Транзистор mpts: Обнаружено потенциально опасное значение Request.Path, полученное от клиента (?).

Маркировка SMD транзисторов

Предыдущая запись

Градуировка НС Сплав НК-СА

Следующая запись

Диод 1N4148 1N4448 импульсный малосигнальный диод

Вам также могут понравиться

Приставка к вольтметру для измерения параметров полевых транзисторов

Конструктор TLM-07 Ver 1.

0

1. Назначение Конструктор TLM-07 предназначен для самостоятельного изготовления транзисторного усилителя для наушников. Предназначен для радиолюбителей имеющих опыт монтажа радиоэлементов на печатных платах,

Подробнее

Рис. 2 Модуль «Транзисторы»

Глава 2 Исследование полевого и биполярного транзисторов Цель проведения работ Знание устройств, изучение характеристик и параметров электронных полупроводниковых приборов: полевых и биполярных транзисторов.

Подробнее

ССC СЕРТИФИКАТ ОС/1-СП-1010

ССC СЕРТИФИКАТ ОС/1-СП-1010 Источник бесперебойного питания. Блок ИБП-01. СМ3.090.031 РЭ (ред. 1 /апрель 2009) СИМОС г. Пермь СОДЕРЖАНИЕ Стр. 1. Назначение.4 2. Технические данные..5 3. Устройство блока..6

Подробнее

Порядок выполнения задания

Лабораторная работа 7 Измерение и исследование ВАХ и параметров полевых транзисторов 1. Цель лабораторной работы Целью лабораторной работы является закрепление теоретических знаний о физических принципах

Подробнее

Элементы электрических цепей

Элементы электрических цепей Элементы цепи Соединительные элементы (провода) Сопротивление (резистор) Реостат (переменный резистор) Конденсатор Соединительные элементы, показывают на схеме точки, потенциалы

Подробнее

2.9 Блок контроля первичных цепей SB71

2.9 Блок контроля первичных цепей SB71 Блок предназначен для формирования контрольных сигналов, пропорциональных действующему значению первичного напряжения питания и напряжения на конденсаторах сетевого

Подробнее

Регулируемый источник питания с LM 723

Регулируемый источник питания с LM 723 Что-то благородное являются источники питания, позволяющие бесступенчатой стабилизированного напряжения, например, от 2 до 30 вольт. Это может быть, например, с регулируемым

Подробнее

Электрическая схема соединений

3.1 Лабораторный практикум 3 ДИДАКТИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ Основная часть курса в разработке. Лабораторная работа 1 Снятие угловых характеристик синхронного генератора Электрическая схема соединений Обозначение

Подробнее

Рисунок 1 Частотная характеристика УПТ

Лекция 8 Тема 8 Специальные усилители Усилители постоянного тока Усилителями постоянного тока (УПТ) или усилителями медленно изменяющихся сигналов называются усилители, которые способны усиливать электрические

Подробнее

руководство по эксплуатации

ИСТОЧНИК ПИТАНИЯ СТАБИЛИЗИРОВАННЫЙ ИПС-500-220В/220В-2А-D ИПС-500-220В/110В-4А-D ИПС-500-220В/60В-8А-D ИПС-500-220В/48В-10А-D ИПС-500-220В/24В-15А-D AC(DC)/DC руководство по эксплуатации СОДЕРЖАНИЕ 1.

Подробнее

Лекция 2 ЦЕПИ С ДИОДАМИ И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ

109 Лекция ЦЕПИ С ДИОДАМИ И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ План 1. Анализ цепей с диодами.. Источники вторичного электропитания. 3. Выпрямители. 4. Сглаживающие фильтры. 5. Стабилизаторы напряжения. 6. Выводы. 1. Анализ

Подробнее

Практическая работа 1

Практическая работа 1 Тема: МОДЕЛИРОВАНИЕ ДИОДНЫХ СХЕМ В СРЕДЕ ВИРТУАЛЬНОЙ ЛАБОРАТОРИИ MULTISIM Цель: Изучить методы и способы моделирования электронных схем, имитирующим принципы функционирования полупроводниковых

Подробнее

ФИЗИЧЕСКИЕ ВЕЛИЧИНЫ ФОРМУЛЫ

На рисунке показана цепь постоянного тока. Внутренним сопротивлением источника тока можно пренебречь. Установите соответствие между физическими величинами и формулами, по которым их можно рассчитать (

Подробнее

Характеристики операционного усилителя

ГУАП ОТЧЕТ ЗАЩИЩЕН С ОЦЕНКОЙ ПРЕПОДАВАТЕЛЬ должность, уч. степень, звание подпись, дата инициалы, фамилия ОТЧЕТ О ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ Характеристики операционного усилителя по курсу: ЭЛЕКТРОНИКА РАБОТУ

Подробнее

1 Цель работы. 2 Ключевые положения

Лабораторная работа 1.1а Исследование работы выпрямительного устройства 1 Цель работы 1. Изучение принципов структурного, функционального, схемотехнического построения и функционирования выпрямительных

Подробнее

Лекция 6 ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

147 Лекция 6 ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ План 1. Класфикация полевых трансторов. 2. Полевые трасторы с управляющим p n-переходом. 3. МОП-трасторы с индуцированным каналом. 4. МОП-трасторы с встроенным каналом.

Подробнее

10. Измерения импульсных сигналов.

0. Измерения импульсных сигналов. Необходимость измерения параметров импульсных сигналов возникает, когда требуется получить визуальную оценку сигнала в виде осциллограмм или показаний измерительных приборов,

Подробнее

1211ЕУ1/1А ДВУХТАKТНЫЙ KОНТРОЛЛЕР ЭПРА

ЕУ/А ОСОБЕННОСТИ w Двухтактный выход с паузой между импульсами w Вход переключения частоты w Kомпактный корпус w Минимальное количество навесных элементов w Малая потребляемая мощность w Возможность применения

Подробнее

1211ЕУ1/1А ДВУХТАKТНЫЙ KОНТРОЛЛЕР ЭПРА

_DS_ru. qxd.0.0 :9 Page ЕУ/А ОСОБЕННОСТИ Двухтактный выход с паузой между импульсами Вход переключения частоты Kомпактный корпус Минимальное количество навесных элементов Малая потребляемая мощность Возможность

Подробнее

RU (11) (51) МПК H03K 17/00 ( )

РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (51) МПК H03K 17/00 (2006.01) 168 443 (13) U1 R U 1 6 8 4 4 3 U 1 ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21)(22)

Подробнее

Схемы преобразователей частоты

Лекция номер 10 Схемы преобразователей Никитин Н.П. Классификация схем По типу гетеродина: с отдельным и с совмещённым гетеродином По типу прибора, на котором выполняется смеситель: транзисторные и диодные

Подробнее

Руководство по эксплуатации

Руководство по эксплуатации на выпрямители ВБВ 60/2-2М, ВБВ 48/2-2М, ВБВ 24/4-2М, ВБВ 12/4-2М СОДЕРЖАНИЕ 1. Техническое описание 2 1.1 Назначение 2 1.2 Технические данные 2 1.3 Состав выпрямителей, назначение

Подробнее

HW 2.3 РУКОВОДСТВО ПОЛЬЗОВАТЕЛЯ

www.e-core.ru Регулируемый DC-DC преобразователь PSMR3006A HW 2.3 РУКОВОДСТВО ПОЛЬЗОВАТЕЛЯ Содержание 1 ОПИСАНИЕ И РАБОТА… 3 1.1 Назначение… 3 1.2 Технические характеристики… 3 1.3 Состав изделия…

Подробнее

***Конструктор T-DAC***

Назначение Конструктор «T DAC» предназначен для самостоятельного изготовления внешнего цифро аналогового USB аудиопреобразователя. Конструктор рекомендуется для подготовленных радиолюбителей. Описание

Подробнее

1. Назначение и устройство выпрямителей

Тема 16. Выпрямители 1. Назначение и устройство выпрямителей Выпрямители это устройства, служащие для преобразования переменного тока в постоянный. На рис. 1 представлена структурная схема выпрямителя,

Подробнее

Драйвер шагового двигателя ADR810/ADR812

Драйвер шагового двигателя ADR810/ADR812 ИНСТРУКЦИЯ по эксплуатации Апрель-2010 1 СОДЕРЖАНИЕ 1. НАЗНАЧЕНИЕ УСТРОЙСТВА…3 2. ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ…3 3. ЧЕРТЕЖ КОРПУСА…3 4. КРАТКИЙ ПЕРЕЧЕНЬ ТОГО,

Подробнее

Обзор технических новинок осени. Часть II

Телевизоры 502 SMART от компании Hyundai

Под известным брендом Hyundai представлена новая серия многопрофильных телевизоров 502 SMART. Эти телевизоры выполнены в современном улучшенном дизайне и совмещают в себе массу различных функций, связанных с развлечениями. Устройства представлены в следующих диагональных размерах: 32, 40, 43 и 49 дюймов. Выполненные качественно и стильно, эти телевизоры впишутся в дизайн любого интерьера.

В модели телевизоров серии 502 встроена операционная система Android 7. 0, а также функция Smart TV, позволяющая эксплуатировать их не только для передачи сигнала телевещания. Именно поэтому они представляют из себя целый развлекательный центр. Достаточно только подключить устройство к Интернету, что осуществляется посредством встроенного в него специального модуля, и на устройстве можно будет смотреть любимые фильмы, играть в игры, общаться в социальных сетях.

