В чем разница между диодом Шоттки и ограничительным диодом Шоттки? Сдвоенный диод шоттки

Диоды Шоттки в SMD корпусах Маркировка Характеристики Цены

Мы надеемся, что вся информация, представленная в каталоге, будет полезна и производителям промэлектроники, и сервисным центрам, и радиолюбителям.

Информация по размерам контактных площадок электронных компонентов, применяемых для разработки, сборки и монтажа печатных плат, находится в разделе Печатные платы.

Маломощные диоды Шоттки Упаковка: В блистр-ленте на катушке диаметром 180 мм по 3000 диодных сборок в SOT323 и по 3000 в корпусе SOT23. Диоды Шоттки от 1 Ампера Маркировка диода Шоттки Макс. обратное напряжение Макс. ток Имп. прямой ток Макс. прямое напряжение Максимальный обратный ток Тип корпуса диода Характеристики диода Склад Заказ SS14 40В 1А 30А 0,5В 0,5мА при 25°С и 50мА при 100°С SMA SS16 60В 1А 30А 0,7В 0,5мА при 25°С и 50мА при 100°С SMA S100 100В 1А 30А 0,85В 0,5мА при 25°С и 20мА при 100°С SMA MS120 200В 1А 30А 0,9В 0,002мА при 25°С и 20мА при 125°С SMA SR24 40В 2А 50A 0,5В 0,5 мАпри 25°С и 20мА при 100°С SMA SR26 60В 2А 50A 0,7В 0,5 мАпри 25°С и 20мА при 100°С SMA SX34 (SK34А) 40В 3А 80А 0,5В 0,2мА при 25°С и 20мА при 100°С SMA SX36 60В 3А 80А 0,75В 0,1мА при 25°С и 20мА при 100°С SMA SK34 40В 3А 100А 0,5В 0,5 мА при 25°С и 20мА при 100°С SMC MB310 (SK39 PanJit) 100В 3А 100А 0,8В 0,05мА при 25°С и 20мА при 100°С SMC MB510 (SK59 PanJit) 100В 5А 100А 0,8В 0,05мА при 25°С и 10мА при 100°С SMC SVC10120VB 120В 10А 200А 0,79В 0,010мА TO-277B Купить Упаковка: В блистр-ленте на катушке диаметром 330 мм по 5000 диодов Шоттки в TO-277B и MELF, по 3000 в SMC. В блистр-ленте на катушке диаметром 180 мм по 1800 диодов Шоттки в SMA. Быстрые диоды Шоттки Упаковка: В блистр-ленте на катушке диаметром 180 мм по 3000 диодов Шоттки в SOD123FL. Мосты на диодах Шоттки Упаковка: В блистр-ленте на катушке диаметром 180 мм по 1000 мостов на диодах Шоттки TS140S, TS240S. Диоды Шоттки широко используются в низковольтных цепях вследствие малого падения на переходе структуры метал-полупроводник. Для работы в цепях с высоким напряжением созданы высоковольтные выпрямительные диоды со структурой, состоящей из двух полупроводников. Сборки из четырех диодов полупроводниковых структур позволяют изготавливать диодные мосты для работы в выпрямителях сетевых источников питания. В более высокочастотных преобразователях напряжений применяются импульсные диоды. Для защиты от перенапряжений цепей питания разработаны ограничительные диоды. Двухвыводная полупроводниковая структура способная излучать свет при включение в электрическую цепь получила название светоизлучающий диод, сокращено светодиод . Различают одноцветные светодиоды состоящие из одного полупроводникового кристалла и многоцветные из кристаллов излучающих свет различных цветов. Первые представлены в разделе LED светодиодов 0603 и 1206 вторые в разделе двухцветные и трёхцветные светодиоды. Диоды, работающие на обратном участке ВАХ, имеющие резкую зависимость тока от напряжения используются в качестве источников опорного напряжения и называются полупроводниковые стабилитроны.

Электронный каталог Корзина Корзина пуста

www.smd.ru

Сдвоенные диоды шоттки справочник. Диод Шоттки. Особенности и обозначение на схеме

Упаковка: В блистр-ленте на катушке диаметром 180 мм по 3000 диодных сборок в SOT323 и по 3000 в корпусе SOT23.

