО-220		n	1.5
КП731 (А-В)	ТО-220		n	2	IRF710	ТО-220	mosfet транзистор IRF710
КП751 (А-В)	ТО-220		n	3.3	BUZ76 IRF720	ТО-220 TO-220	mosfet транзистор IRF720, характеристики
КП931 В	ТО-220		n	5	IRF734	ТО-220	mosfet транзистор IRF734
КП768	ТО-220		n	5.5	IRF730	ТО-220	mosfet транзистор IRF730
КП707А1	ТО-220		n	6
КП809Б	ТО-218 ТО-3		n	9.6
КП934А	ТО-3		n	10	IRF740	ТО-220	mosfet транзистор IRF740
КП350	ТО-218		n	14	BUZ61	TO-220	mosfet транзистор BUZ61
2П926 А,Б	ТО-3		n	16.5
			n	18.4	STW18NB40	TO-247	импортный полевой транзистор на 400В 18А
КП707А	ТО-3		n	25	IRFP360	TO-247	mosfet на 400В 25А
Полевые транзисторы на напряжение до 500В:
КП780 (А-В)	ТО-220		n	2.5	IRF820	ТО-220	mosfet транзистор IRF820
КП770	ТО-220		n	8	IRF840	TO-220	mosfet транзистор IRF840
КП809Б,Б1	ТО-218 ТО-3		n	9.6	2SK1162	ТО-3Р	mosfet транзистор 2SK1162
КП450	ТО-218		n	12	IRFP450	TO-247	мощный полевой транзистор 500В 14А
КП7182А	ТО-218		n	20	IRFP460	ТО-247
КП460	ТО-218		n	20(23)	IRFP22N50	TO-247	мощный полевой транзистор IRF22N50 на 500В 20А
КП7180А,Б	ТО-218 ТО-3		n	26(31)	IRFP31N50 STW30NM50	TO-247 TO-247,TO-220	мощный полевой транзистор 500В 31А
			n	32	SPW32N50	TO-247	мощный полевой транзистор на 500В 32А
			n	46	STW45NM50 IRFPS40N50	TO-247 S-247	мощный полевой транзистор на 500В 46А
Полевые транзисторы на напряжение до 600В:							Раздел: высоковольтные полевые транзисторы.
КП7129А	ТО-220		n	1.2	SPP02N60	TO-220	высоковольтный полевой транзистор SPP02N60 на 600В
КП805 (А-В)	ТО-220		n	4(3)	SPP03N60	TO-220	высоковольтный MOSFET транзистор SPP03N60, характеристики
КП709(А,Б)	ТО-220		n	4	IRFBC30	ТО-220	высоковольтный MOSFET транзистор IRFBC30, характеристики
КП707Б1	ТО-220		n	4	SPP04N60	ТО-220	мощный высоковольтный полевой транзистор SPP04N60 на 600В
КП7173А	ТО-220		n	4
КП726 (А,Б)	smd ТО-220		n	4.5
КП931Б	ТО-220		n	5(6.2) 7	IRFBC40 SPP07N60	TO-220 TO-220	MOSFET транзистор 600В 5А
КП809В	ТО-218 ТО-3		n	9.6	IRFB9N65A	TO-220	мощный высоковольтный полевой транзистор IRFB9N65 на 600В
2П942В	ТО-3		n	10	SPP11N60	ТО-220	MOSFET транзистор 600В 10А
КП953Г	ТО-218		n	15
КП707Б	ТО-3		n	16.5	SPP20N60 SPW20N60	ТО-220 TO-247	MOSFET транзистор 600В 15А
			n	30	STW26NM60	TO-247	полевой транзистор 600В 30А
КП973Б	ТО-218		n	30	IRFP22N60 IRFP27N60	TO-247	MOSFET транзистор 600В 30А
			n	40	IRFPS40N60	S-247	MOSFET транзистор 600В 40А
			n	47	SPW47NM60 FCh57N60	TO-247	MOSFET транзистор 600В 47А
			n	60	IPW60R045	TO-247	MOSFET транзистор 600В 47А
Полевые транзисторы на напряжение до 700В:
КП707В1	ТО-220		n	3
КП728 (Г1-С1)	ТО-220		n	3.3
КП810 (А-В)	ТО-218		n	7
КП809Е	ТО-218 ТО-3		n	9.6			мощный высоковольтный полевой транзистор на 700В
2П942Б	ТО-3		n	10			MOSFET транзистор 700В 10А
КП707В	ТО-3		n	12.5			мощный полевой транзистор 700В 12А
КП953В	ТО-218		n	15			MOSFET транзистор 700В 15А
КП973А	ТО-218		n	30 39	IPW60R075	TO-247	полевой транзистор (IRF) 650В 25А
			n	60	IPW60R045	TO-247	полевой транзистор (IRF) 650В 38А
Полевые транзисторы на напряжение до 800В:
			n	1.5	BUZ78 IRFBE20	ТО-220 TO-220	высоковольтный MOSFET транзистор IRFBE20, характеристики
КП931А	ТО-220		n	5	IRFBE30	ТО-220	высоковольтный MOSFET транзистор IRFBE30, характеристики
КП705Б,В	ТО-3		n	5.4	SPP06N80	ТО-220	высоковольтный MOSFET транзистор SPP06N80, характеристики
КП809Д	ТО-218 ТО-3		n	9.6	STP10NK80	TO-220	мощный полевой транзистор 800В 10А
2П942А	ТО-3		n	10	STP12NK80	TO-247	MOSFET транзистор 800В 10А
КП7184А	ТО-218		n	15	SPP17N80	ТО-220	мощный полевой транзистор 800В 15А
КП953А,Б,Д	ТО-218		n	15			MOSFET транзистор 800В 15А
КП971Б	ТО-218		n	25(55)	SPW55N80	TO-247	MOSFET транзистор 800В 25А
MOSFET транзисторы на напряжение до 900-1000В:
2П803А,Б			n	4.5(3.1)	IRFBG30	TO-220	высоковольтный полевой транзистор IRFG30 на 900В
КП705А	ТО-3		n	5.4(8)	IRFPG50 2SK1120	TO-247 TO-218	мощный высоковольтный полевой транзистор 2SK1120 на 1000В
КП971А	ТО-218		n	25(36)	IPW90R120	TO-247	высоковольтный mosfet 900В 30А

справочник приборов ВЧ и СВЧ

---

Транзисторы высокочастотные и СВЧ отечественного и зарубежного производства

Основные параметры:

Uмакс. — Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор — эмиттер
Iмакс. — Максимально допустимый постоянный ток коллектора
Pмакс. — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
fгран. — Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ
h31э — Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ
Iкбо — Обратный ток коллектора
Kус. — Коэффициент усиления по мощности
Kш. — Коэффициент шума транзистора

Транзисторы малой мощности

Корпус SOT-23

Наименование	Структура	Uмакс., В	Iмакс., А	Pмакс., Вт	fгран., ГГц	Кш., дБ	h31э
BFR92A	N-P-N	15	25	0,3	5	2,1	40-90
BFR93A	N-P-N	12	35	0,3	6	1,9	40-90
BFR193	N-P-N	12	80	0,58	8	1,3	50-200
BFS17A	N-P-N	15	25	0,3	2,8	2,5	25-90
BFT92	P-N-P	15	25	0,3	5	2,5	20-50
BFT93	P-N-P	12	35	0,3	5	2,4	20-50

Корпус TO-50

Наименование	Структура	Uмакс., В	Iмакс., А	Pмакс., Вт	fгран., ГГц	Кш., дБ	h31э
BF970	P-N-P	35	30	0,3	1	4,2	25-90
BF979	P-N-P	20	50	0,3	1,75	3,4	20-90
BFR90A	N-P-N	15	30	0,3	6	1,8	50-150
BFR91A	N-P-N	12	50	0,3	6	1,6	40-150
BFR96TS	N-P-N	15	100	0,7	5	4	25-150

Корпус TO-92

Наименование	Структура	Uмакс., В	Iмакс., А	Pмакс., Вт	fгран., МГц	h31э
BF199	N-P-N	25	25	0,5	550	>38
BF240	N-P-N	40	25	0,3	>150	60-220
BF324	P-N-P	30	25	0,3	450	>25
BF450	P-N-P	40	25	0,3	375	>50
BF494	N-P-N	20	30	0,3	>260	>30
BF959	N-P-N	20	100	0,625	>600	>35

Транзисторы в других типах корпусов

Наименование	Структура	Uмакс., В	Iмакс., А	Pмакс., Вт	fгран., ГГц	h31э	Корпус
BFG425W	N-P-N	4,5	30	0,135	25	50-120	SOT343R
BFP67	N-P-N	10	50	0,2	7,5	65-150	SOT143
BFP450	N-P-N	4,5	100	0,45	24	50-150	SOT343R
BFP540	N-P-N	4,5	80	0,25	33	50-200	SOT343R
BFP620	N-P-N	2,3	80	0,185	65	100-320	SOT343R

Транзисторы высокочастотные советской разработки

Наименование	Структура	Pмакс., Вт	Iмакс., А	Uмакс., В	Iкбо., мкА	h31э	fгран., МГц	Корпус
КТ3102А-Ж	N-P-N	0,25	200	20-50	< 0,05	100/250-400/1000	150	КТ-1-7
КТ3102АМ-КМ	N-P-N	0,25	200	20-50	< 0,05	100/250-400/1000	150	КТ-26
КТ3107	P-N-P	0,3	100	20-45	< 0,1	70/140-380/800	250	КТ-26
КТ3108	P-N-P	0,3	200	45-60	< 0,2	50/150-100/300	250	КТ-1-7
КТ3117А, Б	N-P-N	0,3	400	50	< 10	40/200	300	КТ-1-7
КТ3117А1	N-P-N	0,3	400	50	< 10	40/200	300	КТ-26
КТ3129	P-N-P	0,15	100	20-40	< 1,0	30/120-200/500	200	КТ-46
КТ3130	N-P-N	0,1	100	15-40	< 0,1	100/250-400/1000	150	КТ-46
КТ315	N-P-N	0,15	50-100	25-60	0,5	20/90-50/350	200	КТ-13
КТ3151А9, Д9	N-P-N	0,2	100	80	< 1,0	> 20	100	КТ-46
КТ3153А9	N-P-N	0,3	400	50	< 0,05	100/300	250	КТ-46
КТ3157А	P-N-P	0,2	30	250	< 0,1	> 50	60	КТ-26
КТ3172А9	N-P-N	0,2	200	20	< 0,4	40/150	500	КТ-46
КТ339АМ	N-P-N	0,26	25	25	< 1,0	> 25	550	КТ-26
КТ342АМ, БМ, ВМ	N-P-N	0,25	50	30	< 30	100/250	250	КТ-26
КТ361	P-N-P	0,15	50-100	10-45	< 1	20/90-100/350	150	КТ-13