Данные телевизоры оснащены дополнительными функциями, такими как: родительский контроль, таймер сна, возможность автоматического включения и выключения телевизора, функциональность по записи медиаконтента. Также в них встроены разъемы HDMI и USB, через интерфейсы которых к устройству можно подключать различные носители. Благодаря мощным динамикам модели данных телевизоров отличаются хорошим, очень качественным звуком.

Телевизоры обладают такими техническими характеристиками, которые обеспечивают им высокое качество изображения. Исходя из размера диагонали, они имеют разные разрешения. Так, модели с диагональю 40, 43 и 49 дюймов имеют разрешение 1920х1080, у телевизоров с диагональю 32 дюйма — разрешение 1366х768. От величины диагонали экрана зависят также и прочие технические характеристики: время отклика пикселя, яркость, частота обновления. Все они настроены для каждой модели специальным образом для того, чтобы обеспечивать качество высокого изображения.

Все телевизоры бренда Hyundai линейки 502 представлены в черном цвете. Они выполнены из качественного, прочного, современного материала. Модели исполнены в стильном красивом дизайне, выглядят универсально, строго, будут отлично смотреться в любом помещении. Подойдут под любой интерьер. Новинки данной серии уже поступили в продажу и уже доступны для приобретения.

Новые оптические приемные устройства FiberLabs OR

Компания Контур-М поставляет на рынок актуализированную линейка оптических приемных устройств FiberLabs серии OR, для которых характерны высокое качество и доступные цены. Оптические приемники FiberLabs применяются в кабельных телевизионных сетях, использующих архитектуру FTTC (оптоволоконный кабель до группы построек) и FTTB (оптоволоконный кабель до строения).

В обновленных приемных устройствах используются СВЧ транзисторы с технологией изготовления GaAs MMIC, что обеспечивает высокий уровень мощности на выходе (≥116 дБмкВ), независимо от значительного разброса величин оптической мощности на входе (-9…+2 дБм). Для стабилизации уровня оптической мощности на выходе при большом динамическом диапазоне изменения оптической мощности на входе, в приемниках используется АРУ с отрицательной обратной связью с нижним порогом включения (-9, -8 или -7 дБ).

В приемниках оптических серии OR применяется электронная настройка и контроль параметров с помощью встроенного LED дисплея. Пыль и влага не проникают в FiberLabs серии OR: по этим параметрам они предоставляют возможность их установки в местах с неблагоприятными условиями окружающей среды. Для оптических приемных устройств предусмотрены опциональные возможности по установке модулей дистанционного управления и контроля, работающих по SNMP-протоколу.

Обычно, местами установки оптических устройств серии OR становятся подвалы, чердаки и технические этажи высотных жилых домов. При средней и малой этажности предпочтение отдается также оптическим приемным устройствам данной серии. Они характеризуются выходной оптической мощностью ≥112 дБмкВ, имеют АРУ, LED-дисплей, электронный способ настройки, удаленный вариант управления по SNMP и малые габариты. При этом у данных моделей приемников имеются внешние блоки питания, которые входят в комплект поставки этих устройств.

Для обслуживания частного сектора, коттеджей или квартир используются оптические устройства серии OR, которые отличаются выходным уровнем ≥88 дБмкВ, АРУ выходной мощности, оптической мощностью на входе, изменяющейся в пределах от -15 до +2 дБ, внешним блоком питания и малыми габаритами.

Транскондер Dexin NDS3248 для преобразования видео

На электронном рынке появился новый транскондер от компании Dexin/Dexing. Наименование профессиональной модели — NDS3248. Он способен преобразовывать видео потока MPEG H.264 в формат MPEG-2 и обратно. Аналогично производится и аудио-транскординг сигналов MPEG-1 Layer 2, AAC, AC3.

Устройство успешно оптимизирует видео-полосу, что позволяет соответствовать требованиям операторов цифрового ТВ. В процессе работы транскодером обеспечивается преобразование HD качества в SD; само количество программ видео-транскординга: 8 для SD или 4 для HD. Транскодированные выходные потоки MPTS и SPTS могут поступать на DATA/IP порт или ASI порт.

Транскодер имеет важные встроенные функции. Так, дескремблинг программ производится с помощью встроенной функции BISS с поддерживаемой скоростью до 120 Мб/с. Скрытые субтитры или телетекст позволяет получать и обрабатывать функция Closed Capture.

Управление моделью NDS3248 возможно осуществлять также через веб-систему. Потому устройство представляет из себя отличное решение при транскодировании отдельных сигналов. Следует добавить, что транскодер имеет один IP вход и 6 портов, поэтому вывод также возможен через данный набор портов.

Контур-М представила для платформы ASTRO U100 модуль спутникового ресивера — ASTRO U144-X

U144X — это платформенный компонент, который представляет собой эволюцию данной серии спутниковых приемников ASTRO. Эта модель является 4-х канальным DVB-S/S2-спутниковым приемником, а также IP стримером. Функционирование ASTRO U144-X обеспечивает обработку 4-x транспондеров DVB-S/S2 в 8 IP Gigabit мультикаст группах MPTS или 504 SPTS (SPTS опционально).

Ключевые технические характеристики:

— 4-х канальный DVB-S/S2-спутниковый приемник / IP стример;
— 4 x DVB-S/S2 (QPSK, 8PSK, 16APSK, 32APSK) в 8 IP гигабитные мультикаст группы MPTS или 504 SPTS (SPTS опционально).
— Имеющиеся интерфейсы: 2 х 100 Base-T, 2 х 1000 Base-T Ethernet (RJ-45) — IEEE802.3 Ethernet, RTP, ARP, IPv4, TCP/UDP, HTTP, SNTP, IGMPv3.
— Инкапсуляция пакетов: UDP, DP+RTP, 1-7.

Модуль ASTRO U144-X оснащен 4-мя CI слотами, которые обеспечивают поддержку режима многоканального дескремблирования. В отличие от младших версий спутниковых приемников этой линейки для платформы ASTRO U100, U144-X поддерживает как модуляции QPSK, 8PSK, так и 16APSK, 32APSK.

Анализатор StreamXpert для исследования цифрового телетекста

С недавних пор функциональный набор анализатора StreamXpert пополнился рядом преимуществ для исследования цифрового телетекста. StreamXpert — это специальное программное обеспечение от компании DekTec, предназначенное для исследования транспортных потоков видео (MPEG) в формате настоящего времени. Данный анализатор включен в категорию «must have», поскольку утвержденные нормы цифровой индустрии расширили границы для охвата более обширного ряда функциональных преимуществ, которые предоставляет исследование цифрового телетекста.

Более десяти лет назад появился телетекст, переживший множество событий, в том числе цифровизацию услуг телевидения. Однако не все телевизоры способны распознавать телетекст. Тем не менее, большинство из них поддерживают данный формат, а многие STB-приставки, популярные на сегодняшний день, также способны поддерживать передачу телетекста цифровым потоком с выведением его данных на экран TV в качестве сервиса выбранного канала трансляции.

Телетекст цифрового формата — это более новый инструмент цифрового транспортного потока, его работа осуществляется благодаря программному обеспечению StreamXpert (генераторы PSI и SI, идентификаторы, цифровые данные и т.д.). Программным обеспечением StreamXpert предоставляется возможность расшифровки телетекста и его информационного перечня. Благодаря StreamXpert становится доступным чтение и распознавание сведений цифрового телетекста (Digital Video Broadcasting). Осуществляются проверки страниц — это необходимо для того, чтобы убедиться в правильности передачи и расшифровки данных на страницах телетекста в анализируемом цифровом потоке. Декодером цифрового телетекста обеспечивается расшифровка расширенного телетекста в пределах допустимых уровней.

Страницы цифрового телетекста представляются в программном обеспечении StreamXpert в виде Telesync (TS). Данные цифрового телетекста сохраняются внутри информационной базы. Продолжительность времени, промежутки обновлений и многое другое можно узнать, проверив страницу или подстраницу телетекста.

FUTV4332 256 X 3 IP MPTS / SPTS влез MUX Scrambling 24 X 3 DVB-C Out QAM Modulator-MUX-Scrambler-tvfmuser.com

FUTV4332 256 Х 3 IP MPTS / SPTS внесување MUX Scrambling 24 Х 3 DVB-C Окт QAM модулатор

R: V20160119-10 29-
Лист на податоци  
Упатство за користење

влез:IP  
излез:IP-MPTS, IP-SPTS, QAM, DVB-C  

Преглед на производот

FUTV4332 IP MUX-Scrambling QAM модулација модул е ​​најновата генерација MUX-питачи-модулирање на сите-во-едно уред. Таа поддржува максимална 256 ИП (MPTS / SPTS) влезни и излезни 32 превозници, како и 32IP излез по мултиплексирање и процесот scrambling (RF излез за локална трансмисија и IP излез за далечинско крајот под-глава). Се усвојува структура слотот со еден уред кој поддржува максимална 3 FUTV4332 модули и 256 канали MUX-питачи-модулација. Со своите моќни перформанси и ниска цена, FUTV4332 е особено соодветен за новата генерација систем КТВ приклучок.