Диоды Шоттки от 1 Ампера

Маркировка диода Шоттки Макс. обратное напряжение Макс. ток Имп. прямой ток Макс. прямое напряжение Максимальный обратный ток Тип корпуса диода Характеристики диода Склад Заказ SM5819 40В 1А 25A 0,6В 1,0мА при 25°С и 10мА при 100°С MELF SS14 40В 1А 30А 0,5В SMA SS16 60В 1А 30А 0,7В 0,5мА при 25°С и 50мА при 100°С SMA S100 100В 1А 30А 0,85В 0,5мА при 25°С и 20мА при 100°С SMA MS120 200В 1А 30А 0,9В 0,002мА при 25°С и 20мА при 125°С SMA SR24 40В 2А 50A 0,5В SMA SR26 60В 2А 50A 0,7В 0,5 мАпри 25°С и 20мА при 100°С SMA SX34 (SK34А) 40В 3А 80А 0,5В 0,2мА при 25°С и 20мА при 100°С SMA SX36 60В 3А 80А 0,75В 0,1мА при 25°С и 20мА при 100°С SMA SK34 40В 3А 100А 0,5В 0,5 мА при 25°С и 20мА при 100°С SMC MB310 (SK39 PanJit) 100В 3А 100А 0,8В 0,05мА при 25°С и 20мА при 100°С SMC MB510 (SK59 PanJit) 100В 5А 100А 0,8В 0,05мА при 25°С и 10мА при 100°С SMC SVC10120VB 120В 10А 200А 0,79В 0,010мА TO-277B

Купить

Упаковка: В блистр-ленте на катушке диаметром 330 мм по 5000 диодов Шоттки в TO-277B и MELF, по 3000 в SMC. В блистр-ленте на катушке диаметром 180 мм по 1800 диодов Шоттки в SMA.

Быстрые диоды Шоттки

Упаковка: В блистр-ленте на катушке диаметром 180 мм по 3000 диодов Шоттки в SOD123FL.

Диод Шоттки еще одна разновидность типичного полупроводникового диода, его отличительная особенность это малое падение напряжения при прямом включении. Название свое он получил в честь немецкого физика изобретателя Вальтера Шоттки. В этих диодах в роли потенциального барьера применяется переход металл-полупроводник, а не p-n переход. Допустимое обратное напряжение диодов Шоттки обычно около 1200 вольт, например CSD05120 и его аналоги, на практике они используются в низковольтных цепях при обратном напряжении до нескольких десятков вольт.

На принципиальных схемах они обозначается почти как диод, мотри рисунок выше, но с небольшими графическими отличиями, кроме того достаточно часто попадаются сдвоенные диоды-шоттки.

Сдвоенный диод Шоттки – это два отдельных элемента собранных в одном общем корпусе причем выводы катодов или анодов этих компонентов объединены. Поэтому сдвоенный диод, обычно трех выводной. В импульсных и компьютерных блоках питания можно достаточно часто ув

kgrant.ru

Диод Шоттки: открытие, высота барьера, преимущества

Диод Шоттки – это полупроводниковый электрический выпрямительный элемент, где в качестве барьера используется переход металл-полупроводник. В результате приобретаются полезные свойства: высокое быстродействие и малое падение напряжения в прямом направлении.

Из истории открытия диодов Шоттки

Выпрямительные свойства перехода металл-полупроводник впервые замечены в 1874 году Фердинандом Брауном на примере сульфидов. Пропуская ток в прямом и обратном направлении, он отметил разницу в 30%, что в корне противоречило известному закону Ома. Браун не смог объяснить происходящего, но, продолжив исследования, установил, что и сопротивление участка пропорционально протекающему току. Что также выглядело необычно.

Выпрямительный диод

Опыты повторились физиками. К примеру, Вернер Сименс отметил похожие свойства селена. Браун установил, что свойства конструкции проявляются наиболее ярко при небольшом размере контактов, приложенных к кристаллу сульфида. Исследователь применял:

• подпружиненную проволоку с давлением 1 кг;
• ртутный контакт;
• металлизированную медью площадку.

Так на свет появился точечный диод, в 1900 году помешавший нашему соотечественнику Попову взять патент на детектор для радио. В собственных работах Браун излагает исследования марганцевой руды (псиломелана). Прижав контакты к кристаллу струбциной и изолировав губки от токонесущей части, учёный получил превосходные результаты, но применения эффекту в то время не нашлось. Описав, необычные свойства сульфида меди, Фердинанд положил начало твердотельной электронике.