СВЧ-транзисторы советской разработки

Наименование	Структура	Pмакс., Вт	Iмакс., А	Uмакс., В	Iкбо., мкА	h31э	fгран., МГц	Корпус
КТ3101А-2	N-P-N	0,1	20	15	0,5	35/300	2250	Н/С-1
КТ3101АМ	N-P-N	0,1	20	15	0,5	35/300	1000	КТ-14
КТ3115А-2(Б, Д)	N-P-N	0,07	8,5	7-10	0,5	15/80	5800	КТ-22
КТ3120А	N-P-N	0,1	20	15	5	> 40	1800	КТ-14
КТ3126А,Б	P-N-P	0,15	30	30	0,5	25/100-60/180	500	КТ-26
КТ3128А1	P-N-P	0,3	30	35	0,1	35/150	800	КТ-26
КТ3168А9	N-P-N	0,18	28	15	< 0,5	60/180	<3000	КТ-46
КТ326А,Б	P-N-P	0,2	50	15	0,5	20/70-45/160	250	КТ-1-7
КТ326АМ,БМ	P-N-P	0,2	50	15	0,5	20/70-45/160	250	КТ-26
КТ368А,Б	N-P-N	0,225	30	15	0,5	50/300	900	КТ-1-12
КТ368АМ,БМ	N-P-N	0,225	30	15	0,5	50/450	900	КТ-26
КТ368А9, Б9	N-P-N	0,1	30	15	0,5	50/300	900	КТ-46
КТ399АМ	N-P-N	0,15	30	15	0,5	40/170	1800	КТ-26

Транзисторы средней мощности

Зарубежные

Наименование	Структура	Uмакс., В	Iмакс., А	Pмакс., Вт	fгран., ГГц	h31э	Корпус
BFG135	N-P-N	15	150	1	7	80-130	SOT223
BFG540W	N-P-N	15	120	0,5	9	100-250	SOT343N
BFG97	N-P-N	15	100	1	5,5	25-80	SOT223
BFQ19	N-P-N	15	100	1	5,5	25-80	SOT89
BLT50	N-P-N	10	500	2	0,47	25	SOT223
BLT80	N-P-N	10	250	2	0,9	25	SOT223
BLT81	N-P-N	9,5	500	2	0,9	25	SOT223

Транзисторы высокочастотные советской разработки

Наименование	Структура	Pмакс., Вт	Iмакс., А	Uмакс., В	Iкбо., мкА	h31э	fгран., МГц	Корпус
КТ626А-Д	P-N-P	9	1,5	20-80	1	15/60-40/250	45	КТ-27-2
КТ646А,Б	N-P-N	3,5	1	40-50	10	40/200-150/300	250	КТ-27-2
КТ683А-Е	N-P-N	8	1	60-150		40/120-160/480	50	КТ-27-2
КТ6127А-К	P-N-P	0,8	2	10-200	< 20	> 30	150	КТ-26
КТ630А-Е	N-P-N	0,8	1	60-150	< 1	40/120-160/480	50	КТ-2-7
КТ639А-И	P-N-P	1	1,5	30-80	< 0,1	40/100-180/400	80	КТ-27-2
КТ644А-Г	P-N-P	1	0,6	40-60	< 0,1	40/120-100/300	200	КТ-27-2
КТ645А	N-P-N	0,5	0,3	50	< 10	20/200	200	КТ-26
КТ660А,Б	N-P-N	0,5	0,8	30-45	< 1	110/220-200/450	200	КТ-26
КТ664А9	P-N-P	1	1	100	< 10	40/250	50	КТ-47
КТ665А9	N-P-N	1	1	100	< 10	40/250	50	КТ-47
КТ680А	N-P-N	0,35	0,6	25	< 10	85/300	120	КТ-26
КТ681А	P-N-P	0,35	0,6	25	< 10	85/300	120	КТ-26
КТ698	N-P-N	0,6	2	12-90	< 20	20/118-50/649	100	КТ-26

Транзисторы большой мощности

Зарубежные

Наименование	Структура	Uмакс., В	Iмакс., А	Pмакс., Вт	fгран., ГГц	h31э	Корпус
BLT53	N-P-N	10	2500	35,5	3,9	25	SOT122D

ВЧ-транзисторы советской разработки

Наименование	Структура	Pмакс., Вт	Iмакс., А	Uмакс., В	fгран., МГц	Кус., дБ	Iкбо., мкА	Корпус
КТ9115А	P-N-P	1,2	0,1	300	> 90		< 0,05мкА	КТ-27-2
КТ9180А-В	N-P-N	12,5	3,0	40-80	> 100			КТ-27-2
КТ9181А-В	P-N-P	12,5	3,0	40-80	> 100			КТ-27-2
КТ920А	N-P-N	5,0	0,5	36	30/200	4	2	КТ-17
КТ920Б	N-P-N	10,0	1,0	36	30/200		4	КТ-17
КТ920В	N-P-N	25,0	3,0	36	30/200		7,5	КТ-17
КТ920Г	N-P-N	25,0	3,0	36	30/200	3,5	7,5	КТ-17
КТ922А	N-P-N	8,0	0,8	65	50/175	3	5	КТ-17
КТ922Б	N-P-N	20,0	1,5	65	50/175	3		КТ-17
КТ922В	N-P-N	40,0	3,0	65	50/175		40	КТ-17
КТ922Г	N-P-N	20,0	1,5	65	50/175		20	КТ-17
КТ929А	N-P-N	6,0	0,8	30	> 50	8	5	КТ-17
КТ940А-В, A1	N-P-N	10,0	0,1	160-300	> 90		0,5	КТ-27-2, -26
КТ961А-В	N-P-N	12,5	1,5	60-100	> 50		10	КТ-27-2
КТ969А	N-P-N	6,0	0,1	250	> 60		0,05	КТ-27-2
КТ972А,Б	N-P-N	8,0	4,0	45-60	> 200		1	КТ-27-2
КТ973А,Б	P-N-P	8,0	4,0	45-60	> 200		1	КТ-27-2

СВЧ-транзисторы советской разработки

Наименование	Структура	Pмакс., Вт	Iмакс., А	Uмакс., В	fгран., МГц	Кус., дБ	Iкбо., мкА	Корпус
КТ913А	N-P-N	4,7	0,5	55	900/1500	2	10	КТ-16-2
КТ913Б	N-P-N	8	1	55	900/1500	2	50	КТ-16-2
КТ913В	N-P-N	12	1	55	900/1500	2	50	КТ-16-2
КТ916А	N-P-N	30	2	55	200/1800	2,5	25	КТ-16-2
КТ925А	N-P-N	5,5	0,5	36	500/1250	12	7	КТ-17
КТ925Б	N-P-N	11	1	36	375/1100	7	12	КТ-17
КТ925В	N-P-N	25	3,3	36	300/550	5,3	30	КТ-17
КТ925Г	N-P-N	25	3,3	36	300/550	5,3	30	КТ-17
КТ934А	N-P-N	7,5	0,5	60	> 100		5	КТ-17
КТ934Б	N-P-N	15	1	60	> 100		10	КТ-17
КТ934В	N-P-N	30	2	60	> 100		20	КТ-17
КТ939А	N-P-N	4	0,4	30	> 100		1	КТ-16-2
КТ939Б	N-P-N	4	0,4	30	> 100		2	КТ-16-2

Электронные компоненты

Составной транзистор. Транзисторная сборка Дарлингтона.

Особенности и области применения составных транзисторов

Если открыть любую книгу по электронной технике, сразу видно как много элементов названы по именам их создателей: диод Шоттки, диод Зенера (он же стабилитрон), диод Ганна, транзистор Дарлингтона.

Инженер-электрик Сидни Дарлингтон (Sidney Darlington) экспериментировал с коллекторными двигателями постоянного тока и схемами управления для них. В схемах использовались усилители тока.

Инженер Дарлингтон изобрёл и запатентовал транзистор, состоящий из двух биполярных и выполненный на одном кристалле кремния с диффундированными n (негатив) и p (позитив) переходами. Новый полупроводниковый прибор был назван его именем.

В отечественной технической литературе транзистор Дарлингтона называют составным. Итак, давайте познакомимся с ним поближе!

Устройство составного транзистора.

Как уже говорилось, это два или более транзисторов, изготовленных на одном полупроводниковом кристалле и запакованные в один общий корпус. Там же находится нагрузочный резистор в цепи эмиттера первого транзистора.

У транзистора Дарлингтона те же выводы, что и у всем знакомого биполярного: база (Base), эмиттер (Emitter) и коллектор (Collector).

Схема Дарлингтона

Как видим, такой транзистор представляет собой комбинацию нескольких. В зависимости от мощности в его составе может быть и более двух биполярных транзисторов. Стоит отметить, что в высоковольтной электронике также применяется транзистор, состоящий из биполярного и полевого. Это IGBT транзистор. Его также можно причислить к составным, гибридным полупроводниковым приборам.

Основные особенности транзистора Дарлингтона.

Основное достоинство составного транзистора это большой коэффициент усиления по току.

Следует вспомнить один из основных параметров биполярного транзистора. Это коэффициент усиления (h₂₁). Он ещё обозначается буквой β («бета») греческого алфавита. Он всегда больше или равен 1. Если коэффициент усиления первого транзистора равен 120, а второго 60 то коэффициент усиления составного уже равен произведению этих величин, то есть 7200, а это очень даже неплохо. В результате достаточно очень небольшого тока базы, чтобы транзистор открылся.

Инженер Шиклаи (Sziklai) несколько видоизменил соединение Дарлингтона и получил транзистор, который назвали комплементарный транзистор Дарлингтона. Вспомним, что комплементарной парой называют два элемента с абсолютно одинаковыми электрическими параметрами, но разной проводимости. Такой парой в своё время были КТ315 и КТ361. В отличие от транзистора Дарлингтона, составной транзистор по схеме Шиклаи собран из биполярных разной проводимости: p-n-p и n-p-n. Вот пример составного транзистора по схеме Шиклаи, который работает как транзистор с n-p-n проводимостью, хотя и состоит из двух различной структуры.

схема Шиклаи

К недостаткам составных транзисторов следует отнести невысокое быстродействие, поэтому они нашли широкое применение только в низкочастотных схемах. Такие транзисторы прекрасно зарекомендовали себя в выходных каскадах мощных усилителей низкой частоты, в схемах управления электродвигателями, в коммутаторах электронных схем зажигания автомобилей.

Хорошо зарекомендовал себя для работы в электронных схемах зажигания мощный n-p-n транзистор Дарлингтона BU931.

Основные электрические параметры:

• Напряжение коллектор – эмиттер 500 V;

• Напряжение эмиттер – база 5 V;

• Ток коллектора – 15 А;

• Ток коллектора максимальный – 30 А;

• Мощность рассеивания при 25⁰С – 135 W;

• Температура кристалла (перехода) – 175⁰С.