Клучни карактеристики

1 ГЕ влез, RJ45interface или SFP
Поддржува до 256 канали ТС преку UDP, MPTS или SPTS
Поддржува unicast и multicast, поддржува IGMP v2 \ v3
Макс 840Mbps за сите влезни
Поддржува MPEG2 повторно мултиплексирање и MPTS / SPTS мултиплексирање
Поддржува точна ПЦР прилагодување
PID поддржува филтрирање, remapping и ПСИ / уредување С.И.
Поддржува до 180 PIDs remapping по канал
Поддршка за DVB општи scrambling систем (ETR289), simulcrypt стандарди на ETSI 101 197 и ETSI 103 197
Поддршка мултиплексирани или пржени TS преку UDP излез
32 соседните QAM превозници излез, компатибилен со DVB-C (EN 300 429) и ITU-T J. 83 A / B / C
Поддржува стапка симбол 5.0 ~ 9.0Msps, 1Ksps повлекува
Supports constellation: 16QAM/32QAM/64QAM/128QAM/256QAM
Поддржува РС (204,188) кодирање
RF излезна фреквенција на опсегот: 48 ~ 960Mhz, 1Khz отскочна
Излезни ниво RF: -16 ~ 0dbm (по QAM превозник), 0.5db повлекува
Одлично RF перформанси, МЕР> = 40db
Поддршка НДС / SNMP
Модуларен дизајн, 1U поддршка шасија модули 3, 4U поддршка шасија модули 12

внатрешна Принцип

Поврзување на системот на примерокот

спецификација

Головка светофорная светодиодная для железнодорожных переездов

Головка светофорная светодиодная для железнодорожных переездов предназначена для подачи светового сигнала красного цвета, пре дупреждающего транспорт и пешеходов о приближении поезда к железнодорожному переезду. Ее производство начато с 2000 года.

Головка светофорная светодиодная для железнодорожных переездов (черт. НКМР 676.636.003) приведена на рис. 5.23, где: 1 — система светодиодная; 2 — стойка с фоновым щитом; 3 — козырек солнцезащитный; 4 — клемма головки.

Питание головки светофорной светодиодной осуществляется от источника переменного тока напряжением (11,5⁺?;*о) В, частотой 50 Гц или постоянного тока напряжением (11,5*?;о) В. Потребляемая мощность не более 25 Вт.

Сила света головки светофорной светодиодной должна соответствовать данным табл. 5.10.

Питание головки светофорной светодиодной в режиме «светомаскировка» осуществляется от источника переменного тока напряжением (7,0±0,2) В.

Сила света светофорной светодиодной головки

Осевая сила света головки — не менее 200 кд. Цвет свечения — красный.

Координаты цветности для красных сигналов должны лежать в пределах области с координатами угловых точек, указанных в табл. 5.11.

Диаметр выходного светового отверстия должен быть 200 мм.

Электрическая принципиальная схема головки светофорной светодиодной приведена на рис. 5.24.

Переменное напряжение 12 В подается на входные клеммы головки и через предохранитель FU1 поступает па выпрямительный мост VD1 и VD2. С выхода выпрямителя напряжение постоянного тока поступает на плату со светодиодами.

Рис. 5.23. Светофорная светодиодная головка для железнодорожных переездов

Схема коммутации работает следующим образом: в режиме подачи светового сигнала -транзистор УТ1 открыт, по цепи УЭЗ, Ш. При этом транзистор УТ2 закрыт и ток через сопро-тивление 114 отсутствует. Огневое реле удерживается током, протекающим через светодиоды.

В режиме «Холодная проверка», когда на две последовательно соединенные головки напряжение + 12 В подается через сопротивление обмотки огневого реле 180 Ом, транзистор УТ1 закрыт, УТ2 открывается и параллельно плате со светодиодами подключает резистор 114, обеспечивающий протекание постоянного тока и удержание огневого реле.

Рис. 5.24. Электрическая схема светофорной светодиодной головки

На элементах R5-R7, VD4, VD5, VT3, VT4 собран стабилизатор тока, ограничивающий потребляемый схемой ток при напряжениях питания, превышающих номинальное значение. Резисторы R50-R54 обеспечивают срабатывание огневою реле при пониженной температуре среды.

Наименование и тип элементов, примененных в электрической схеме головки, приведен в табл. 5.12.

Во время эксплуатации при обнаружении 40 ш г. и более пегорящих светодиодов головка светофорная считается неисправной и подлежит ремонту в РТУ.

Таблица 5.12

Наименование и тип элементов, примененных в светодиодной головке

Рис. 5.25. Схема проверки светофорной светодиодной головки в режиме подачи светового сигнала

Рис. 5.26. Схема проверки светофорной светодиодной головки в режиме контроля нити накала

Проверка головки в режиме подачи светового сигнала осуществляется но схеме, приведенной на рис. 5.25, где: Р — реле АОШ2-180/0,45; А — амперметр. На клеммы головки подается напряжение переменного тока 11,5 В, после чего убеждаемся в срабатывании реле и в том, что светодиоды светятся. Измеренный потребляемый ток не /юлжен превышать 2А.

Проверка головки в режиме контроля нити накала осуществляется по схеме, приведенной на рис, 5.26, где: Р — реле АОШ2-Ї80/0,45; КН1 кнопка КМ1. На вход схемы подается напряжение постоянного тока 12,6 В, после чего убеждаются в срабатывании реле. Кратковременно нажав и отпустив кнопку КН1, проверить отсутствие постоянного свечения головки при отпущенной кнопке (кратковременное вспыхивание светодиодов при отпускании кнопки допускается). Данная проверка проводится не менее пяти раз. После чего необходимо подать на вход схемы 17 В и проверить отсутствие свечения светодиодов головки. Далее, кратковременно нажав и отпустив кнопку КН1, проверить отсутствие постоянного свечения головки при отпущенной кнопке (кратковременное вспыхивание светодиодов при отпускании кнопки допускается). Данная проверка проводится не менее пяти раз.

Средняя наработка до отказа — не менее 50 000 часов.

Средний срок службы до списания — не менее 20 лет.

Гарантийный срок эксплуатации — 36 месяцев со дня ввода в эксплуатацию.

В комплект поставки изделия входят светодиодная оптическая система, фоновый щит и солнцезащитный козырек.

Масса — не более 9,0 кг.

⇐Светофоры переездные | Автоматика, телемеханика, связь и вычислительная техника на железных дорогах России | Светофор оповестительный пешеходной сигнализации⇒

InJapan.ru — Прочее — Аукцион Yahoo

Малоизвестный пистолет из 90-х: ОЦ-23 «Дротик» | Мудрый Каа

В начале 1990х годов силам МВД пришлось выполнять задачи, опыта решения которых не было. В числе прочего, возникла необходимость в соответствующем оружии — штатный пистолет Макарова не обладал достаточной эффективностью и «гибкостью», которая позволила бы применять его для широкого круга задач. Так в конце 1993 года группа И.Я. Стечкина, в состав которой, помимо Игоря Яковлевича входили А.В. Бальцер и А.В. Зинченко, начала работы по теме под кодовым названием «Дротик».

Уже в 1995 году пистолет ОЦ-23 «Дротик» под патрон 5,45х18мм МПЦ, он же АП СБЗ (Автоматический Пистолет Стечкина, Бальцера, Зинченко) был принят опытную эксплуатацию оперативного состава МВД в качестве сверхкомпактного «карманного пистолета-пулемета».

Пистолет построен по схеме со свободным затвором и подвижным стволом. Такая схема позволила добиться высокой устойчивости пистолета при ведении автоматического огня. Предусмотрен дульный тормоз-компенсатор, представляющий собой группу отверстий в стволе и кожухе затвора, предназначенный для отсечения части пороховых газов для уменьшения «подскока». УСМ курковый, двойного действия, с открытым курком, допускает ведение как одиночного огня, так и автоматического, с отсечкой по три выстрела. Ручной предохранитель флажкового типа с двухсторонними органами управления расположен в задней части кожуха-затвора, объединен с селектором рода огня, во включенном состоянии блокирует боёк, затвор, курок и спусковой крючок. Рычаг затворной задержки размещен с левой стороны оружия над спусковой скобой. В конструкции спусковой скобы предусмотрены упоры для пальцев второй руки при стрельбе с двух рук. Магазин коробчатый, двухрядный с шахматным расположением патронов, на 24 патрона, размещен в рукоятке. Прицельные приспособления простейшие, фиксированного типа, со светящимися марками для облегчения прицеливания в условиях недостаточной освещенности. Пистолет изготовлен из стали, со стандартным антикоррозийным покрытием, щечки рукоятки пластиковые.

Пистолет ОЦ-23 «Дротик» несколько необычен по сравнению с другими отечественными пистолетами: открытый кожух затвора, свойственный для пистолетов «Beretta»; направляющие для крепления лазерного целеуказателя или тактического фонаря; сигнализатор, с помощью которого, на ощупь, не извлекая магазин, можно определить количество оставшихся патронов и наличие патрона в патроннике (при помощи специального стержня, выступающий над затвором на 2,5 мм, когда патрон находится в патроннике). В связи с малой мощностью патрона 5,45х18мм МПЦ была предпринята попытка повысить поражающее действие за счет быстрого троекратного попадания в цель: три выстрела производятся с достаточно высоким темпом 1800 в минуту.

ОЦ-23 «Дротик» имеет такие неоспоримые преимущества перед зарубежными образцами, как простота эксплуатации и разборки-сборки. Так, например, неполная разборка пистолета Beretta 93R может быть произведена только специалистом-оружейником.