За Брауна практическое применение нашли единомышленники. Профессор Джагдиш Чандра Бос сообщил 27 апреля 1899 года о создании первого детектора-приёмника для работы в паре с радиопередатчиком. Он использовал галенит (оксид свинца) в паре с простым проводом и поймал волны миллиметрового диапазона. В 1901 году запатентовал своё детище. Не исключено, что под влиянием слухов о Попове. Детектор Боса использован в первой трансатлантической радиопередаче Маркони. Аналогичного рода устройства на кристалле кремния запатентовал в 1906 году Гринлиф Уиттер Пиккард.

Гринлиф Уиттер Пиккард

В своей речи на вручении Нобелевской премии в 1909 году Браун отметил, что не понимает принципов открытого им явления, зато обнаружил целый ряд материалов, проявляющих новые свойства. Это уже упомянутый выше галенит, пирит, пиролюзит, тетраэдрит и ряд прочих. Перечисленные материалы привлекли внимание по простой причине: проводили электрический ток, хотя считались соединениями элементов таблицы Менделеева. Прежде подобные свойства считались прерогативой простых металлов.

Наконец, в 1926 году уже появились первые транзисторы с барьером Шоттки, а теорию под явление подвёл Уильям Брэдфорд Шокли в 1939 году. Тогда же Невилл Франсис Мот объяснил явления, происходящие в на стыке двух материалов, вычислив ток диффузии и дрейфа основных носителей заряда. Вальтер Шоттки дополнил теорию, заменив линейное электрическое поле затухающим и добавив представление о донорах ионов, расположенных в приповерхностном слое полупроводника. Объёмный заряд на границе раздела под слоем металла назвали именем учёного.

Схожие попытки подведения теории под имеющийся факт предпринимал Давыдов в 1939 году, но неправильно дал лимитирующие факторы для тока и допустил прочие ошибки. Самые правильные выводы сделал Ханс Альбрехт Бете в 1942 году, увязавший ток с термоэлектронной эмиссией носителей сквозь потенциальный барьер на границе двух материалов. Таким образом, современное название явления и диодов должно бы носить имя последнего учёного, теория Шоттки обнаруживала изъяны.

Учёный Шоттки

Теоретические исследования упираются в сложность измерения работы выхода электронов из материала в вакуум. Даже для химически инертного и стабильного металла золота определённые показания разнятся от 4 до 4,92 эВ. При высокой степени вакуума, в отсутствие ртути от насоса или масляной плёнки, получаются значения в 5,2 эВ. С развитием технологии в будущем предвидятся значения точнее. Иным вариантом решения станет использование сведений об электроотрицательности материалов для правильного предсказания событий на границе перехода. Эти величины (по шкале Поллинга) известны с точностью до 0,1 эВ. Из сказанного понятно: сегодня правильно предсказать высоту барьера по указанным методикам и, следовательно, выпрямительные свойства диодов Шоттки не представляется возможным.

Лучшие способы определения высоты барьера Шоттки

Высоту допустимо определить по известной формуле (см. рис). Где С – коэффициент, слабо зависящий от температуры. Зависимость от приложенного напряжения Va, несмотря на сложную форму считается почти линейной. Угол наклона графика составляет q/ kT. Высоту барьера определяют по графику зависимости lnJ от 1/Т при фиксированном напряжении. Расчёт ведётся по углу наклона.

Формула для расчётов

Альтернативный метод состоит в облучении перехода металл-полупроводник светом. Используются способы:

1. Свет проходит через толщу полупроводника.
2. Свет падает прямо на чувствительную площадку фотоэлемента.

Если энергия фотона укладывается в промежуток энергий между запрещённой зоной полупроводника и высотой барьера, наблюдается эмиссия электронов из металла. Когда параметр выше обоих указанных величин, выходной ток резко возрастает, что легко заметно на установке для эксперимента. Указанный метод позволяет установить, что работы выхода для одинакового полупроводника, с разными типами типами проводимости (n и p), в сумме дают ширину запрещённой зоны материала.