На принципиальных схемах нет какого-либо специального значка-символа для обозначения составных транзисторов. В подавляющем большинстве случаев он обозначается на схеме как обычный транзистор. Хотя бывают и исключения. Вот одно из его возможных обозначений на принципиальной схеме.

Напомню, что сборка Дарлингтона может иметь как p-n-p структуру, так n-p-n. В связи с этим, производители электронных компонентов выпускают комплементарные пары. К таким можно отнести серии TIP120-127 и MJ11028-33. Так, например, транзисторы TIP120, TIP121, TIP122 имеют структуру n-p-n, а TIP125, TIP126, TIP127 — p-n-p.

Также на принципиальных схемах можно встретить и вот такое обозначение.

Примеры применения составного транзистора.

Рассмотрим схему управления коллекторным двигателем с помощью транзистора Дарлингтона.

При подаче на базу первого транзистора тока порядка 1мА через его коллектор потечёт ток уже в 1000 раз больше, то есть 1000мА. Получается, что несложная схема обладает приличным коэффициентом усиления. Вместо двигателя можно подключить электрическую лампочку или реле, с помощью которого можно коммутировать мощные нагрузки.

Если вместо сборки Дарлингтона использовать сборку Шиклаи то нагрузка подключается в цепь эмиттера второго транзистора и соединяется не с плюсом, а с минусом питания.

Если совместить транзистор Дарлингтона и сборку Шиклаи, то получится двухтактный усилитель тока. Двухтактным он называется потому, что в конкретный момент времени открытым может быть только один из двух транзисторов, верхний или нижний. Данная схема инвертирует входной сигнал, то есть выходное напряжение будет обратно входному.

Это не всегда удобно и поэтому на входе двухтактного усилителя тока добавляют ещё один инвертор. В этом случае выходной сигнал в точности повторяет сигнал на входе.

Применение сборки Дарлингтона в микросхемах.

Широко используются интегральные микросхемы, содержащие несколько составных транзисторов. Одной из самых распространённых является интегральная сборка L293D. Её частенько применяют в своих самоделках любители робототехники. Микросхема L293D — это четыре усилителя тока в общем корпусе. Поскольку в рассмотренном выше двухтактном усилителе всегда открыт только один транзистор, то выход усилителя поочерёдно подключается или к плюсу или к минусу источника питания. Это зависит от величины входного напряжения. По сути дела мы имеем электронный ключ. То есть микросхему L293 можно определить как четыре электронных ключа.

Вот «кусочек» схемы выходного каскада микросхемы L293D, взятого из её даташита (справочного листа).

Как видим, выходной каскад состоит из комбинации схем Дарлингтона и Шиклаи. Верхняя часть схемы — это составной транзистор по схеме Шиклаи, а нижняя часть выполнена по схеме Дарлингтона.

Многие помнят те времена, когда вместо DVD-плееров были видеомагнитофоны. И с помощью микросхемы L293 осуществлялось управление двумя электродвигателями видеомагнитофона, причём в полнофункциональном режиме. У каждого двигателя можно было управлять не только направлением вращения, но подавая сигналы с ШИМ-контроллера можно было в больших пределах управлять скоростью вращения.

Весьма обширное применение получили и специализированные микросхемы на основе схемы Дарлингтона. Примером может служить микросхема ULN2003A (аналог К1109КТ22). Эта интегральная схема является матрицей из семи транзисторов Дарлингтона. Такие универсальные сборки можно легко применять в радиолюбительских схемах, например, радиоуправляемом реле. Об этом я поведал тут.

Главная &raquo Радиоэлектроника для начинающих &raquo Текущая страница

Также Вам будет интересно узнать:

 

обзор, характеристики, отзывы. Самые музыкальные транзисторы

Германиевые транзисторы переживали период своего расцвета в течение первого десятилетия полупроводниковой электроники, прежде чем их широко заменили кремниевые устройства сверхвысокой частоты. В данной статье обсудим, почему первый тип транзисторов до сих пор в музыкальной отрасли считается важным элементом и обладает высокой значимостью для ценителей хорошего звука.

Зарождение элемента

Германий был обнаружен Клеменсом и Винклером в немецком городе Фрайберг в 1886 году. Существование этого элемента предсказывал Менделеев, установив заранее его атомный вес, равный 71, и плотность 5,5 г/см³.

В начале осени 1885 года шахтер, работавший на серебряном руднике Химмельсфюрст близ Фрайберга, наткнулся на необычную руду. Она была передана Альбину Вейсбаху из близлежащей Горной академии, который подтвердил, что это новый минерал. Он в свою очередь попросил своего коллегу Винклера проанализировать добычу. Винклер обнаружил, что в составе найденного химического элемента находится 75 % серебра, 18 % серы, состав остального 7 %-ного объема находки ученый определить не смог.

К февралю 1886 года он понял, что это новый металлоподобный элемент. Когда были протестированы его свойства, стало ясно, что это недостающий элемент в таблице Менделеева, который располагается ниже кремния. Минерал, из которого он произошел, известен как аргиродит – Ag 8 GeS 6. Спустя несколько десятилетий этот элемент будет выступать основой германиевых транзисторов для звука.

Германий

В конце XIX века германий был впервые выделен и идентифицирован немецким химиком Клеменсом Винклером. Этот материал, названный в честь родины Винклера, долгое время считался малопроводящим металлом. Это утверждение было пересмотрено в период Второй мировой войны, так как именно тогда были обнаружены полупроводниковые свойства германия. Приборы, состоящие из германия, широко распространились в послевоенные годы. В это время нужно было удовлетворить потребность в производстве германиевых транзисторов и подобных устройств. Так, производство германия в США выросло с нескольких сотен килограммов в 1946 году до 45 тонн к 1960 году.

Хроника

История создания транзисторов начинается в 1947 году с компании Bell Laboratories, располагающейся в Нью-Джерси. В процессе участвовали трое блестящих американских физиков: Джон Бардин (1908–1991), Уолтер Браттэйн (1902–1987) и Уильям Шокли (1910–1989).

Команда, возглавляемая Шокли, пыталась разработать новый тип усилителя для телефонной системы США, но то, что они на самом деле изобрели, оказалось гораздо интереснее.

Бардин и Браттэйн соорудили первый транзистор во вторник 16 декабря 1947 года. Он известен как транзистор с точечным контактом. Шокли много работал над проектом, поэтому неудивительно, что он был взволнован и рассержен тем, что его отклонили. В скором времени он в одиночку сформировал теорию переходного транзистора. Это устройство по многим параметрам превосходит транзистор с точечным контактом.

Зарождение нового мира

В то время как Бардин бросил Bell Labs, чтобы стать академиком (он продолжил изучение германиевых транзисторов и сверхпроводников в Иллинойском университете), Браттэйн поработал еще некоторое время, а после ушел в педагогику. Шокли основал свою собственную компанию по производству транзисторов и создал уникальное место — Силиконовую долину. Это процветающий район в Калифорнии вокруг Пало-Альто, где находятся крупные корпорации электроники. Двое из его сотрудников, Роберт Нойс и Гордон Мур, основали компанию Intel — крупнейшего в мире производителя микросхем.

Бардин, Браттэйн и Шокли ненадолго воссоединились в 1956 году: за свое открытие они получили высшую в мире научную награду — Нобелевскую премию по физике.

Патентное право

Оригинальный дизайн транзистора с точечным контактом изложен в патенте США Джона Бардина и Уолтера Браттэйна, зарегистрированном в июне 1948 года (примерно через шесть месяцев после первоначального открытия). Патент выдан 3 октября 1950 года. Простой PN-транзистор обладал тонким верхним слоем германия P-типа (желтый) и нижним слоем германия N-типа (оранжевый). Германиевые транзисторы имели три контакта: эмиттер (E, красный), коллектор (C, синий) и база (G, зеленый).

Простыми словами

Принцип работы усилителя звука на транзисторах станет понятнее, если мы проведем аналогию с принципом работы водопроводного крана: излучатель — это трубопровод, а коллектор — кран. Данное сравнение помогает объяснить, как работает транзистор.

Представим, что транзистор – это водопроводный кран. Электрический ток действует, как вода. Транзистор имеет три контакта: основание, коллектор и эмиттер. Основание работает как ручка крана, коллектор — как вода, подающаяся в кран, а излучатель — как отверстие, из которого вода вытекает. Слегка поворачивая ручку крана, можно сдерживать мощный поток воды. Если слегка повернуть ручку крана, тогда скорость потока воды значительно увеличится. Если полностью закрыть ручку крана, то вода не будет течь. Если повернуть ручку полностью, то вода будет литься намного быстрее.

Принцип действия

Как говорилось ранее, германиевые транзисторы – схемы,у которых в основе три контакта: эмиттер (E), коллектор (C) и основание (B). База контролирует ток от коллектора к эмиттеру. Ток, который течет от коллектора к эмиттеру, пропорционален току базы. Ток эмиттера, или базовый ток равняется hFE. Данная установка использует резистор коллектора (RI). Если ток Ic протекает через RI, на этом резисторе будет сформировано напряжение, которое равно произведению Ic x RI. Это означает, что напряжение на транзисторе равно: E2 — (RI x Ic). Ic приблизительно равен Ie, поэтому, если IE = hFE x IB, то Ic также равен hFE x IB. Следовательно, после проведенной замены напряжение на транзисторах (E) составляет E2 (RI x le x hFE).

Функции

Усилитель звука на транзисторах построен на функциях усиления и коммутации. Если рассматривать в качестве примера радио, то сигналы, которые радио получает из атмосферы, чрезвычайно слабы. Радио усиливает эти сигналы через выход динамика. Это функция «усиления». Так, например, германиевый транзистор гт806 предназначен для использования в импульсных устройствах, преобразователях и стабилизаторах тока и напряжения.

Для аналогового радио простое усиление сигнала заставит динамики воспроизводить звук. Однако для цифровых устройств форму входного сигнала необходимо изменить. Для цифрового устройства, такого как компьютер или MP3-плеер, транзистор должен переключать состояние сигнала в 0 или 1. Это «функция переключения»

Можно найти более сложные компоненты, называющиеся транзисторами. Речь об интегральных микросхемах, изготовленных из жидкостной кремниевой инфильтрации.

Советская «силиконовая долина»

В советское время, в начале 60-х годов, город Зеленоград стал плацдармом для организации в нем Центра микроэлектроники. Советский инженер Щиголь Ф. А. разрабатывает транзистор 2Т312 и его аналог 2Т319, который в последующем стал главным компонентом гибридных цепей. Именно этот человек заложил основу для выпуска в СССР германиевых транзисторов.