По заявлению тульских представителей АП СБЗ может успешно применяться для самозащиты на малых дистанциях, а в специальных операциях — заменить ПСМ. Существенным плюсом боеприпаса 5,45х18мм МПЦ стала возможность отказаться от съемного приклада, отсутствие которого было оговорено техническим заданием. Однако, несмотря на все преимущества пистолета, эффективность патрона 5,45мм оказалась явно недостаточной для решения всего спектра задач, и уже летом 1995 года было принято решение разработать модификацию пистолета ОЦ-23 под патрон 9х18мм ПМ и ПММ.

Тактико-технические характеристики

Применяемый патрон 5,45х18мм МПЦ
Длина, мм 195
Длина ствола, мм 127
Вес без патронов, кг 860
Начальная скорость пули, м/сек 320
Прицельная дальность, м 50
Емкость магазина 24
Темп стрельбы, выстр/мин 1800
Боевая скорострельность, выстр/мин 30-50

Тестирование усиления постоянного тока транзистора (hFE) в моей лаборатории — лаборатория биофизики

hFE означает « H ybrid параметр f или усиление по току, общий e mitter» и является мерой усиления постоянного тока биполярного переходного транзистора (BJT).

Концепция hFE занимает центральное место в использовании транзисторов, поскольку это мера небольшого усиления тока. В гибридной модели транзистора есть несколько гибридных параметров, включая hFE. Модель гибридных параметров потеряла популярность, поэтому β или бета теперь являются наиболее распространенным символом усиления постоянного тока.Я продолжу использовать hFE в этой статье, поскольку в таблицах данных также используется это имя.

Рисунок 1: Кривые типичного коэффициента усиления транзистора по току (hFE). Допустимым считается диапазон производства от + 100% до -50% «типовых» значений. «Искусство электроники», Горовиц и Хилл, 3-е издание, 2016 г., стр. 74.

С другой стороны, значение параметра hFE немного завистливое. Во многих статьях с практическими рекомендациями и схемах «сделай сам» описывается, как измерить hFE, основываясь на простом понятии, что hFE = I _C / I _B .Тем не менее, спецификации транзисторов предлагают диапазон значений hFE при различных условиях тока коллектора (I _C ). В условиях тестирования производителя также используется импульсный тест (<= 300 мкс), когда транзистор активен примерно 2% времени (рабочий цикл). Постоянный ток имеет тенденцию вызывать повышение температуры внутри тестового устройства. Итак, I _C и I _B являются динамическими объектами, которые могут не точно коррелировать со статическим тестированием. Между тем значение hFE для любого отдельного устройства — даже с одним и тем же номером детали и производителем — будет другим.Все вместе попытки использовать определенное значение hFE для конкретного устройства — это недоумение.

Содержание

Почему я измеряю hFE

Многие инженеры говорят мне, что за более чем 20 лет разработки им ни разу не нужно было знать значение hFE устройства. Во многих конструкциях используется расчетное значение hFE, равное 100, а затем создается цепь смещения вокруг транзистора для работы с широким диапазоном устройств, каждое из которых имеет различные значения hFE, например, от 50 до 250 и при разных температурах.

Схема, которая зависит от определенного значения бета, является неисправной схемой.

Пол Горовиц, Уинфилд Хилл «Искусство электроники»

В роли экспериментатора я хочу знать hFE моего устройства. Я обнаружил, что каждую деталь транзистора, которая у меня есть в «ящике для мусора», и даже новые детали, которые я заказываю из различных источников, таких как Digi-Key, Newark, eBay и Amazon, можно проверить на усиление постоянного тока перед использованием, даже если мое измеренное значение не настоящий hFE. Пока процедура тестирования является повторяемой, ее можно использовать для проверки усиления транзисторов, оценки неизвестных транзисторов и согласования спаренных устройств для использования в таких приложениях, как двухтактные усилители, температурная компенсация или токовые зеркала, например.Плохое обращение с транзисторами также может повлиять на hFE устройства. Фактически, во время моих тестов в этой статье я обнаружил удивительную проблему в отношении одного тестируемого устройства. См. «Рисунок 20: Рисунок 20: Результаты генератора функций осциллографа / AWG», чтобы понять, что я имею в виду.

Далее следует хвост испытаний hFE для двух транзисторных устройств из моей корзины запчастей: NPN 2N3904 и PNP 2N3906…

PEAK Atlas DCA Pro — Анализатор полупроводников

Примерно за 150 долларов этот прибор с интерфейсом ПК — мой лучший ресурс для измерения hFE и многих других параметров транзисторов.Немного дороговато, но отлично справляется. Тестирование устройств включает малосигнальные устройства, силовые транзисторы, полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы, диоды и многое другое. Значение hFE исправлено на утечку коллектор-эмиттер (полезно для германиевых транзисторов).

На рисунках 2 и 3 ниже кривые hFE демонстрируют, как на него влияет базовый ток I _B и V _CE . В частности, кривая hFE для базового тока 10 мкА для 2N3906 может указывать на дополнительные проблемы, как показано далее в этой статье.Здесь hFE значительно ниже по сравнению с более высокими базовыми токами.

Рисунок 2: Результаты 2N3904 DCA Pro (щелкните изображение, чтобы увеличить) .

Рисунок 3: Результаты 2N3906 DCA Pro (щелкните изображение, чтобы увеличить) .

Гнездо hFE на некоторых цифровых мультиметрах

Этот разъем обеспечивает значение усиления постоянного тока, полезное для сортировки и тестирования малосигнальных кремниевых устройств. Гнездо не будет точным для германиевых транзисторов, поскольку они обычно связаны с утечкой коллектор-эмиттер.Он также не будет полезен для силовых транзисторов, которым требуется больший базовый испытательный ток (I _B ). Некоторые измерители с функцией hFE описывают условия тестирования, в то время как другие не предлагают поддержки для своих устройств в условиях тестирования.

Мой мультиметр BK 2704C документирует условия тестирования гнезда hFE:

Диапазон: 0 ~ 1000
Базовый ток: прибл. 10uAdc. (VCE = 3,0 В постоянного тока)

Устройство 2N3906, которое я использую для этой статьи (изображение B&K внизу справа) с базовым током 10 мкА, предсказывает гораздо более низкий hFE по сравнению с более высокими базовыми токами, как показано в результатах 2N3906 с использованием DCA Pro выше (рисунок 3).В то время как hFE для 2N3904 (черно-белое изображение внизу слева) согласуется с результатами DCA Pro для 2N3904, указанными выше, поскольку условие испытания 10 мкА сгруппировано с другими кривыми I _B . Но для сортировки и сравнения устройств ограничение условий теста 10 мкА может подойти.

Рисунок 4: Измерение усиления постоянного тока hFE мультиметром B&K 2704C для 2N3904 слева и 2N3906 справа .

Мультиметр Fluke

Мои глюкометры Fluke не имеют гнезда hFE.Большинство других высококачественных цифровых мультиметров также не имеют разъема hFE. Некоторые люди говорят, что это связано с тем, что показания мультиметра не слишком близки к официальным показаниям hFE, другие говорят, что схема и розетка для измерения hFE не учитывают соображения безопасности. Отличное обсуждение можно найти здесь:

Тема: Почему тест транзистора beta hFE проводится только на дешевых цифровых мультиметрах?

Функция тестирования диодов на моих измерителях Fluke измеряет прямое падение напряжения на полупроводниках в условиях постоянного тока, подходящих для определения PNP и NPN, и какой вывод связан с эмиттером, базой и коллектором.Но не предлагает способа измерения усиления постоянного тока.

Ниже приведены некоторые макетные схемы, которые я использую для измерения hFE с помощью цифрового мультиметра…

Тест 1: два резистора на макетной плате с расчетом hFE по результатам цифрового мультиметра

Коэффициент усиления по постоянному току

можно рассчитать путем измерения падения напряжения на резисторе базы и соответствующего падения напряжения на резисторе коллектора. Схема устройства PNP показана на диаграмме LTSpice ниже — Рисунок 5: «Моделирование простого измерения hFE с помощью цифрового мультиметра с двумя резисторами».Поменяйте полярность V1 для проверки устройств NPN. Математические расчеты делают этот метод тестирования немного утомительным для сортировки корзины транзисторов, но он является хорошей заменой отсутствующего гнезда hFE Fluke.

Моделирование LTSpice простой макетной схемы hFE. Щелкните изображение, чтобы увеличить.

Макетная плата показана ниже с PNP 2N3906 (такая же, как схема LTSpice и моделирование выше). Я показываю расчеты hFE для тех же двух частей транзистора, протестированных с помощью мультиметра BK и DCA Pro выше для сравнения.

Рисунок 6: Макетная плата для простого 2-резисторного цифрового мультиметра измерения hFE устройства PNP.

Тест 2: Источник постоянного тока с прямым считыванием hFE цифрового мультиметра

Используя еще несколько деталей, я смог улучшить тестирование макета для использования с моим мультиметром Fluke. Эта версия от Circuits Today включает поддержку устройств PNP и NPN и обеспечивает постоянный ток I _B 10 мкА и прямое считывание hFE (мА x 100).Я заметил одну проблему: если я вставляю в гнездо транзистор неправильного типа (например, по ошибке меняя местами NPN на PNP), тестируемый транзистор сильно нагревается.

Схема

KiCad’s Eeschema. См. Справочный раздел ниже для загрузки файла.