Новым методом для определения высоты барьера Шоттки служит измерение ёмкости перехода в зависимости от приложенного обратного напряжения. График показывает вид прямой, пересекающей ось абсцисс в точке, характеризующей искомую величину. Результат экспериментов сильно зависит от качества подготовки поверхности. Изучение технологических методов обработки показывает, что травление в плавиковой кислоте оставляет на образце из кремния слой оксидной плёнки толщиной 10 — 20 ангстрем.

Неизменно отмечается эффект старения. Меньше характерен для диодов Шоттки, образованных путём скола кристалла. Высоты барьеров отличаются для конкретного материала, в отдельных случаях сильно зависят от электроотрицательности металлов. Для арсенида галлия фактор почти не проявляется, в случае с сульфидом цинка играет решающую роль. Зато в последнем случае слабое действие оказывает качество подготовки поверхности, для GaAs это крайне важно. Сульфид кадмия находится в промежуточном положении относительно указанных материалов.

При исследовании оказалось, что большинство полупроводников ведёт себя подобно GaAs, включая кремний. Мид объяснил это тем, что на поверхности материала образуется ряд формаций, где энергия электронов лежит в области трети запрещённой зоны от зоны валентности. В результате при контакте с металлом уровень Ферми в последнем стремится занять схожее положение. История повторяется с любым проводником. Одновременно высота барьера становится разницей между уровнем Ферми и краем зоны проводимости в полупроводнике.

Сильное влияние электроотрицательности металла наблюдается в материалах с ярко выраженными ионными связями. Это прежде всего четырёхвалентный оксид кремния и сульфид цинка. Объясняется указанный факт отсутствием формаций, влияющих на уровень Ферми в металле. В заключение добавим, что исчерпывающей теории по поводу рассматриваемого вопроса сегодня не создано.

Преимущества диодов Шоттки

Не секрет, что диоды Шоттки служат выпрямителями на выходе импульсных блоков питания. Производители упирают на то, что потери мощности и нагрев в этом случае намного ниже. Установлено, что падение напряжения при прямом включении на диоде Шоттки меньше в 1,5 – 2 раза, нежели в любом типе выпрямителей. Попробуем объяснить причину.

Рассмотрим работу обычного p-n-перехода. При контакте материалов с двумя разными типами проводимости начинается диффузия основных носителей за границу контакта, где они уже не основные. В физике это называется запирающим слоем. Если на n-область подать положительный потенциал, основные носители электроны моментально притянутся в выводу. Тогда запирающий слой расширится, ток не течёт. При прямом включении основные носители, напротив, наступают на запирающий слой, где активно с ним рекомбинируют. Переход открывается, течёт ток.

Выходит, ни открыть, ни закрыть простой диод мгновенно не получится. Идут процессы образования и ликвидация запирающего слоя, требующие времени. Диод Шоттки ведёт себя чуть по-иному. Приложенное прямое напряжение открывает переход, но инжекции дырок в n-полупроводник практически не происходит, барьер для них велик, в металле таких носителей мало. При обратном включении в сильно легированных полупроводниках способен течь туннельный ток.

Читатели, ознакомленные с темой Светодиодное освещение, уже в курсе, что первоначально в 1907 году Генри Джозеф Раунд сделал открытие на кристаллическом детекторе. Это диод Шоттки в первом приближении: граница металла и карбида кремния. Разница в том, что сегодня используют полупроводник n-типа и алюминий.

Диод Шоттки умеет не только светиться: для этих целей используют p-n-переход. Контакт металл-полупроводник не всегда становится выпрямляющим. В последнем случае называется омическим и входит в состав большинства транзисторов, где его паразитные эффекты излишни и вредны. Каким будет переход, зависит от высоты барьера Шоттки. При больших значениях параметра, превышающих температурную энергию, появляются выпрямительные свойства. Свойства определяется разностью работы выхода металла (в вакууме) и полупроводника, либо электронным сродством.

Свойства перехода зависят от применяемых материалов и от геометрических размеров. Объёмный заряд в рассматриваемом случае меньше, нежели при контакте двух полупроводников разного типа, значит, время переключения значительно снижается. В типичном случае укладывается в диапазон от сотен пс до десятков нс. Для обычных диодов минимум на порядок выше. В теории это выглядит как отсутствие повышения уровня барьера при приложенном обратном напряжении. Легко объяснить и малое падение напряжения тем, что часть перехода составлена чистым проводником. Актуально для приборов, рассчитанных на сравнительно низкие напряжения в десятки вольт.