В 1964 году завод «Ангстрем» на базе Научно-исследовательского института точных технологий создал первую интегральную микросхему IC-Path с 20 элементами на кристалле, выполняющую задачу совокупности транзисторов с резистивными соединениями. В это же время появилась другая технология: были запущены первые плоские транзисторы «Плоскость».

В 1966 году в Пульсарском научно-исследовательском институте начала действовать первая экспериментальная станция по производству плоских интегральных микросхем. В NIIME группа доктора Валиева начала производство линейных резисторов с логическими интегральными схемами.

В 1968 году Исследовательский институт Пульсар произвел первую часть тонкопленочных гибридных ИС с плоскими транзисторами с открытой рамой типов KD910, KD911, KT318, которые предназначены для связи, телевидения, радиовещания.

Линейные транзисторы с цифровыми ИС массового использования (типа 155) были разработаны в Научно-исследовательском институте МЭ. В 1969 году советский физик Алферов Ж. И. открыл миру теорию по управлению электронными и световыми потоками в гетероструктурах на базе арсенид-галлиевой системы.

Прошлое против будущего

В основе первых серийных транзисторов находился германий. P-тип и N-тип германия были соединены вместе, образуя переходный транзистор.

Американская компания Fairchild Semiconductor в 1960-х годах изобрела планарный процесс. Здесь для производства транзисторов с улучшенными воспроизводимыми характеристиками в промышленном масштабе использовался кремний и фотолитография. Это привело к идее интегральных схем.

Существенные различия между германиевыми и кремниевыми транзисторами заключаются в следующем:

• кремниевые транзисторы намного дешевле;
• кремниевый транзистор имеет пороговое напряжение 0,7 В, в то время как германий – 0,3 В;
• кремний выдерживает температуры около 200 ° C, германий – 85 ° C;
• ток утечки кремния измеряется в нА, для германия – в мА;
• PIV Si больше по сравнению с Ge;
• Ge может обнаружить небольшие изменения в сигналах, следовательно, они являются самыми «музыкальными» транзисторами из-за высокой чувствительности.

Аудио

Для получения качественного звука на аналоговом аудиооборудовании нужно определиться. Что выбрать: современные интегральные схемы (ИС) или УНЧ на германиевых транзисторах?

В первые дни появления транзисторов ученые и инженеры спорили относительно материала, который будет лежать в основе работы устройств. Среди элементов периодической таблицы одни являются проводниками, другие – изоляторами. Но у некоторых элементов есть интересное свойство, позволяющее им называться полупроводниками. Кремний является полупроводником и используется почти во всех транзисторах и интегральных схемах, изготовленных сегодня.

Но до того, как кремний стал использоваться в качестве подходящего материала для изготовления транзистора, его заменял германий. Преимущество кремния по сравнению с германием объяснялось в основном более высоким коэффициентом усиления, который мог быть достигнут.

Хотя германиевые транзисторы разных производителей часто обладают отличными друг от друга характеристиками, считается, что некоторые типы дают теплый, насыщенный и динамичный звук. Звуки могут варьироваться от хрустящих и неровных до приглушенных и ровных с промежуточными между ними. Несомненно, подобный транзистор заслуживает дальнейшего изучения как усилительного устройства.

Советы к действию

Скупка радиодеталей – процесс, при котором можно найти все необходимое для своих работ. Что же говорят специалисты?

По мнению многих радиолюбителей и ценителей качественного звука, самыми музыкальными транзисторами признаны серии П605, КТ602, КТ908.

Для стабилизаторов лучше использовать серии AD148, AD162 марок Siemens, Philips, Telefunken.

Судя по отзывам наиболее мощный из германиевых транзисторов – ГТ806, он выигрывает по сравнению с серией П605, однако по частоте тембра предпочтение лучше отдать последним. Стоит обратить внимание на тип КТ851 и КТ850, а также полевой транзистор КП904.

Не советуют использовать типы П210 и ASY21, так как на деле они обладают плохими звуковыми характеристиками.

Гитары

Хотя германиевые транзисторы разных марок отличаются характеристиками все они могут быть использованы для создания динамичного, более насыщенного и приятного звука. Они могут помочь изменить звучание гитары в широком диапазоне тонов, включая интенсивные, приглушенные, резкие, более ровные или их комбинацию. В некоторых устройствах они широко используются для придания гитарной музыке великолепного игрового, чрезвычайно ощутимого и мягкого звучания.

Какой существенный недостаток есть у германиевых транзисторов? Конечно же, их непредсказуемое поведение. По словам экспертов, нужно будет провести грандиозную скупку радиодеталей, то есть приобрести сотни транзисторов, чтобы после многократного тестирования найти подходящую для себя. Этот недостаток был выявлен инженером студии и музыкантом Закари Вексом во время поисков старинных блоков для звуковых эффектов.

Векс начал создавать блоки эффектов для гитар Fuzz, чтобы сделать звук гитарной музыки чистым, соединив в определенном соотношении оригинальные блоки Fuzz. Он использовал эти транзисторы, не проверяя их потенциала, чтобы получить лучшую комбинацию, опираясь исключительно на удачу. В итоге он был вынужден отказаться от некоторых транзисторов из-за их неподходящего звучания и стал производить хорошие блоки Fuzz с германиевыми транзисторами на своем заводе.

Мощные биполярные транзисторы для импульсных источников питания, TV-приемников и мониторов. Справочник

Мощные биполярные транзисторы для импульсных источников питания, TV-приемников и мониторов — В справочнике приведены электрические характеристики мощных биполярных транзисторов, имеющих высокую скорость переключения. Данные приборы применяются в импульсных источниках питания различного назначения, в промышленном оборудовании, в бытовой и профессиональной видео- и аудиотехнике. В книге представлены изделия следующих ведущих производителей полупроводниковых приборов: FAIRCHILD, HITACHI, MOTOROLA (ON SEMICONDUCTOR), PANASONIC, PHILIPS, SANKEN, SAMSUNG, SANYO, SHINDENGEN, ST-MICROELECTRONICS, TOSHIBA и ZETEX. Таблица аналогов полупроводниковых приборов составлена на основании руководства Master Replacement Guide. Справочник рассчитан на специалистов, занимающихся обслуживанием и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры, а также на радиолюбителей.

Название: Мощные биполярные транзисторы для импульсных источников питания, TV-приемников и мониторов. Справочник
Автор: Авраменко Ю. Ф.
Издательство: Додэка-ХХI, МК-Пресс
Год: 2006
Страниц: 538
Формат: DJVU
Размер: 87,1 МБ
ISBN: 5-94120-126-5, 966-8806-17-4
Качество: Отличное
Серия или Выпуск: Элементная база
Язык: Русский

Содержание:

Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD
FJA13009; FJAF6806D; FJAF6808D; FJAF6810; FJAF6810D; FJAF6812; FJAF6815; FJAF6820; FJAF6910; FJAF6916; FJAF6920; FJD5304D; FJE3303; FJE5304D; FJL6820; FJL6825; FJL6920; FJN13003; FJP3305; FJP5021; FJP5304D; FJP5321; FJP5355; FJP5554; FJP5555; FJPF13007; FJPF13009; FJPF3305; FJPF5021; FJPF5027; FJPF5321; FJPF5555; FJPF6806D; KSA1156; KSC2233; KSC2333; ICSC2335; KSC2518; KSC2751; KSC2752; KSC3552; KSC5026M; KSC5027; KSC5039F; KSC5042F; KSC5042M; KSC5338D; KSC5338DW; KSC5367F; KSC5386; KSC5504D; KSC5504DT; KSC5801; KSC5802; KSC5803; KSD362; KSD363; KSD5701; KSD5703; KSD5707; KSE5020
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства HITACHI
2SC1942; 2SC2928; 2SC3025; 2SC3026; 2SC3322; 2SC3336; 2SC3365; 2SC3658; 2SC3659; 2SC4589; 2SC4692; 2SC4742; 2SC4743; 2SC4744; 2SC4745; 2SC4746; 2SC4747; 2SC4789; 2SC4796; 2SC4797; 2SC4877; 2SC4878; 2SC4879; 2SC4880; 2SC4897; 2SC4927; 2SC4928; 2SC4962; 2SC5058; 2SC5068A; 2SC5105; 2SC5132A; 2SC5207A; 2SC5219; 2SC5250; 2SC5251; 2SC5252; 2SC5447; 2SC5448; 2SC5470; 2SD2294; 2SD2295; 2SD2296; 2SD2297; 2SD2298; 2SD2299; 2SD2300; 2SD2301; 2SD2311; 2SD2337; 2SD2342; 2SD2381; 2SD2491; 2SD2492
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ON SEMICONDUCTOR (MOTOROLA)
BU406; BU407; BUL44; BUL45; BUV21; BUV22; BUV26; BUX85; MJE13003; MJE13005; MJE13007; MJE13009; MJE16002; MJE16004; MJE16106; MJE18002; MJE18004; MJE18206; MJF18002; MJF18004; MJF18206; MJW16212
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC
2SC3506; 2SC3507; 2SC3974; 2SC4420; 2SC5243; 2SC5244; 2SC5244A; 2SC5270; 2SC5270A; 2SC5406; 2SC5406A; 2SC5407; 2SC5412; 2SC5423; 2SC5440; 2SC5478; 2SC5513; 2SC5514; 2SC5515; 2SC5516; 2SC5517; 2SC5518; 2SC5519; 2SC5546; 2SC5552; 2SC5553; 2SC5583; 2SC5584; 2SC5591; 2SC5597; 2SC5622; 2SC5686; 2SC5739; 2SC5779; 2SC5788; 2SC5884; 2SC5885; 2SC5902; 2SC5904; 2SC5905; 2SC5909; 2SC5912; 2SC5913; 2SC5914; 2SC5931; 2SC5993; 2SC6012; 2SD1439; 2SD1440; 2SD1441; 2SD1541; 2SD1632; 2SD1729; 2SD1730; 2SD1731; 2SD1732; 2SD1739; 2SD1846; 2SD1849; 2SD1850; 2SD2057
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS
BU505; BU505D; BU505DF; BU505F; BU506; BU506D; BU506DF; BU506F; BU508AF; BU508AW; BU508DF; BU508DW; BU1506DX; BU1507AX; BU1507DX; BU1508AX; BU1508DX; BU2506DF; BU2506DX; BU2507AF; BU2507AX; BU2507DF; BU2507DX; BU2508A; BU2508AF; BU2508AW; BU2508AX; BU2508D; BU2508DF; BU2508DW; BU2508DX; BU2515AF; BU2515AX; BU2515DF; BU2515DX; BU2520A; BU2520AF; BU2520AW; BU2520AX; BU2520D; BU2520DF; BU2520DW; BU2520DX; BU2522A; BU2522AF; BU2522AW 145; BU2522AX; BU2522DF; BU2522DX; BU2523AF; BU2523AX; BU2523DF; BU2523DX; BU2525A; BU2525AF; BU2525AW; BU2525AX; BU2525DF; BU2525DW; BU2525DX; BU2527A; BU2527AF; BU2527AW; BU2527AX; BU2527DF; BU2527DX; BU2530AL; BU2530AW; BU2532AL; BU2532AW; BU2708AF; BU2708AX; BU2708DF; BU2708DX; BU2720AF; BU2720AX; BU2720DF; BU2720DX; BU2722AF; BU2722AX; BU2722DF; BU2722DX; BU2725AF; BU2725AX; BU2725DF; BU2725DX; BU2727A; BU2727AF; BU2727AW; BU2727AX; BU2730AL; BU4506AF; BU4506AX; BU4506AZ; BU4506DF; BU4506DX; BU4506DZ; BU4507AF; BU4507AX; BU4507AZ; BU4507DF; BU4507DX; BU4507DZ; BU4508AF; BU4508AX; BU4508AZ; BU4508DF; BU4508DX; BU4508DZ; BU4515AF; BU4515AX; BU4515DF; BU4515DX; BU4522AF; BU4522AX; BU4522DF; BU4522DX; BU4523AF; BU4523AW; BU4523AX; BU4523DF; BU4523DW; BU4523DX; BU4525AF; BU4525AL; BU4525AW; BU4525AX; BU4525DF; BU4525DL; BU4525DW; BU4525DX; BU4530AL; BU4530AW; BU4530AX; BU4540AL; BU4540AW; BU4550AL; BUJ101A; BUJ101AU; ВUJ101АХ; BUJ103A; BUJ103AU; ВUJ103АХ; BUJ105A; BUJ105AB; BUJ105AX; BUJ106A; BUJ106AX; BUJ202A; BUJ202AX; ВUJ204А; ВUJ204АХ; ВUJ205А; ВUJ205АХ; BUJ301A; ВUJ301АХ; BUJ302A; BUJ302AX; ВUJЗОЗА; ВUJ303АХ; BUJ304A; BUJ304AX; BUJ403A; BUJ403AX; ВUJ403ВХ; BUT11; BUT11A; BUT11AF; BUT11AI; BUT11AX; BUT11APX; BUT11APX-1200; BUT11F; BUT11XI; BUT12; BUT12A; BUT12AF; BUT12AI; BUT12F; BUT12XI; BUT18; BUT18A; BUT18AF; BUT18F; BUW11AF; BUW11F; BUW11AW; BUW11W; BUW13AF; BUW13F; BUW13AW; BUW13W; BUW14; BUX84; BUX84F; BUX84S; BUX85; BUX85F; BUX86P; BUX87P; BUX87-1100
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SAMSUNG
KSD5001; KSD5002; KSD5003; KSD5004; KSD5005; KSD5007; KSD5011; KSD5013; KSD5015; KSD5017
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANKEN
2SC3678; 2SC3679; 2SC3680; 2SC3830; 2SC3831; 2SC3832; 2SC3833; 2SC3890; 2SC3927; 2SC4020; 2SC4130; 2SC4138; 2SC4139; 2SC4140; 2SC4296; 2SC4297; 2SC4298; 2SC4299; 2SC4300; 2SC4304; 2SC4418; 2SC4434; 2SC4445; 2SC4517; 2SC4517A; 2SC4518; 2SC4518A; 2SC4546; 2SC4557; 2SC4662; 2SC4706; 2SC4907; 2SC4908; 2SC5002; 2SC5003; 2SC5071; 2SC5124; 2SC5130; 2SC5239; 2SC5249; 2SC5271; 2SC5287
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO
2SA1402; 2SA1403; 2SA1404; 2SA1405; 2SA1406; 2SA1407; 2SA1474; 2SA1475; 2SA1476; 2SA1536; 2SA1537; 2SA1538; 2SA1539; 2SA1540; 2SA1541; 2SA1967; 2SA1968LS; 2SC3176; 2SC3591; 2SC3595; 2SC3596; 2SC3597; 2АС3598; 2SC3599; 2SC3600; 2SC3601; 2SC3636; 2SC3637; 2SC3638; 2SC3642; 2SC3643; 2SC3675; 2SC3676; 2SC3685; 2SC3686; 2SC3687; 2SC3688; 2SC3780; 2SC3781; 2SC3782; 2SC3894; 2SC3895; 2SC3896; 2SC3897; 2SC3950; 2SC3951; 2SC3952; 2SC3953; 2SC3954; 2SC3955; 2SC3956; 2SC3995; 2SC3996; 2SC3997; 2SC3998; 2SC4030; 2SC4031; 2SC4123; 2SC4124; 2SC4125; 2SC4256; 2SC4257; 2SC4271; 2SC4291; 2SC4293; 2SC4411; 2SC4423; 2SC4425; 2SC4426; 2SC4427; 2SC4428; 2SC4429; 2SC4430; 2SC4435; 2SC4437; 2SC4440; 2SC4441; 2SC4450; 2SC4451; 2SC4475; 2SC4476; 2SC4478; 2SC4493; 2SC4563; 2SC4572; 2SC4578; 2SC4579; 2SC4630; 2SC4631; 2SC4632; 2SC4633; 2SC4634; 2SC4635; 2SC4636; 2SC4637; 2SC4660; 2SC4710; 2SC4710LS; 2SC4769; 2SC4770; 2SC4924; 2SC5041; 2SC5042; 2SC5043; 2SC5044; 2SC5045; 2SC5046; 2SC5047; 2SC5238; 2SC5296; 2SC5297; 2SC5298; 2SC5299; 2SC5300; 2SC5301; 2SC5302; 2SC5303; 2SC5443; 2SC5444; 2SC5450; 2SC5451; 2SC5452; 2SC5453; 2SC5506; 2SC5577; 2SC5578; 2SC5637; 2SC5638; 2SC5639; 2SC5680; 2SC5681; 2SC5682; 2SC5683; 2SC5689; 2SC5690; 2SC5696;2SC5698; 2SC5699; 2SC5722; 2SC5723; 2SC5776; 2SC5777; 2SC5778; 2SC5791; 2SC5792; 2SC5793; 2SC5794; 2SC5811; 2SC5899; 2SC5900; 2SC5932; 2SC5933; 2SC5966; 2SC5967; 2SC5968; 2SD1159; 2SD1876; 2SD1877; 2SD1878; 2SD1879; 2SD1880; 2SD1881; 2SD1882; 2SD1883; 2SD1884; 2SD1885; 2SD1886; 2SD1887; 2SD1908; 2SD1958; 2SD2251; 2SD2252; 2SD2578; 2SD2579; 2SD2580; 2SD2581; 2SD2624; 2SD2627LS; 2SD2629; 2SD2634; 2SD2645; 2SD2646; 2SD2648; 2SD2649; 2SD2650; 2SD2658LS; 2SD2688LS; 2SD2689LS; TS7988; TS7990; TS7992; TS7994; TT2138LS; TT2140LS; ТТ2142; TT2170LS; TT2190LS; ТТ2202
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SHINDENGEN
2SA1598; 2SA1599; 2SA1600; 2SA1601; 2SA1795; 2SA1796; 2SA1876; 2SA1877; 2SA1878; 2SA1879; 2SB1282; 2SB1283; 2SB1284; 2SB1285; 2SB1448; 2SC4051; 2SC4052; 2SC4053; 2SC4054; 2SC4055; 2SC4056; 2SC4057; 2SC4058; 2SC4059; 2SC4060; 2SC4148; 2SC4149; 2SC4150; 2SC4151; 2SC4230; 2SC4231; 2SC4232; 2SC4233; 2SC4234; 2SC4235; 2SC4236; 2SC4237; 2SC4580; 2SC4582; 2SC4583; 2SC4584; 2SC4585; 2SC4663; 2SC4664; 2SC4668; 2SC4669; 2SC4833; 2SC4834; 2SC4876; 2SC4914; 2SC4940; 2SC4941; 2SC4978; 2SC4979; 2SC4980; 2SC4981; 2SC4982; 2SC5241; 2SD1022; 2SD1023; 2SD1024; 2SD1025; 2SD1026; 2SD1027; 2SD1788; 2SD1789; 2SD1790; 2SD1791; 2SD1792; 2SD1793; 2SD1794; 2SD1795; 2SD2196
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ST — MICROELECTRONICS
BU208A; BU505; BU508A; BU508AFI; BU508DFI; BU808DFI; BUF405A; BUF405AFP; BUF410; BUF410A; BUF420; BUF420A; BUF420M; BUh2015; BUh2015HI; BUh2215; BUh3M20AP; BUh415; BUh415D; BUh415DFH; BUH515; BUH515D; BUH615D; BUH715; BUL1101E; BUL1102E; BUL118; BUL1203E; BUL1403ED; BUL213; BUL216; BUL310; BUL310FP; BUL312FH; BUL312FP; BUL381; BUL381D; BUL382; BUL382D; BUL38D; BUL39D; BUL416; BUL49D; BUL510; BUL57; BUL57FP; BUL58D; BUL59; BUL654; BUL67; BUL742; BUL810; BUL89; BULB128D-1; BULB39D; BULB49D; BULD118D-1; BULK128D; BULT118; BULT118D; BUV48C; BUV48CFI; BUW1015; BUW1215; BUX48C; HD1520FX; HD1530FX; HD1530JL; HD1750FX; HD1750JL; HD1760JL; MD1803DFX; MD2310FX; MJD47T4; MJD49T4; MJD50T4; S2000AFI; SGSF313; SGSF313PI; SGSF344; SGSF464; SGSFI464; ST13003; ST13005; ST13007; ST13007FP; ST13007N; ST13007NFP; ST1802FH; ST1803DFH; ST1803DHI; ST2001FX; ST2009DXI; ST2310DXI; ST2310FX; ST2317DFX; ST2408h2; ST83003; STB13005-1; STD13003-1; STD13003-T4; STD83003-1; STD83003-T4; STK13003; STX13005; THD200F1; THD215HI; THD218DHI; THD277HI

Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA
2SC3307; 2SC3425; 2SC3657; 2SC3715; 2SC3716; 2SC3884A; 2SC3885A; 2SC3886A; 2SC3887; 2SC3887A; 2SC3888; 2SC3888A; 2SC3889; 2SC3889A; 2SC3892; 2SC3892A; 2SC3893; 2SC3893A; 2SC4157; 2SC4288; 2SC4288A; 2SC4289; 2SC4289A; 2SC4290; 2SC4290A; 2SC4531; 2SC4532; 2SC4542; 2SC4560; 2SC4608; 2SC4757; 2SC4758; 2SC4759; 2SC4760; 2SC4761; 2SC4762; 2SC4763; 2SC4764; 2SC4765; 2SC4766; 2SC4806; 2SC4830; 2SC4916; 2SC5048; 2SC5129; 2SC5142; 2SC5143; 2SC5144; 2SC5148; 2SC5149; 2SC5150; 2SC5172; 2SC5266; 2SC5279; 2SC5280; 2SC5331; 2SC5332; 2SC5339; 2SC5353; 2SC5354; 2SC5386; 2SC5387; 2SC5404; 2SC5411; 2SC5421; 2SC5422; 2SC5439; 2SC5445; 2SC5446; 2SC5570; 2SC5587; 2SC5588; 2SC5589; 2SC5590; 2SC5612; 2SC5695; 2SC5716; 2SC5717; 2SC5748; 2SC5855; 2SC5856; 2SC5857; 2SC5858; 2SC5859; 2SD1279; 2SD1425; 2SD1426; 2SD1427; 2SD1428; 2SD1429; 2SD1430; 2SD1431; 2SD1432; 2SD1433; 2SD1543; 2SD1544; 2SD1545; 2SD1546; 2SD1547; 2SD1548; 2SD1553; 2SD1554; 2SD1555; 2SD1556; 2SD2089; 2SD2095; 2SD2125; 2SD2253; 2SD2348; 2SD2349; 2SD2428; 2SD2454; 2SD2498; 2SD2499; 2SD2500; 2SD2539; 2SD2550; 2SD2551; 2SD2553; 2SD2559; 2SD2586; 2SD2599; 2SD2638; 2SD811; 2SD818; 2SD819; 2SD820; 2SD821; 2SD822; 2SD868; 2SD869; 2SD870; 2SD871; S2000; S2000A; S2000AF; S2000F; S2000N; S2055; S2055A; S2055AF; S2055F; S2055N

Транзисторы с высокой скоростью переключения производства ZETEX
BST39; FMMT458; FMMT459; FMMT497; FZT458; FZT658; FZT857; FZTA42

Аналоги полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике

Типовое использование транзистора с высокой скоростью переключения в схемах строчной развертки

Скачать Мощные биполярные транзисторы для импульсных источников питания, TV-приемников и мониторов. Справочник

Силовые транзисторы и радиаторы

• Изучив этот раздел, вы сможете:
• Узнайте о конструкции силовых транзисторов.
• • Понять необходимость соединения коллектора и металлического корпуса.
• Понять взаимосвязь между мощностью и температурой в силовых цепях.
• • Понижение мощности.
• Понять необходимость радиаторов.
• • Способы выбора радиаторов.
• • Способы установки радиаторов.
• Рассчитайте требования к тепловому сопротивлению радиаторов.
• • Узнайте о методах преодоления ограничений в радиаторах.

Силовые транзисторы

Нет четкой разницы между «обычными» транзисторами, используемыми в усилителях напряжения и силовых транзисторах, но обычно силовые транзисторы можно отнести к категории таких, которые могут выдерживать ток коллектора (или сток в случае полевых транзисторов) более 1 Ампер.

Поскольку силовые транзисторы, такие как показанные на рис. 5.1.1, выдерживают большие токи и более высокие напряжения, они имеют конструкцию, отличную от небольших сигнальных устройств. Они должны иметь низкое выходное сопротивление, чтобы они могли передавать большие токи в нагрузку, и хорошую изоляцию перехода, чтобы выдерживать высокие напряжения. Они также должны очень быстро рассеивать тепло, чтобы не перегреваться. Поскольку большая часть тепла генерируется в соединении коллектор / база, площадь этого соединения делается как можно большей.

Мощность и температура

Максимальная номинальная мощность транзистора в значительной степени определяется температурой перехода коллектор / база, как это видно из графика снижения мощности на рис. 5.1.2. Если рассеивается слишком много мощности, этот переход становится слишком горячим и транзистор будет разрушен, типичная максимальная температура составляет от 100 ° C до 150 ° C, хотя некоторые устройства могут выдерживать более высокие максимальные температуры перехода. Максимальная выходная мощность силового транзистора тесно связана с температурой, и при температуре выше 25 ° C она линейно падает до нулевой выходной мощности при достижении максимально допустимой температуры.

Понижение мощности

Рис. 5.1.2 График снижения мощности для TIP31

Например, транзистор, такой как TIP31 с заявленной максимальной выходной мощностью P _TOT 40 Вт, может работать только с мощностью 40 Вт. IF температура корпуса (немного ниже температуры перехода) поддерживается ниже 25 ° C. Производительность силового транзистора во многом зависит от его способности рассеивать тепло, выделяемое на переходе коллектор-база.

Минимизация проблемы перегрева решается двумя основными способами:

• 1. Работая с транзистором наиболее эффективным способом, то есть выбирая класс смещения, обеспечивающий высокий КПД и наименее расточительный по мощности.
• 2. Обеспечивая, чтобы тепло, выделяемое транзистором, могло отводиться и эффективно передаваться в окружающий воздух как можно быстрее.

Метод 2, описанный выше, подчеркивает важность взаимосвязи между силовым транзистором и его радиатором, устройством, прикрепленным к транзистору с целью отвода тепла.Поэтому физическая конструкция силовых транзисторов рассчитана на максимальную передачу тепла к радиатору. Помимо обычного выводного провода коллектора, коллектор силового транзистора, который имеет гораздо большую площадь, чем у небольшого сигнального транзистора, обычно находится в прямом контакте с металлическим корпусом транзистора или металлической монтажной площадкой. , который затем может быть прикручен или прикреплен непосредственно к радиатору. Типичные силовые транзисторы в металлическом корпусе и металлическом корпусе показаны на рис.5.1.1

Поскольку усилители мощности выделяют значительное количество тепла, которое является потраченной впустую мощностью, они сделаны максимально эффективными. Для усилителей напряжения низкие искажения имеют большее значение, чем эффективность, но с усилителями мощности, хотя искажения нельзя игнорировать, эффективность жизненно важна.

Радиаторы

Рис. 5.1.3 Радиаторы

Радиатор предназначен для отвода тепла от транзистора и максимально эффективного отвода его в окружающий воздух.Радиаторы бывают разных форм, например, из оребренных алюминиевых или медных листов или блоков, часто окрашенных или анодированных в матовый черный цвет, чтобы помочь быстрее отводить тепло. Выбор радиаторов показан на рис. 5.1.3.

Очень важен хороший физический контакт между транзистором и радиатором, и перед тем, как закрепить транзистор на радиаторе, на контактную поверхность смазывают теплопередающую смазку (состав для радиатора).

Там, где необходимо обеспечить электрическую изоляцию между транзистором и радиатором, между радиатором и транзистором используется слой слюды.Слюда имеет отличную изоляцию и очень хорошие теплопроводные свойства.

Выбор подходящего радиатора

Рис. 5.1.4 Установка радиатора TO220

Доступно множество радиаторов, подходящих к конкретным типам корпусов транзисторов («корпус» относится к форме и размерам транзистора). На рис. 5.1.4 показаны различные этапы установки типичного зажима на радиатор.

,

(a) показывает трубку с теплоотводящим компаундом.

(b) показывает зажим TO220 на радиаторе.

(c) показывает транзистор TIP31, который имеет корпус типа TO220, готовый к установке.

(d) показывает металлический корпус транзистора, залитый радиатором. Это важно для создания эффективного теплообмена между транзистором и радиатором.

(e) показывает транзистор, установленный на радиаторе.

,

(f) показан альтернативный метод монтажа, используемый, когда металлический корпус транзистора (который обычно также является выводом коллектора) должен быть изолирован от радиатора.В этом примере используется слюдяная шайба TO220, а транзистор прикреплен к радиатору с помощью болта, вставленного через небольшую изолирующую втулку.

Типовой R _th Расчет для:

• Транзистор TIP31 (корпус TO220), необходимый для рассеивания 5 Вт.
• Максимальная температура перехода = 150 ° C
• Температура окружающей среды (воздуха) = 25 ° C.

• Тепловое сопротивление между переходом и корпусом, рассчитанное по графику снижения мощности Рис.5.1.2.
• R _{th j-c} = (150 ° C — 25 ° C) / 40 Вт = 3,125 ° C / Вт .
• Макс. температура корпуса при рассеивании 5 Вт = 150 — (5 x 3,125) = 134 ° C (прибл.).
• Тепловое сопротивление R _{th c-hs} между корпусом и радиатором (с учетом слюдяной шайбы) = 2 ° C / Вт.
• Макс. температура радиатора = 134 — (5 x 2) = 124 ° C .
• Для достижения температуры окружающего воздуха = 25 ° C Термическое сопротивление радиатора должно быть лучше, чем (124 — 25) / 5 = 19.8 ° C / Вт
• Лучшим выбором, чтобы избежать работы транзистора при максимально допустимой температуре , было бы выбрать радиатор с тепловым сопротивлением примерно от 10 до 15 ° C / Вт.

Расчет необходимого теплового сопротивления R _th для радиатора

Выбранный радиатор должен отводить тепло от транзистора в окружающий воздух достаточно быстро, чтобы температура перехода транзистора не превышала максимально допустимое значение (обычно указывается в паспорте транзистора), обычно от 100 до 150 ° С.

Каждый радиатор имеет параметр, называемый тепловым сопротивлением (R _th ), измеряемый в ° C / Вт, и чем ниже значение R _th , тем быстрее рассеивается тепло. Другие факторы, влияющие на рассеивание тепла, включают мощность (в ваттах), рассеиваемую транзистором, эффективность теплопередачи между внутренним переходом транзистора и корпусом транзистора и корпусом к радиатору.

Также необходимо учитывать разницу между температурой радиатора и температурой воздуха вокруг радиатора (температура окружающей среды).Главный критерий — радиатор должен быть достаточно эффективным, слишком эффективный — не проблема.

Следовательно, любой радиатор с тепловым сопротивлением ниже или равным расчетному значению должен быть в порядке, но во избежание постоянной работы транзистора при или близкой к максимально допустимой температуре, которая почти гарантированно сокращает срок службы транзистора, По возможности рекомендуется использовать радиатор с более низким тепловым сопротивлением.

График снижения мощности транзистора TIP31, показанный на рис.5.1.2 иллюстрирует взаимосвязь между мощностью, рассеиваемой транзистором, и температурой корпуса. Когда транзистор рассеивает 5 Вт, по графику можно оценить, что максимальная температура безопасного корпуса для температуры перехода 150 ° C будет примерно от 134 до 135 ° C, что подтверждает приведенный выше расчет макс. температура корпуса.

Транзистор TIP31 имеет максимальную рассеиваемую мощность P _TOT 40 Вт, но из графика на рис. 5.1.2 видно, что это достижимо только в том случае, если температура корпуса транзистора может поддерживаться на уровне 25 ° C.Температура корпуса может подниматься до 150 ° C (такая же, как максимальная температура перехода), только если рассеиваемая мощность равна нулю.