Рисунок 7: Схема KiCad Eeschema источника постоянного тока с прямым считыванием hFE цифрового мультиметра.

Перед построением этой схемы я использовал LTSpice для моделирования.

Рис. 8: Моделирование LTSpice источника постоянного тока с прямым считыванием hFE цифрового мультиметра , показанное курсором 2 Верт.

В модели, показанной выше, используются потенциометры с имитацией рычагов стеклоочистителя. Библиотеку потенциометров предоставил Гельмут Зенневальд — основатель группы пользователей LTSpice. График показывает, что рычаг стеклоочистителя изменяется от 0,05% до 95% с ожидаемой калибровкой 10 мкА в положении 29% для тока, проходящего через эмиттер Q1. Файл моделирования с библиотекой потенциометров можно скачать по ссылке в конце статьи.

Конечная макетная схема с испытуемым устройством 2N3906…

Рисунок 9: Макетная плата источника постоянного тока с прямым считыванием hFE цифрового мультиметра .

На макетной плате рядом с каждым горшком видны перемычки. Они могут быть открыты один за другим, закорочив контакты измерителя тока цифрового мультиметра для калибровки 10 мкА как базы PNP, так и базы NPN относительно тока эмиттера.

Рисунок 10: Результаты 2N3906 с использованием макетной платы постоянного тока.

Рисунок 11: Результаты 2N3904 с использованием макетной платы постоянного тока. Примечание. Потребляемый ток для NPN 2N3904 намного выше, чем для 2N3906, что соответствует большему hFE.

Измерение hFE с помощью осциллографа и генератора сигналов произвольной формы (AWG)

Этот метод позволяет использовать более высокий ток, подаваемый на тестируемый транзистор, чем методы тестирования 1 и 2. При использовании ступенчатой ​​формы волны, подаваемой на базу транзистора, и переменного напряжения, подаваемого на коллектор транзистора, температура тестируемого устройства недостаточно повышается. повлиять на стабильность показаний hFE.

Имитация испытательной схемы NPN-транзисторов в LTSpice…

Рисунок 12: Имитация LTSpice тестовой схемы осциллографа / генератора сигналов произвольной формы NPN-транзистора.Щелкните изображение, чтобы развернуть.

Вот текстовые файлы кусочно-линейной (PWL), которые управляют напряжением для лестничных и треугольных сигналов. См. Справочный раздел в конце этой статьи, чтобы загрузить файлы для полного моделирования.

pwl_triangle.txt

 0 0
+ 4,17м 10
+ 4.17м 0 

pwl_stair.txt

 0 с 0,7
8,33 м 0,7
8,34 м 1,4
16,66 м 1,4
16,67 м 2,1
24,99 м 2,1
25,00 м 2,8
33,32 м 2,8
33,33 м 3,5
41,65 м 3,5
41,66 м 4,2
49,98 м 4,2
49,99 млн 4,9
58.31м 4,9
58,32 м 5,6
66,64 м 5,6
66,65м 0,7 

Шаги для создания симуляции (см. Текст и файл asc в справочном разделе этого сообщения в блоге):

• Подайте треугольник с частотой 120 Гц, 10 ВП-П и смещением постоянного тока 5 В на транзистор под тестовым коллектором. Смоделируйте генератор сигналов произвольной формы с помощью кусочно-линейной функции LTSpice (PWL), используя точки данных в текстовом файле. См. Прикрепленный файл: pwl_triangle.txt.
• Создайте лестничную волну с частотой 15 Гц, 5 VP-P и смещением постоянного тока 0.7 В (начальная волна с амплитудой выше V _BE для включения тестируемого транзистора). Снова с PWL и текстовым файлом точек данных. См. Прикрепленный файл: pwl_stair.txt.
• Детали макета для моделирования простой макетной платы.
• Определите 1-секундный переходный анализ, чтобы запустить симуляцию LTSpice.
• Смоделируйте осциллограф, используя пассивные пробники с общим заземлением (дифференциальные пробники не используются).
• Постройте ось X как V _CE , используя Ch3.
• Постройте первую ось Y как Ic с помощью математической функции: (Ch2-Ch3) / 100.
• Постройте вторую ось Y как I _B , используя математическую функцию: (Ch4-Ch5) / 100000.

Рассчитайте смоделированный 2N3904 NPN-транзистор hFE как I _C / I _B при выбранном V _CE . См. « Рис. 12: Моделирование LTSpice осциллографа / генератора сигналов произвольной формы. Испытательная схема hFE на NPN-транзисторе» выше для получения подробной информации. Например: при V _CE для 5 В и 4-й кривой I _B (представляющей I _B = 27,7 мкА).

Имитация испытательной схемы PNP-транзистора в LTSpice…

Схема PNP такая же, как и для схемы проверки транзисторов NPN.Только полярность волновых функций лестницы и треугольника была изменена на обратную. Лестничная волна теперь изменяется от -700 мВ до -5 В. Треугольная волна теперь изменяется от 0 В до -5 В.

Рис. 13: Моделирование LTSpice осциллографа / генератора сигналов произвольной формы Испытательная схема hFE транзистора PNP. Щелкните изображение, чтобы развернуть.

Вот текстовые файлы кусочно-линейной (PWL), которые управляют напряжением для лестничных и треугольных сигналов. См. Справочный раздел в конце этой статьи, чтобы загрузить полную симуляцию.

pwl_triangle_minus.txt

 0 0
+ 4,17 м -10
+ 4.17м 0 

pwl_stair_minus.txt

 0 с -0,7
8,33 м -0,7
8,34 м -1,4
16,66 м -1,4
16,67 м -2,1
24,99 м -2,1
25,00 м -2,8
33,32 м -2,8
33,33 м -3,5
41,65 м -3,5
41,66 м -4,2
49,98 м -4,2
49,99 м -4,9
58,31 м -4,9
58,32 м -5,6
66,64 м -5,6
66,65 м -0,7 

Рассчитайте смоделированный 2N3906 PNP-транзистор hFE как I _C / I _B при выбранном V _CE . См. « Рис. 13: Моделирование LTSpice осциллографа / генератора сигналов произвольной формы, PNP-транзистор, тестовая схема hFE» выше для получения подробной информации о схеме.Например: при V _CE для 5 В и 4-й кривой I _B (представляющей I _B = -28,0 мкА).

Конечная макетная схема с испытываемым транзистором 2N3904 NPN…

Я использовал двухканальный генератор сигналов произвольной формы для создания сигналов базы и коллектора транзистора:

Рисунок 14: Настройка генератора сигналов произвольной формы для тестируемых NPN-транзисторов. Щелкните изображение, чтобы увеличить.

• Канал 1 использует StairUp (лестница с 8 уровнями) произвольной формы волны с частотой 15 Гц, высоким уровнем 5 В, низким уровнем.7 В и фаза 0.
• Канал 2 использует сигнал произвольной формы AbsSine с частотой 120 Гц, высоким уровнем 5 В, низким уровнем 0 В и фазой 0. Примечание: понижающий трансформатор переменного тока с полным -волновой выпрямитель будет генерировать такую ​​же форму волны для тех, у кого только один канал AWB.
• Используйте опцию выравнивания фазы на Rigol DG4062 AWB, чтобы канал 2 производил ровно один цикл для каждого ступенчатого уровня канала 1. См. Рис. 16 ниже для примера с курсорами.

Создайте простую двухрезисторную макетную плату на транзисторах NPN 2N3904 с 4 подключенными осциллографическими каналами.См. Схему на рис. 12 выше и схему макета на рис. 15 ниже.

• Подключите резистор 100 кОм между базой транзистора 2N3904 и каналом AWG 1. Подключите зонды Ch4 (зеленый) и Ch5 (красный) через этот резистор для измерения тока базы I _B .
• Подключите резистор 100 Ом между коллектором транзистора 2N3904 и каналом 2 AWG. Подключите зонды Ch2 (желтый) и Ch4 (синий) через этот резистор для измерения тока коллектора I _C и V _CE .
• Подключить эмиттер транзистора к земле. Также свяжите AWG и прицел с землей.

Рисунок 15: Тестируемый транзистор NPN 2N3904. Щелкните изображение, чтобы увеличить.

Настройка осциллографа, см. Рисунки 16 и 17 ниже…

• Канал 1 = 2 В / дел, полоса пропускания 20 МГц -> Закрепите резистор на стороне «+» Rc на Рисунке 12
• Канал 2 = 2 В / дел, полоса пропускания 20 МГц -> Закрепите на стороне резистора «-» Rc на рисунке 12 -> представляет тестируемый транзистор Vce
• Ch 3 = 1 В / дел, полоса пропускания 20 МГц -> Закрепите резистор на стороне «+» Rb на рисунке 12
• Ch 4 = 100 мВ / дел, 20 МГц Полоса пропускания -> Закрепите на стороне «-» резистора Rb на рисунке 12
• Math 1 = 2 мА / дел, (Ch2-Ch3) / 100, альтернативные единицы A -> Представляет тестируемый транзистор Ic
• Math 2 = 5.4 мкА / дел, (Ch4-Ch5) / 100000, Альтернативные блоки A -> Представляет тестируемый транзистор Ib
• По горизонтали = 10 мВ / дел, 12,5 МС / с, 1,25 Мвыб. Уровень 2,64 В, нарастающий фронт
• Сбор данных = высокое разрешение, остановка после 1 сбора данных, внутренний источник времени
• Настройка графика XY с транзистором V _CE (Ch 1) для X и транзисторной IC (Math 1) для Y
• Установите связанный курсор формы сигнала для измерения I _C (математика 1) и I _B (математика 2) для расчета hFE

Рисунок 16: осциллограф MSO64B Tektronix, показывающий кривые XY устройства 2N3904 в виде графика, 4 зондируемых канала и 2 математические формы сигналов со всеми сигналами в фазе.Щелкните изображение, чтобы увеличить.