Сообразно свойствам диодов Шоттки они находят широкое применение в импульсных блоках питания для бытовой техники. Это позволяет снизить потери, улучшить тепловой режим работы выпрямителей. Малая площадь перехода обусловливает низкие напряжения пробоя, что слегка компенсируется увеличением площади металлизации на кристалле, охватывающей часть изолированной оксидом кремния области. Эта площадь, напоминающая конденсатор, при обратном включении диода обедняет прилегающие слои основными носителями заряда, значительно улучшая показатели.

Благодаря быстродействию диоды Шоттки активно применяются в интегральных схемах, нацеленных на использование высоких частот — рабочих и частот синхронизации.

vashtehnik.ru

ДИОД ШОТТКИ

   Сегодня тема нашего обзора - диод Шоттки. Тема познавательная и напечатана специально для начинающих радиолюбителей. В современных радиосхемах очень часто встречается термин - Диод "Шоттки", так давайте узнаем, что же он из себя представляет. Диод шоттки - это полупроводниковый диод выполненный на основе контакта металл-полупроводник. Назван в честь Вальтера Шоттки. Схематическое изображение диода шоттки похоже на обычный диод с некоторыми незначительными отличиями.

   Вместо п-н перехода, в диодах шоттки в качестве барьера используют металл - полупроводник, в области этого перехода возникает потенциальный барьер - барьер шоттки, изменение высоты которого приводит к изменению протекания тока через прибор. Самая главная особенность диодов Шоттки - это низкий уровень падения прямого напряжения после перехода, отсутствие заряда обратного восстановления. На основе барьера Шоттки изготавливают в частности быстродействующие и ультрабыстрые диоды, они служат главным образом как СВЧ диоды различного назначения.

   Структура диода: 1 — полупроводниковая подложка; 2 — эпитаксиальная плёнка; 3 — контакт металл — полупроводник; 4 — металлическая плёнка; 5 — внешний контакт.

   Такой диод позволяет получать нужную высоту потенциального барьера, посредством выбора нужного металла, очень низкий уровень высокочастотных шумов, что дает возможность применить диод Шоттки в импульсных блоках питания и в цифровых аппаратурах. Диоды Шоттки применяют также как приемники излучения, модулятор света, нашли широкое применение в солнечных батареях. Среди недостатков данных типов диода стоит отметить чувствительность к обратным значениям тока и напряжения, из - за чего диод может перегреться и выйти из строя.

   Работает в температурном диапазоне от - 65 до плюс 160 градусов по цельсию, допустимое обратное напряжение промышленных диодов Шоттки ограничено 250 вольт. Такая деталь сегодня стала незаменимым полупроводниковым прибором. Диоды Шоттки также выпускаются в SMD корпусах. Чаще всего они встречаются в стеклянном, пластмассовом и металлическом корпусе. Автор - АКА.

   Форум по теоретическим вопросам

   Обсудить статью ДИОД ШОТТКИ

radioskot.ru

В чем разница между диодом Шоттки и ограничительным диодом Шоттки?

	Попался диод 1N5819. Оказывается, он не просто диод Шотки, а ограничительный диод Шотки.Никто не сталкивался, в чём разница-то?
	Название темы исправил. В следующий раз такие темы от автора (где название темы не раскрывает суть её) будут сразу удалятся а автор, при злоупотреблении, блокироваться.
	Всё понял, встал в угол, больше не буду
	Блин, я сразу полез в свой архив даташитов, подумавши что я чета важное упустил в жизни... Но нет. Всё на месте. Чудес никаких не появилось. Итак слово barrier интерпретировано как ограничительный. Великолепно, Алекс.
	KT342: слово barrier интерпретировано как ограничительный. Самого дядя Гугол в ступор ввёл. Получается просто диод с барьером Шотки и никаких бяк? А то уже собрался в Иваново ехать именно за 1N5819,40v 1A в барахле найдуСпасибо, KT342!
	Поставил 1N5822(40V,3A). БП работает. Тема закрыта.Ещё раз спасибо за оперативность.
	Если нужны Шоттки, то не надо их покупать и искать. В любом старом SVGA мониторе стоят во вторичке БП. Можно также взять из компового блока питания АТХ или АТ. Сейчас выкидывают уже и совр материнки, там их запредельное количество, только корпуса SMT.
	Да нет, я у себя даташитов не держу, быстрей в гугле найти. А тут тов. Гуглов выдаёт такое. Подумал что что-то типа R2K. Даташит просмотрел, не понял в чём разница. Решил спроситьА всяких плат у меня 2 сарая и воз
	KT342 , к сожалению, в указанных вами "Источниках добычи диодов Шоттки" обычно установлены низковольтные диоды на 10...20 В, мало применимые в радиолюбительской практике. А в кинескопных мониторах в БП я их и вовсе не встречал, исключая по нескольку диодов на плате отклоняющей системы, да и те, 1N5817, опять же, на 20 вольт. Ещё в список источников диодов Шоттки добавлю жёсткие диски, LCD телевизоры, видеокамеры, карманные MP3 плееры. Диоды Шотки, к сожалению, всё ещё приходится покупать, в то время, как надобность ходить в магазин за другими деталями практически отпала, что к лучшему, поскольку цена на самые паршивенькие детали стала невменяемой.
	NN007: Ещё в список источников диодов Шоттки добавлю жёсткие диски, LCD Мониторы, 15шки уже не чинят, даже рабочие отдают на запчасти, LCD 17шки чуть сложный ремонт, тож.