Параллельные транзисторы для приложений большой мощности

Рис. 5.1.5 Силовые транзисторы, подключенные параллельно

В приложениях с высокой мощностью может оказаться невозможным найти подходящий радиатор для конкретного транзистора, тогда одним из решений может быть использование другого силового транзистора или другого типа корпуса (корпуса), если таковой имеется.Другой альтернативой является использование двух или более транзисторов, соединенных параллельно, с разделением общей мощности между ними. Это может быть более дешевый вариант, чем один очень дорогой радиатор.

Тепловой побег

Во многих современных схемах силовые MOSFET предпочтительнее BJT из-за проблемы теплового разгона BJT. Это процесс, при котором ток увеличивается как естественный эффект в полупроводниках при повышении температуры устройства. Это повышение температуры затем приводит к дальнейшему увеличению электрического тока и последующему дальнейшему повышению температуры, пока повышение температуры и тока не выйдет из-под контроля и устройство не будет разрушено.

При параллельном подключении нескольких плохо согласованных транзисторов транзистор, который изначально пропускает наибольший ток, нагревается, в то время как другие, пропускающие меньший ток, становятся холоднее. Следовательно, более горячий транзистор может подвергаться опасности теплового разгона, однако тщательно подобранные BJT могут быть предпочтительнее полевых МОП-транзисторов для некоторых приложений высокого напряжения.

Начало страницы

RF силовой транзистор

RF силовой транзистор

Биполярный силовой транзистор NPN

Приемопередатчик

CB

9019

AM

30198

,4689

30 МГц

BCE

15 Вт

AM 9019 9019 9019 9019 9019 9019 9019 92L

-31E

AMB

100

BEC 9019 22019 22019

FM AM / SSB

Транзистор	Мощность	Усиление	Напряжение	Частота	Режим	Корпус	Штырь 123
2N3375	10W	9019 9019 9019 9019 9019 9019	AM 9019	TO-60
2N3553	2,5 Вт	10 дБ	28 В	175 МГц	FM / AM	TO-39	CBE		CBE		28V	175MHz	FM	TO-60
2N3866	5W	10dB	28V	400MHz	9019 9019 9019 9019 9019 9019 9019 9019 CB 9019	2N3924	4 Вт	6 дБ	13,6 В	175 МГц	WIN Приемопередатчик	TO-3 9
2N4427	2 Вт	10 дБ	12 В	175 МГц	WIN Приемопередатчик	К-39						WIN Приемопередатчик	TO-39
2N5109	3,5 Вт	11 дБ	15V	200 МГц	WIN				3 Вт	9 дБ	13,5 В	175 МГц	WIN Трансивер	TO-39
2N5913	2W 7199	2W 7199	TO-39
2N5943	1 Вт	8 дБ	15V	400 МГц	FM	TO-39
2SC730	0,8W	10 дБ	13,5V	175MHz	FM	2SC1096	10 Вт			60 МГц	FM	TO-220
2SC1173	10W	AM
2SC1306	16 Вт			30 МГц	FM / AM / SSB	TO-220	BCE
2SC1309	12 В 19 FM / AM / SSB	TO-220	BCE
2SC1590	5 Вт	10 дБ	12,5 В	136-174 МГц 90 199	FM	TO-220	BEC
2SC1591	14 Вт	7,5 дБ	12,5 В	136-174 МГц	FM	TO-2206	TO-2206	5 Вт			30 МГц	WIN Приемопередатчик	TO-220	BCE
2SC1728	8W				EBC
2SC1729	14 Вт	10 дБ	13,5 В	175 МГц	FM	T-31E
9019 9	50 МГц	FM / AM / SSB	TO-220	BCE
2SC1944	13 Вт	11,1 дБ	12 В	30 МГц	WIN Приемопередатчик	TO-220	BCE
2SC1945	16 Вт	14,5 дБ	12 В /	30198 AMB	BEC
2SC1946	25 Вт	6,7 дБ	13,5 В	175 МГц	FM	T-31E
	175 МГц	FM	T-31E
2SC1947	3 Вт	10 дБ	13,5 В	175 МГц	FM	9019 9019 9019 9019 9019 CB 9019 9019 9019 9019 9019 , 8 Вт	17 дБ	12 В	30 МГц	WIN Приемопередатчик	TO-126	ECB
2SC1966	3W	7,8 дБ	13,5 В	470 МГц	FM	T-31E
2SC1967	7W	6,7 дБ	13,58V					31E
2SC1968	14 Вт	3,7 дБ	13,5 В	470 МГц	FM	T-31E
			, 5 В	470 МГц	FM	T-31E
2SC1969	18 Вт	12 дБ	12 В	FM / AM / SSB 9019 9019 9019 9019 B / AM / SSB 9019	2SC1970	1,5 Вт	10 дБ	13,5 В	175 МГц	WIN Приемопередатчик	TO-220	BEC
2SC1971 7	10 дБ	13,5 В	175 МГц	WIN Приемопередатчик	TO-220	BEC
2SC1972	14W		10 дБ	TO-220	BEC
2SC1973	1 Вт			50 МГц	WIN Приемопередатчик	TO-92L	BCE			BCE			, 5V	30 МГц	WIN Приемопередатчик	TO-220	BCE
2SC1975	4W	10dB	13,5V	TO19 9019 9019 9019 9019 9019 9019 9019 9019 9019 9019	BCE
2SC2028	1,8 Вт			30 МГц	WIN 90 263 Приемопередатчик	TO-126	ECB
2SC2029	6 Вт			30 МГц	WIN Приемопередатчик							WIN Приемопередатчик	TO-202	BCE
2SC2050	10W	12dB	9019/9019 TO19 220	BCE
2SC2053	0,2 Вт	15,7 дБ	12 В	175 МГц	FM / AM	TO-92L	BCE
								15,3 дБ	12 В	175 МГц	FM / AM	TO-92L	BCE
2SC2056	1,5 Вт	9 дБ	12 В	175 МГц	FM	TO-39	CBE
2SC2075	4W		13,5V	27 МГц	трансивер	WIN
2SC2078	4 Вт	13 дБ	12 В	100 МГц	FM / AM	TO-220	BCE
2SC2086								FM / AM	TO-92L	BCE
2SC2092	4 Вт	13 дБ	12 В	100 МГц	FM / AM / SSB	TO-220		8,8 дБ	13,5 В	175 МГц	FM / AM / SSB	T-31E
2SC2166	6 Вт	13,8 дБ	12 В	30 МГц	FM / AM / SSB	TO-220	BCE
2SC2207	16 Вт						BCE
2SC2237	6 Вт	13,8 дБ	13,5 В	175 МГц	FM	T-31E
			27 МГц	FM / AM / SSB	TO-220	BCE
2SC2314	1,8 Вт	17 дБ	12 В	180 МГц	FM / AM
2SC2509	13 Вт	14 дБ		30 МГц	WIN Приемопередатчик	TO-220	BCE
2SC2527	60Вт				WIN Приемопередатчик	TO-220
2SC2538	0,6W	10dB	BCE
2SC2539	14 Вт	14,5 дБ	13,5 В	175 МГц	FM	T-31E
									WIN Приемопередатчик	TO-220
2SC2695	23W	1,9 дБ	13,5V	520MHz	FM					6 Вт	13 дБ	7,2 В	175 МГц	FM	T-31E
2SC3017 9019 9	1 Вт	11 дБ	13,5 В	175 МГц	FM	TO-39	CBE
2SC3018	3 Вт	13 дБ 9019 9019
2SC3020	3 Вт	10 дБ	12,5 В	520 МГц	FM	T-31E
	7199					5 В	520 МГц	FM	T-31E
2SC3022	18 Вт	4,8 дБ	12,5 В	520199			520199 FM					2,8 Вт	6,7 дБ	7,2 В	520 МГц	FM	T-31E
2SC3104	6 Вт	4,8198	4,8198 7,2 В	520 МГц	FM	T-31E
2SC3133	13 Вт	14 дБ	12 В	1,5–30 МГц	FM 9019 / AM 9019 / AM	BEC
2SC3297	15 Вт			100 МГц	WIN Приемопередатчик	TO-220
		TO-220
2SC3668	1 Вт			100 МГц	WIN Приемопередатчик												Приемопередатчик	TO-126
2SC4137	4 Вт			400 МГц	WIN Приемопередатчик	TO-126
2SC4693				KTC1006	1 Вт			100 МГц	FM / AM	TO-92L	ECB
KTC1969	16W			12 дБ -220	BCE
KTC2078	4 Вт	11 дБ	12 В	100 МГц	FM / AM	TO-220	BCE
				12,5 В	225-500 МГц	FM / AM	TO-220	BEC
MRF162	15 Вт	13,5 дБ	12,5 В	225-500 МГц	FM / AM	TO-220	BEC
MRF163	25 Вт	12 дБ	12,5819	12,5819 FM / AM	TO-220	BEC
MRF237	4 Вт	12 дБ	18 В	175 МГц	WIN Приемопередатчик						10 дБ	12,5 В	136-174 МГц	FM	TO-220	BEC
MRF261	10 Вт	5,2 дБ	12,58	TO-220	BEC
MRF262	14 Вт	7,5 дБ	12,5 В	136-174 МГц	FM	TO-220	BEC6	30 Вт	5,2 дБ	12,5 В	136-174 МГц	WIN Приемопередатчик	TO-220	BEC
MRF340									WIN Приемопередатчик	TO-220	BEC
MRF342	24 Вт	11 дБ	28V	70 МГц	WIN		60 Вт	6 дБ	28 В	70 МГц	WIN Приемопередатчик	TO-220
MRF454	80W	12198				9019 / AM / SSB
MRF455	60 Вт	13 дБ	12,5 В	1,5-30 МГц	FM / AM / SSB
MRF475	12 Вт	10 дБ	13,5 В	1,5–30 МГц	FM / AM / SSB	TO-220 BCE	MRF476	3 Вт	15 дБ	13,5 В	1,5-30 МГц	FM / AM / SSB	TO-220	BCE
15 MRF477			40W	5V	1,5-30 МГц	FM / AM / SSB	TO-220	BEC
MRF479	15W	10 дБ	13,5V	1,5-30MHz	TO-220
MRF485	15 Вт	10 дБ	28 В	1,5-30 МГц	WIN Приемопередатчик				TO-220	40 Вт	15 дБ	28 В	1,5-30 МГц	WIN Приемопередатчик	TO-220
MRF496	40 Вт	15 дБ	13,5V	1,5-30198 WIN трансивер	TO-220
MRF497	60 Вт	10 дБ	13,5 В	27-50 МГц	WIN Приемопередатчик	TO-220			BEC	75 Вт	10 дБ	20 В	1000 МГц	WIN Приемопередатчик	TO-39
MRF607	1,75 Вт	11,5198 9019			9019		TO-39
MRF660	7 Вт	5,4 дБ	12,5 В	400-512 МГц	WIN Трансивер 902 64	TO-220
MS1226	30W	18dB	28V	30MHz	FM / AM / SSB				MSB	MSB , 5 В	30 МГц	FM / AM / SSB

FET транзистор питания

9019 9019

Транзистор	Мощность	Усиление	Напряжение	Частота	Режим	Корпус	Контакт 123
MRF134	5W			AM	/ SSB
MRF136	15 Вт	16 дБ	28 В	30–225 МГц	FM / AM / SSB											2-225 МГц	FM / AM / SSB
MRF171A	45 Вт	19,5 дБ	28 В	30-225 МГц FM / AM / 9019 9019 9019 9019 9019 9019 SSB
MRF173	80 Вт	13 дБ	28 В	30–225 МГц	FM / AM / SSB
MRF174	125 Вт	11,8 дБ	28 В	30-225 МГц	FM / AM / SSB
MS1307	258	258	FM / AM / SSB	TO-220	GDS

CB Radio Banner
Обмен

STD13007 (AUK) — Силовой транзистор, переключающий биполярный силовой транзистор

KST-H023-000

1

СТД 13007

Кремниевый силовой транзистор НПН

Характеристики

Высокоскоростное переключение
В

Генеральный директор (с.с.)