Рисунок 17: Tektronix e * Scope — сетевой дисплей MS064B в реальном времени — показывает расчет 2N3904 hFE (hFE = 165). Щелкните изображение, чтобы увеличить.

Рассчитайте 2N3904 NPN-транзистор hFE как I _C / I _B при выбранном V _CE . Например: при V _CE 6 В и 4-я кривая I _B (представляющая I _B = 18,95 мкА).

hFE 165, измеренное с помощью осциллографа, соответствует значению, показанному на Рисунок 2: 2N3904 Результаты DCA Pro .

Конечная макетная схема с тестируемым NPN-транзистором 2N3906…

Повторно используйте ту же цепь, как показано на Рисунке 13 выше для схемы. Измените сигналы генератора функций AWG на отрицательные. Я также переключил сигнал коллектора с AbsSine на Triangle. Отрицательная форма волны AbsSine не дала такого четкого результата, как форма волны треугольника. Возможно, я мог сначала инвертировать волну AbsSine из меню утилиты Rigol, но не пробовал. См. Рисунок 18 ниже для настроек.

Рисунок 18: Настройка генератора сигналов произвольной формы для тестируемых PNP-транзисторов. Щелкните изображение, чтобы увеличить.

Макетная плата…

Рисунок 19: Тестируемый транзистор PNP 2N3906. Щелкните изображение, чтобы увеличить.

Результаты осциллографа…

Рисунок 20: Результаты осциллографа / генератора функций AWG. На левом изображении показано то же устройство 2N3906, которое успешно использовалось во всех других тестах, описанных выше. Не уверен, в чем причина странных форм волн.Среднее изображение — второй 2N3906 отлично работает в этой тестовой установке без проблем, показанных на левой фотографии. Правое изображение — то же тестируемое устройство, что и на среднем изображении, но с треугольной формой волны, примененной к коллектору. Щелкните изображение, чтобы увеличить.

К сожалению, мое первое устройство 2N3906 PNP вышло из строя во время этого теста — см. Рисунок 20 (слева). DCA Pro hFE и кривые по-прежнему выглядят одинаково. Но в рамках этого теста объема / AWG устройство падает, когда напряжение V _CE больше примерно 7 В.Были протестированы несколько других транзисторов PNP, включая другие устройства 2N3906. Эти другие устройства протестированы отлично. Один пользователь Electronics Stack Exchange оставил следующий комментарий, который мне кажется правильным:

Похоже, что переход CE заблокирован и действует как SCR с отрицательным инкрементным сопротивлением. Может быть хорошо для генератора на туннельном диоде на ВЧ, если смещено на -7 В. 😉 Это пробой дуги, допустим, 40K / мм может составлять 40V / um, поэтому 7V — это зазор 175 нм, который перекрывается E-Field. Этот PNP должен быть хорошим до -40V и действовать как стабилитрон около -50V.В 70-х мне понадобился стабилитрон высокого напряжения для УА исх. Поэтому я выбираю напряжение пробоя транзистора, чтобы старый телевизор работал.

Тони Стюарт EE75

Показания курсоров A и B на рисунке 20 справа: I _C [Math 1: (Ch2-Ch3) / 100] = 7,913 мА и I _B [(Ch4 — Ch5) / 100,000] = 44,0 мкА при выбранном напряжении V _CE 6 В.

К сожалению, я не очень точно установил курсоры A и B для VCE 6 В, поэтому значение hFE не так точно, как могло бы быть.Но эффективность этого метода тестирования все еще актуальна.

См. Ниже сравнение с hFE с использованием полупроводникового анализатора PEAK DCA Pro для моего нового PNP 2N3906, который я называю устройством 2.

Рисунок 21: Транзистор 2 2N3906 PNP, тестируемый с помощью DCA Pro. На левом изображении показаны основные тесты устройства. Правое изображение показывает hFE против Vce.
Показание

hFE для PNP 2N3906 Dev2 с использованием гнезда BK 2704C hFE. Низкое значение V _CE и низкое значение I _B являются причиной постоянно более низких показаний на гнездах hFE мультиметра.Тем не менее, тестирование очень простое, быстрое и сопоставимое от одного транзистора к другому для целей сортировки и сопоставления. Но некоторые проблемы с тестируемым устройством нельзя увидеть с помощью этого простого теста.

Рисунок 22: Тестируемый транзистор 2N3906 с использованием гнезда hFE на мультиметре BK 2704C.

Краткое изложение испытаний hFE

Каждый представленный здесь метод тестирования полезен при определенных условиях. Для большинства целей тестирования будет достаточно настройки диода цифрового мультиметра.

Но использование осциллографа и генератора функций AWG позволяет провести очень содержательное исследование транзисторов, включая hFE.

Список литературы

Как это:

Like Loading…

Фототранзисторы с памятью, основанные на законе фотоэлектрического преобразования с экспоненциальной ассоциацией

Оптоэлектронная функция памяти фототранзистора CdS NR

Для включения функций оптического обнаружения и накопления заряда было сконструировано фототранзисторное устройство на основе CdS NR с высоким содержанием поверхностных состояний на подложке SiO ₂ (300 нм) / n ⁺ -Si. NR CdS демонстрируют монокристаллическую структуру вюрцита с ориентацией роста [001]. Ширина и толщина NR равны 0.4–5 мкм и 100–150 нм соответственно, а длина NR составляет до нескольких сотен микрометров (дополнительный рисунок 1). Как показано на рис. 1a, b, индиевые (In, 200 нм) электроды, показывающие омические контакты с наноструктурами CdS n-типа, были определены фотолитографией как контакты истока и стока, в то время как подложка Si служила глобальным обратным затвором. На рис. 1с показана электрическая передаточная характеристика фототранзистора CdS NR, измеренная в темноте при фиксированном напряжении стока ( В, _DS ), равном 0.6 В после 10 с светового облучения (190 нВт · см ⁻² ). На электрод затвора прикладывают циклическое качающее напряжение ± 60 В. Ток исток-сток ( I _DS ) фототранзистора CdS NR монотонно увеличивается / уменьшается с увеличением / уменьшением напряжения затвора ( В, _GS ) при положительной / отрицательной развертке, что соответствует типичному n -канальный полевой транзистор металл-оксид-полупроводник (MOSFET). Интересно, что очевидный гистерезис порогового напряжения ( В _th ) в 30 В появляется между положительной и отрицательной качающимися кривыми, показывая характеристику памяти фототранзистора CdS NR.В контрольном эксперименте измерение передаточной характеристики проводилось в темноте без предварительного облучения (дополнительный рисунок 2а). Однако можно наблюдать только небольшой гистерезис менее 10 В между отрицательной и положительной качающейся кривой. Это явление более слабого накопления заряда запускается электрическим входным сигналом и часто наблюдается в транзисторах на основе полупроводниковых наноструктур из-за состояний захвата поверхности, индуцированных адсорбированным кислородом ^37,38 . Принимая во внимание заметное отрицательное смещение положительной кривой качания после облучения светом, мы делаем вывод, что фотогенерированные дырки захватываются носителем информации в CdS NR ^39,40 .Следовательно, весь гистерезис на рис. 1c является результатом комбинированного эффекта накопления фотогенерированных дырок оптическим входным сигналом и накопления заряда электрическим входным сигналом.

Рис. 1

Фототранзистор с функцией памяти. a Схематическое изображение фототранзисторного устройства на основе CdS NR. b СЭМ-изображение фототранзисторного устройства. c Электрическая передаточная характеристика фототранзистора CdS NR, измеренная в темноте при фиксированном напряжении стока 0.6 В, после облучения светом (190 нВт · см ^{— 2} ) в течение 10 с. Черные стрелки указывают направления сканирования кривых. d Пороговое напряжение и ток включения при разном времени удерживания

Для дальнейшей оценки характеристик памяти фототранзистора CdS NR были проанализированы сопротивление, концентрация электронов и подвижность CdS NR. На рис. 1c сопротивления при В _GS = 0 при положительной и отрицательной развертках рассчитаны равными 1.8 × 10 ⁶ и 1,1 × 10 ¹³ Ом соответственно, что соответствует низко- и высокоомному состояниям устройства, то есть бистабильным состояниям. Соответственно, концентрации электронов ( n _e ) для состояний с низким и высоким импедансом составляют 3,5 · 10 ¹⁶ и 4,5 · 10 ⁹ см ⁻³ соответственно. Огромная разница возникает из-за эффекта накопления фотогенерированных электронов под действием света, о чем мы поговорим позже.Кроме того, подвижность электронов транзистора CdS NR оценивается в 656 см ² В ^-1 с ^-1 в соответствии с кривой передаточной характеристики на линейном графике (дополнительный рисунок 3). Большая мобильность может значительно облегчить транспортировку фотогенерированных носителей, что приводит к сверхвысокой чувствительности устройства к падающему свету. Следовательно, даже при облучении слабым светом 100 мкВт / см ^-2 , I _DS устройства резко увеличилось и стало почти независимым от напряжения затвора, как показано на дополнительном рисунке 2b.