pro-radio.ru

Диод Шоттки в электронных схемах

После изобретения первого полупроводникового прибора многие великие ученые исследовали свойства p-n перехода. Как вы уже догадались, это обычный диод, который можно увидеть в любой электронной схеме. На момент его изобретения это был элемент, который произвел настоящую революцию и изменил все представления о будущем электроники. Также без внимания не оставалась и технология его изготовления. Появился диод Зеннера и Ганна. Еще был изобретен диод Шоттки,обладающий интересными свойствами. Его использование в электронике не было таким сенсационным, как у его знаменитых “собратьев”. Особые свойства этого элемента ранее применялись в узкоспециализированных схемах и не находили широкого применения. Тем интереснее, что в последнее время диод Шоттки начал использоваться как основной элемент в импульсных источниках питания. Он работает практически во всех электронных бытовых приборох: телевизорах, магнитофонах, персональных компьютерах, ноутбуках и т.д.

Особые свойства прибора проявляются в низком падении напряжения на р-n переходе. Оно не превышает 0,4 Вольта. То есть по этому параметру он максимально приближен к идеальному элементу, который используется в расчетах. Правда, при напряжении более 50 вольт эти свойства пропадают. Но тем не менее, диод Шоттки стал широко использоваться в схемах с операционными усилителями. Питание таких схем не превышало 15 Вольт постоянного напряжения, что позволяло в полной мере воспользоваться свойствами этого прибора. Он мог стоять в цепи обратной связи в качестве ограничительного элемента или участвовать в работе регуляторов.

Кроме такого немаловажного свойства, как падение напряжения на p-n переходе, диод Шоттки обладает небольшой емкостью. Это позволяет ему работать в высокочастотных схемах. Практически “идеальные” свойства этого элемента не искажают сигнал высокой частоты. Именно поэтому его стали ставить в импульсные блоки питания, устройства связи и регуляторы.

Но кроме положительных качеств необходимо отметить и недостатки. Диоды Шоттки очень чувствительны даже к кратковременному превышению обратного напряжения от допустимого значения. Это приводит к выходу элемента из строя. В отличие от своих кремниевых “собратьев” он не восстанавливается. Тепловой пробой приводит либо к появлениям токов утечки, либо к “превращению” прибора в проводник.

Первая неисправность приведет к нестабильной работе всего электронного устройства. Ее достаточно сложно найти и устранить. Что касается теплового пробоя, то, например, в импульсном блоке питания это приведет к срабатыванию защиты от короткого замыкания. После замены неисправного элемента блок питания будет нормально работать.