= 400 В

Подходит для переключения регулятора и управления двигателем

Заказ

Информация

Тип NO.Маркировочный код упаковки

STD13007 STD13007 К-220AB

Габаритные размеры, единица:

мм

S

S

e

e

м

м

и

и

с

с

или

или

n

n

д

д

u

u

с

с

т

т

или

или

r

r

PIN-соединения

1.База

2. Коллектор

3. Излучатель

KST-H023-000

2

СТД 13007

Абсолютные максимальные значения

(Тс = 25)

Условное обозначение

Рейтинги

Блок

Напряжение коллектор-база

В

CBO

700 В

Напряжение коллектор-эмиттер

В

Генеральный директор

400 В

Напряжение эмиттер-база

В

EBO

9 В

Ток коллектора (постоянный ток)

I

С

8 А

Ток коллектора (Импульсный)

I

CP

16 А

Базовый ток (постоянный ток)

I

B

4 А

Общая рассеиваемая мощность (Tc = 25)

P

D

80 Вт

Температура перехода

т

j

150

С

Температура хранения

т

stg

-55 ~ 150 ° C

Электрические характеристики

(Тс = 25)

Условное обозначение

Тест

Состояние

Мин.

Тип.

Макс.

Блок

Коллектор-эмиттер поддерживающего напряжения

BV

Генеральный директор

I

С

= 10 мА, я

B

= 0 400

–

–

В

Ток отключения эмиттера

I

EBO

В

EB

= 9 В, я

С

= 0–

–

1

мА

I

С

= 2А, В

CE

= 5В 8

–

60

Коэффициент усиления постоянного тока

ч

FE

*

I

С

= 5А, В

CE

= 5 В 5

–

30

I

С

= 2А, я

B

= 0.4А —

–

1

I

С

= 5А, я

B

= 1А —

–

2

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

В

CE (сб)

*

I

С

= 8А, я

B

= 2А —

–

3

В

I

С

= 2А, я

B

= 0.4А —

–

1,2

Напряжение насыщения база-эмиттер

В

BE (сб)

*

I

С

= 5А, я

B

= 1А —

–

1,6

В

Частота перехода

f

т

В

CE

= 10 В, я

С

= 0,5 А, f = 1 МГц

4

–

–

МГц

Выходная емкость

С

ob

В

CB

= 10 В, я

E

= 0, f = 0.1 МГц

–

80

–

пФ

Время включения

т

по

–

–

1,6

Время хранения

т

stg

–

–

3

Время осени

т

f

В

CC

= 125 В, я

С

= 5А

I

B1

= -I

B2

= 1А

— — 0.7

* Импульсный тест: PW300, рабочий цикл2%.

KST-H023-000

3

СТД 13007

Кривые электрических характеристик

stg

f

Рис.1 P

Д

— Т

К

Фиг.2 V

BE (сб)

, В

CE (сб.)

— Я

К

Фиг.3 ч.

FE-

Я

К

Рис.4 Время выключения

Рис.5 Время включения

Рис.6 Емкость

KST-H023-000

4

СТД 13007

Рис.7 Зона безопасной эксплуатации

Что такое транзистор PNP? — Определение, символ, конструкция и работа

Определение: Транзистор, в котором один материал n-типа легирован двумя материалами p-типа, такого типа транзистор, известен как транзистор PNP.Это устройство, управляемое током. Небольшая величина базового тока контролировала как эмиттерный, так и коллекторный ток. Транзистор PNP имеет два кристаллических диода, соединенных спиной друг к другу. Левая сторона диода известна как диод эмиттер-база, а правая сторона диода известна как диод коллектор-база.

Отверстие — это основные носители PNP-транзисторов, которые составляют в нем ток. Ток внутри транзистора формируется из-за изменения положения отверстий, а в выводах транзистора — из-за потока электронов.Транзистор PNP включается, когда через базу протекает небольшой ток. Направление тока в транзисторе PNP — от эмиттера к коллектору.

Буква PNP-транзистора указывает напряжение, требуемое для эмиттера, коллектора и базы транзистора. База PNP-транзистора всегда была отрицательной по отношению к эмиттеру и коллектору. В транзисторе PNP электроны снимаются с клеммы базы. Ток, который входит в базу, усиливается на концах коллектора.

Обозначение транзистора PNP

Обозначение транзистора PNP показано на рисунке ниже. Стрелка внутрь показывает, что направление тока в транзисторе PNP — от эмиттера к коллектору.

Конструкция транзистора PNP

Конструкция транзистора PNP показана на рисунке ниже. Переход эмиттер-база подключен с прямым смещением, а переход коллектор-база подключен с обратным смещением. Эмиттер, который подключен в прямом смещении, притягивает электроны к батарее и, следовательно, составляет ток, протекающий от эмиттера к коллектору.

База транзистора всегда находится в положительном положении по отношению к коллектору, так что отверстие от коллекторного перехода не может войти в базу. И база-эмиттер удерживается впереди, из-за чего дыры из области эмиттера входят в базу, а затем в область коллектора, пересекая область обеднения.

Работа транзистора PNP

Переход эмиттер-база соединен с прямым смещением, из-за чего эмиттер проталкивает отверстия в области основания.Эти отверстия составляют ток эмиттера. Когда эти электроны перемещаются в полупроводниковый материал или основу N-типа, они объединяются с электронами. База транзистора тонкая и очень слабо легированная. Следовательно, только несколько дырок в сочетании с электронами, а оставшиеся перемещаются к слою объемного заряда коллектора. Отсюда развивается базовый ток.

База коллектора подключена с обратным смещением. Отверстия, которые собираются вокруг области истощения при воздействии отрицательной полярности, собираются или притягиваются коллектором.Это развивает ток коллектора. Полный ток эмиттера протекает через ток коллектора I _C .

Power Transistor — перевод на немецкий — примеры английский

Эти примеры могут содержать грубые слова на основании вашего поиска.

Эти примеры могут содержать разговорные слова, основанные на вашем поиске.

Изобретение относится к креплению для электронного компонента, в частности силового транзистора , связанного с охлаждающим телом.

Die Erfindung betrifft eine Halterung für ein, einem Kühlkörper zugeordnetes elektronisches Bauelement, insbesondere Leistungstransistor .

Силовой транзистор по любому из предшествующих пунктов, отличающийся тем, что указанные средства переключения (6,7; 18,19 ‘, 22,23) предусмотрены на каждых двух элементарных транзисторах (3; 16).

Leistungstransistor nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Schalteinrichtungen (6,7; 18,19 ‘, 22,23) nach jeweils zwei Elementartransistoren (3; 16) vorgesehen sind.

Конструкция для улучшения охлаждения силового транзистора .

Схема саморегулирующегося драйвера с регулировкой уровня насыщения для тока базы силового транзистора .

Способ изготовления силового транзистора со свойствами удержания напряжения холостого хода.

Устройство для включения и выключения силового транзистора .

Схема для сокращения времени выключения силового транзистора .

Схема для контроля состояния переключения силового транзистора .

Паяльная поверхность силового транзистора на печатной плате.

3. Схема по п.4, отличающаяся тем, что указанная часть схемы считывания содержит операционный усилитель (OP1), принимающий на одном из своих входов сигнал напряжения, снятый с одного вывода силового транзистора (Pmos2).

Eine Schaltung entsprechend Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Erkennungsschaltungsteil einen Operationsverstärker (OP1) umfasst, der an einem seiner Eingänge ein von einem Anschluss

einesserverstärker (OP1).

Переключатель (1) содержит корпус (2) для размещения по меньшей мере одного тепловыделяющего элемента питания, такого как , силовой транзистор , MS-FET, симистор и т.п., который, в частности, расположен в электрической цепи. договоренность.

Der Schalter (1) besitzt ein Gehäuse (2) zur Aufnahme wenigstens eines wärmeerzeugenden Leistungsbauteils, wie eines Leistungtransistors , eines MOS-FETs, eines Triacs o.dgl., das insbesondere in einer elektrischen Schaltungsanordnung angeordnet ist.

Регулятор по п.1, отличающийся тем, что упомянутый участок схемы (8) активен на управляющем выводе силового транзистора (P4), вставленного между первым опорным напряжением источника питания (Vpp) и усилителем (2).

Regler nach Anspruch 1 und dadurch gekennzeichnet, dass der Kreisbereich (8) an dem Steueranschluss eines Leistungtransistors (P4), der zwischen die erste Vergleichsversorgungsspannung (Vpp) und den Verstärset (2)

КОНСТРУКЦИЯ СХЕМЫ ДЛЯ ЗАЩИТЫ ОТ ПЕРЕНАПРЯЖЕНИЯ СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ ИНДУКТИВНОЙ НАГРУЗКОЙ

СХЕМА И МЕТОДИКА ПРОВЕРКИ РАБОТЫ СИЛОВОГО ТРАНЗИСТОРА

Силовой транзистор по п.5, отличающийся тем, что резисторы (20) предусмотрены между упомянутыми вторичными эмиттерными областями (18) упомянутого первого множества (11) элементарных транзисторов (16) и упомянутым общим эмиттерным выводом (E).

Leistungstransistor nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß Widerstände (20) zwischen den sekundären Emitterbereichen (18) der ersten Anzahl (11) von Elementartransistoren (16) und dem gemeinsamensamen Emit.

Схема управления током переключения краев силовой транзистор

Мостовая схема для управления базой силового транзистора .

Схема управления переключением силового транзистора .

Вход и выход устройства для подачи прерываемой мощности (10) также могут быть развязаны посредством полевого транзистора (22), который работает как силовой транзистор .