Благодаря ярко выраженным характеристикам памяти, в фототранзисторе CdS NR может быть достигнуто отсроченное считывание индуцированных светом электрических выходных сигналов. На дополнительном рисунке 4 показаны характеристики электропередачи при положительной развертке, измеренные после задержки 0–3600 с после облучения светом. Из параметров, извлеченных на рис. 1d, следует отметить, что пороговое напряжение и ток включения фототранзистора CdS NR остаются почти постоянными при отсроченном считывании. На дополнительном рисунке 5a показан цикл доступа к памяти, состоящий из оптического программирования, чтения, электрического стирания и чтения.Состояние ВКЛ (или ВЫКЛ) может быть считано при В _GS = 0 В после облучения светом в течение 10 с (или электрического возбуждения с импульсом смещения затвора 60 В в течение 2 с). Длительное время удерживания 12000 с для токов включения и выключения демонстрирует стабильную запоминающую способность фототранзистора CdS NR (дополнительный рисунок 5b, c). Кроме того, зондовый силовой микроскоп Кельвина (KPFM) был использован для измерения поверхностного потенциала CdS NR (дополнительный рисунок 6). Отметим, что поверхностный потенциал NR лишь незначительно уменьшается после выключения света, подразумевая, что концентрация носителей мало изменяется после облучения светом.Этот результат согласуется с электрическими измерениями на фототранзисторе.

Механизм характеристик оптоэлектронной памяти

Чтобы лучше понять механизм характеристик оптической памяти фототранзистора CdS NR, была проведена серия электрических измерений для сравнения. На рис. 2а показаны электрические передаточные характеристики фототранзистора CdS NR, измеренные при приложении различных напряжений затвора от ± 10 до ± 60 В. Можно видеть, что по мере уменьшения абсолютного значения рабочего напряжения кривые обратной развертки становятся ближе к устойчивые кривые прямой развертки, указывающие, что только электроны захватываются в среде хранения при возбуждении электрического поля ^41,42 .На дополнительном рисунке 7a, b показаны характеристики электропередачи фототранзистора CdS NR, изготовленного на предварительно отожженной и пассивированной поверхности подложек соответственно. Отметим, что характеристики памяти устройств не показывают явного ухудшения. Этот результат исключает возможность наличия дефектных состояний на диэлектрическом слое или молекул адсорбированной воды на подложке в качестве носителей информации. Напротив, рис. 2b показывает, что окно накопления устройства значительно уменьшается после пассивации оксидом алюминия на поверхности CdS NR посредством осаждения атомного слоя (ALD), предполагая, что места накопления заряда в основном являются поверхностными состояниями на CdS NR. .На рис. 2в показаны кривые низкоомного фототранзистора CdS NR I _DS — V _DS в двойном логарифмическом масштабе при различных температурах после предварительного облучения. При 300 K кривая I _DS — V _DS демонстрирует линейную характеристику омической проводимости, что указывает на высокую концентрацию носителей заряда в NR CdS и относительно небольшой потенциальный барьер между NR CdS и индиевыми электродами. С понижением температуры удельное сопротивление ρ CdS NR увеличивается (вставка на рис.2c) и кривые I _DS — V _DS изгибаются вверх при более высоких напряжениях. При 22 К, когда В _DS находится в диапазоне 0–1,2 В, поведение кривой I _DS — В _DS соответствует омической проводимости (т. Е. I _DS ~ В _DS ). Напротив, когда В _DS находится в диапазоне 1,2–10 В, I _DS определяется как пропорциональный В _DS ^1.4 , обнаруживая смешанную характеристику проводимости между омической проводимостью и проводимостью, ограничивающей объемный заряд ( I _DS ~ V _DS ² ) ⁴³ . Известно, что для собственного NR CdS свободные носители будут резко уменьшаться при низкой температуре, следовательно, объемные заряды, инжектируемые из электрода, будут доминировать в переносе заряда, вызывая ток, ограничивающий объемный заряд. Однако в нашей работе количество свободных электронов внутри NR CdS все еще очень велико при 22 K из-за эффекта накопления при световом облучении.Это отвечает за смешанное транспортное поведение носителей в CdS NR.

Рис. 2

Анализ механизма характеристик оптической памяти фототранзистора на основе CdS NR. a Электрические характеристики передачи фототранзистора CdS NR, измеренные при различных напряжениях затвора от ± 10 до ± 60 В. b Электрические характеристики передачи фототранзистора CdS NR, измеренные до и после пассивации Al ₂ O ₃ . c I _DS — V _DS кривые фототранзистора CdS NR, построенные в двойном логарифмическом масштабе при различных температурах.На вставке показано удельное сопротивление ρ NR CdS при различных температурах. Характеристики электропередачи в a и b , а также кривые I — V в c были измерены в темноте после предварительного облучения светом в течение 10 с (190 нВт см ⁻² ) . d Схематическое изображение процесса оптической памяти в фототранзисторе CdS NR

Когда молекулы кислорода адсорбируются на поверхности CdS NR, они стремятся заполнить вакансии серы на поверхности, что приводит к образованию серии мелкой и глубокой энергии. состояний в запрещенной зоне NR CdS ^44,45,46,47 .Дополнительный рисунок 8 показывает спектр электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) NR CdS. Для сравнения были также измерены спектры порошка CdS до и после отжига H ₂ / Ar. Сигнал при g = 2,001 четко указывает на существование вакансий серы в NR CdS из-за процесса высокотемпературного испарения в среде H ₂ / Ar. Отметим, что аналогичные сигналы от вакансий серы наблюдались также в спектрах ЭПР других металлических полупроводников-халькогенов ^48,49 .На дополнительном рисунке 9a, b показаны оптимизированные конфигурации поверхности CdS, адсорбированной одной молекулой кислорода, без вакансии серы и с вакансией серы, соответственно. Наблюдается, что молекула кислорода имеет более низкую энергию адсорбции ( E _адс = -0,87 эВ) на поверхности CdS с вакансией серы, и молекула предпочтительно адсорбируется вблизи места вакансии серы. Адсорбция молекулы кислорода на вакансии серы может существенно изменить электронную структуру CdS. Как показано на дополнительном рисунке 9c, над валентной зоной наблюдается глубокое энергетическое состояние, которое генерируется адсорбированной молекулой кислорода в соответствии со спектрами прогнозируемой плотности состояний (PDOS).

Рис. 2d и дополнительный рисунок 10 иллюстрируют процесс хранения фотоэлектрических элементов в фототранзисторе CdS NR. В выключенном состоянии большое количество электронов будет захвачено в поверхностных состояниях и создаст поверхностное электрическое поле в направлении NR, которое значительно снизит количество свободных носителей в устройстве, что приведет к низкому току выключения. Под действием света фотогенерированные дырки будут быстро извлекаться из CdS NR под действием поверхностного электрического поля и впоследствии захвачены поверхностными состояниями, оставляя фотогенерированные электроны в CdS NR ^39,40 .Это снижает вероятность рекомбинации фотогенерированных электронно-дырочных пар, тем самым значительно улучшая эффективность фотоэлектрического преобразования устройства. С увеличением времени облучения фотогенерированные дырки непрерывно инжектируются в поверхностные накопительные состояния CdS до тех пор, пока захваченные электроны полностью не рекомбинируют с дырками. Следовательно, ток включения устройства значительно увеличивается за счет накопленных электронов в CdS NR. Сверхнизкий темновой ток, наряду с высокой эффективностью фотоэлектрического преобразования, обусловленной поверхностными состояниями, делает CdS NR с высоким содержанием поверхностных состояний выдающимся кандидатом для обнаружения сверхслабого света.С другой стороны, хотя эффекты как оптической памяти, так и электрической памяти способствуют эффекту памяти фототранзисторов на основе CdS NR (рис. 1c и дополнительный рисунок 2a), последняя возможность намного слабее первой. Это также важно для реализации высокоэффективного фотодетектирования в сверхслабом свете, избегая взаимных помех между электрическими и оптическими входными сигналами (подробное обсуждение можно найти на дополнительном рисунке 10). Напротив, традиционные оптоэлектронные запоминающие устройства с плавающим затвором обладают почти эквивалентными электрическими и оптическими возможностями хранения ³⁹ .Сильные помехи от электрического сигнала ограничивают их эффективность для обнаружения сверхслабого света.