Современная промышленность выпускает достаточно мощные диоды Шоттки. Импульсный ток в таких приборах может достигать 1,2 кА. Постоянный рабочий ток в некоторых типах доходит до 120 А. Такие приборы обладают широким токовым диапазоном и неплохими эксплуатационными характеристиками. Они с успехом применяются в бытовых приборах и промышленной электронике.

fb.ru

Диоды Шоттки 2

Название	Описание
B240A	Ограничительный диод Шотки в корпусе для   поверхностного монтажа
B330LA	Ограничительный диод Шотки в корпусе для   поверхностного монтажа
B340A	Ограничительный диод Шотки в корпусе для   поверхностного монтажа
B340LB	Ограничительный диод Шотки в корпусе для   поверхностного монтажа
B350A	Ограничительный диод Шотки в корпусе для   поверхностного монтажа
B360A	Ограничительный диод Шотки в корпусе для   поверхностного монтажа
BAS170WS	Слабосигнальный диод Шотки
BAS281	Слабосигнальный диод Шотки
BAS282	Слабосигнальный диод Шотки
BAS283	Слабосигнальный диод Шотки
BAS285	Слабосигнальный диод Шотки
BAS286	Слабосигнальный диод Шотки
BAS381	Слабосигнальный диод Шотки
BAS382	Слабосигнальный диод Шотки
BAS383	Слабосигнальный диод Шотки
BAS385	Слабосигнальный диод Шотки
BAS386	Слабосигнальный диод Шотки
BAS40	Диоды Шоттки общего назначения
BAS40	Ограничительный диод Шоттки, малое   падение входного напряжения, 200 мВт
BAS40-00	Слабосигнальный диод Шотки
BAS40-02	Слабосигнальный диод Шотки
BAS40-04	Диоды Шоттки общего назначения
BAS40-04	Ограничительный диод Шоттки, малое   падение входного напряжения, 200 мВт
BAS40-04	Слабосигнальный последовательный   сдвоенный диод Шотки
BAS40-04LT1	Сдвоенный ограничительный диод Шоттки 40В
BAS40-04W	Диоды Шоттки общего назначения
BAS40-05	Ограничительный диод Шоттки, малое   падение входного напряжения, 200 мВт
BAS40-05	Слабосигнальный встречно-направленный   сдвоенный диод Шотки
BAS40-05	Сдвоенные диоды Шоттки с общим катодом
BAS40-05V	Счетверенные диоды Шоттки с общим катодом
BAS40-05W	Сдвоенные диоды Шоттки с общим катодом
BAS40-06	Слабосигнальный разно-направленный   сдвоенный диод Шотки
BAS40-06	Сдвоенные диоды Шоттки с общим анодом
BAS40-06	Ограничительный диод Шоттки, малое   падение входного напряжения, 200 мВт
BAS40-06W	Сдвоенные диоды Шоттки с общим анодом
BAS40-07	Сдвоенные изолированные диоды Шоттки
BAS40-07V	Сдвоенные изолированные диоды Шоттки
BAS40?06LT1	Сдвоенный ограничительный диод Шоттки с   общим анодом 40В
BAS40H	Диоды Шоттки общего назначения
BAS40L	Диоды Шоттки общего назначения
BAS40LT1	Ограничительный диод Шоттки 40В
BAS40W	Диоды Шоттки общего назначения
BAS40XY	Счетверенные диоды Шоттки
BAS520-02	Слабосигнальный диод Шотки
BAS581-02	Слабосигнальный диод Шотки
BAS70	Диод Шоттки в корпусе для поверхностного   монтажа
BAS70	Ограничительный диод Шоттки, 200 мВт
BAS70-00	Слабосигнальный диод Шотки
BAS70-02	Слабосигнальный диод Шотки
BAS70-04	Сдвоенный диод Шоттки в корпусе для   поверхностного монтажа
BAS70-04	Ограничительный диод Шоттки, 200 мВт
BAS70-04	Слабосигнальный последовательный   сдвоенный диод Шотки
BAS70-04LT1	Сдвоенный ограничительный диод Шоттки 70В
BAS70-04W	Сдвоенный диод Шоттки в корпусе для   поверхностного монтажа
BAS70-05	Слабосигнальный встречно-направленный   сдвоенный диод Шотки
BAS70-05	Сдвоенный диод Шоттки с общим катодом в   корпусе для поверхностного монтажа

radioschema.ru

---

• 
  Подключение дифавтомат
• 
  Схема подключения лампочки на 2 выключателя
• 
  Монтаж муфт соединительных кабельных
• 
  Антенна для 4g
• 
  Измеритель влажности сыпучих материалов
• 
  Частотники для асинхронных двигателей
• 
  Давление qff
• 
  Что такое земля в электричестве
• 
  Мос ру передача показаний счетчиков воды
• 
  Линолеум антистатический
• 
  Латуни виды