Анализ производительности и оптимизация CdS NR MPT

Для оценки эффективности обнаружения CdS NR MPT были измерены характеристики передачи и временный фотоотклик при световом облучении с различной интенсивностью. На рис. 3а и на дополнительном рисунке 11 показаны кривые электропередачи CdS NR MPT, измеренные в темноте после 10 с светового облучения с различной интенсивностью 0–2000 нВт см ^–2 на полулогарифмических и линейных графиках.Можно видеть, что кривые смещаются в верхний левый угол по мере увеличения интенсивности света, а минимальная интенсивность света, которую может обнаружить устройство, составляет около 50 нВт на см ⁻² . Кроме того, могут быть извлечены фототоки, пороговые напряжения и характеристики фотодетектирования CdS NR MPT. На рис. 3b, c показаны характеристики фототока в зависимости от силы света ( I _ph — P ) в линейных и двойных логарифмических координатах соответственно. Как известно, для обычных фотодетекторов фототок зависит от степенной функции интенсивности падающего света, т.е.е., I _ф. ~ P ^{α 18,19} . В этом случае характеристики I _ph — P могут быть построены в виде прямой линии с наклоном α в двойных логарифмических координатах. Для идеального фотодетектора показатель мощности α равен теоретическому максимуму, равному 1. Однако α обычно меньше 1 из-за рекомбинации фотогенерированных носителей, вносимых состояниями ловушки в фотоприемнике. Однако на рис.3в, наклон характеристики I _ph — P , т.е. α, постепенно увеличивается с уменьшением интенсивности света. Примечательно, что, как показано на рис. 3c, α превышает 1 при интенсивности света менее ~ 200 нВт см ⁻² и даже достигает 9,3 при 50 нВт см ⁻² , что превышает теоретический предел традиционных фотодетекторов. Это рекордно высокое значение α является следствием значительного увеличения эффективности фотоэлектрического преобразования из-за эффекта накопления заряда CdS NR MPT.Однако при интенсивности света выше ~ 200 нВт / см ^-2 состояний накопления NR CdS недостаточно, чтобы удерживать все фотогенерированные дырки, так что оставшиеся дырки будут по-прежнему рекомбинировать с фотогенерированными электронами, тем самым уменьшая эффективность фотоэлектрического преобразования и, следовательно, значение α.

Рис. 3

Характеристики фотодетектирования CdS NR MPT. a Характеристики электропередачи фототранзистора CdS NR, измеренные в темноте после его облучения различными интенсивностями света 0–2000 нВт см ^–2 в течение 10 с. В _DS во время измерений было зафиксировано на уровне 0,6 В. b Фототок как функция силы света в линейной координате при В _GS = 30 В. c Фототок и соответствующий α как функция силы света в двойных логарифмических координатах при В _GS = 30 V. d R , D * и e ∆ V _th , R _V извлечено из ( a ). f Передаточные характеристики, измеренные в различных диапазонах минимального тока измерителя источника от 100 пА до 1 мА. г Кривые фотоотклика фототранзистора CdS NR, измеренные при облучении импульсным светом (2000 нВт см ⁻² ). Во время измерений подавалось фиксированное напряжение затвора (соответствующее черной кривой) или периодически пульсирующее напряжение затвора (соответствующее красной кривой). ч Кривая фотоотклика фототранзистора CdS NR, измеренная при облучении импульсным светом с постепенно увеличивающейся интенсивностью света от 50 до 2000 нВт см ⁻² .{- {\ mathrm {b}} \ cdot P \ cdot t}) \) для MPT на основе модели накопления заряда (см. подробный вывод формулы в дополнительном примечании 1). В формуле a представляет значение насыщения I _ph , а b · P представляет собой константу скорости MPT, приближающуюся к значению насыщения. Как показано на рис. 3b, фототок CdS NR MPT при различных интенсивностях света может быть хорошо описан экспоненциальным законом. Кривая фототока с экспоненциальной ассоциацией поднимается вверх и, наконец, приближается к плато.Из рис. 3а видно, что более высокое значение P действительно ускоряет процесс выхода фототока MPT на насыщение. Благодаря кумулятивному эффекту накопления заряда и большой эффективности фотоэлектрического преобразования, устройство демонстрирует беспрецедентно высокую производительность с чувствительностью ( R ) 10 ⁸ A W ^-1 и обнаруживающей способностью ( D ^* ) 10 ²⁰ Джонса при интенсивности света 190 нВт · см ⁻² (рис. 3d и подробный расчет в дополнительном примечании 2), которые представляют собой лучшие из когда-либо сообщавшихся значений для фотодетекторов на основе низкоразмерных полупроводники на данный момент ^33,50 .Следует отметить, что максимальные значения чувствительности и обнаружительной способности проявляются при интенсивности света 190–380 нВт / см ^–2 (α ≈ 1). На данный момент почти все электроны в состояниях хранения были рекомбинированы с фотогенерированными дырками, и производительность устройства достигла наивысшего уровня. Если предположить, что количество поверхностных состояний приблизительно равно количеству фотогенерированных электронов в канале устройства, плотность поверхностных состояний может быть оценена как 1,9 × 10 ¹² –3.7 × 10 ¹² см ⁻² от фототока при интенсивности света 190–380 нВт см ⁻² . Чтобы получить статистическую значимость, 30 фототранзисторов CdS NR были измерены после 10 с светового облучения (190 нВт см ^-2 ) (дополнительный рисунок 12). Стабильная производительность устройства указывает на высокую воспроизводимость MPT CdS NR. Незначительное изменение характеристик устройства в основном связано с различными условиями поверхности устройства, возникающими из-за колебаний роста NR и процесса создания устройства.

Текущий отклик на световое излучение является ключевым фактором качества, характеризующим работу фотоприемников. Однако для измерения чрезвычайно низкого темнового тока обычно требуется сложная система определения характеристик тока. В качестве альтернативы, смещение порогового напряжения также предлагает реальный способ характеризовать фотоотклик фотодетекторов ^51,52 . На рис. 3e показан сдвиг порогового напряжения в зависимости от интенсивности света (Δ V _th — P , красный символ).Абсолютное значение сдвига порогового напряжения постепенно увеличивается с увеличением интенсивности света и имеет тенденцию к насыщению при большей интенсивности света. На рис. 3e, аналогично чувствительности по току, чувствительность к напряжению ( R _В , синий символ) CdS MPT показывает максимальное значение 10 ¹⁵ В Вт ^-1 при интенсивности света около 200 нВт см ⁻² . На рис. 3f показаны передаточные характеристики, измеренные при различных минимальных токах источника в диапазоне от 100 пА до 1 мА.Перекрывающиеся кривые показывают, что чувствительность к напряжению фактически не зависит от точности измерения системы определения характеристик. Это означает, что на практике для считывания сверхслабых световых сигналов можно использовать источник с низкой точностью, что значительно упрощает систему обнаружения.

Высокочувствительное фотодетектирование MPT в реальном времени может быть достигнуто путем применения периодических импульсов стирания (дополнительный рисунок 13). На рис. 3g показаны кривые фотоотклика CdS NR MPT, измеренные при напряжении затвора 0 В (черная кривая) и при приложении периодического импульсного напряжения затвора (красная кривая).Из увеличенной кривой фотоотклика на дополнительном рисунке 14 время нарастания / спада можно оценить как 0,12 / 0,7 и 0,5 / 0,5 с в случаях с и без импульса стирания, соответственно. Примечательно, что после применения импульса стирания ток отключения CdS NR MPT может быть значительно подавлен, что приводит к сверхвысокой чувствительности до ~ 10 ⁸ . Из-за ограниченной эффективности фотоэлектрического преобразования обычные фотодетекторы обычно демонстрируют низкую чувствительность менее 10 при обнаружении сверхслабого света, что легко приведет к ошибочному считыванию фотоэлектрического сигнала ^34,35,53,54 .Рис. 3h показывает, что чувствительность MPT все еще составляет ~ 10 ⁷ из-за эффекта накопления заряда даже при сверхнизкой интенсивности света 50 нВт / см ⁻² . На рис. 3i показана кривая поглощения света CdS NR вместе со спектральным откликом, характерным для CdS NR MPT для сравнения. Перекрывающиеся кривые демонстрируют, что заряды, накопленные в устройстве после облучения светом, происходят от фотогенерированных носителей в NR CdS.

Для улучшения характеристик фотодетектирования мы изготовили MPT с подвешенным NR CdS через канал на подложке.Количество состояний хранения на поверхности можно эффективно увеличить, открыв нижнюю поверхность NR ⁵⁵ . Как показано на рис. 4a, b, канал глубиной 200 нм и шириной 8 мкм был вытравлен на подложке SiO ₂ / Si методом реактивного ионного травления (RIE). Затем был изготовлен подвешенный NR MPT путем выравнивания NR CdS вертикально поперек протравленного канала. Подробный процесс изготовления представлен на дополнительном рисунке 15. На рисунке 4c показаны кривые электропередачи суспендированного CdS NR MPT, измеренные в темноте после 10 с светового облучения при различной интенсивности света 0–2000 нВт см ^–2 .Из-за повышенных состояний накопления на поверхности смещение порогового напряжения после облучения светом становится очевидным, и суспендированный CdS NR MPT способен обнаруживать минимальную интенсивность света 25 нВт / см ^-2 . Примечательно, что чувствительность к напряжению подвешенного MPT значительно улучшена по сравнению с обычным MPT (рис. 4d). Максимальная чувствительность к напряжению составляет 2,5 × 10 ¹⁵ В Вт ⁻¹ при интенсивности света 200 нВт см ⁻² , а характеристика напряжения подвешенного NR MPT при сверхслабом световом облучении (50 нВт см ⁻² за 10 с) равно 3.В 5 раз больше, чем у обычного устройства. Кроме того, по сравнению с обычным устройством, темновой ток подвешенного CdS NR дополнительно снижается с 10 ⁻¹³ A до 10 ⁻¹⁴ A, в то время как подпороговое колебание уменьшается с 300–600 мВ дек. ⁻¹ до 100–300 мВ дек. ⁻¹ (дополнительный рисунок 16). Пониженный темновой ток, а также подпороговое колебание возникают из-за более сильного подавления свободных электронов в NR CdS поверхностным электрическим полем. Это полезно для дальнейшего снижения энергопотребления MPT в выключенном состоянии ⁵⁶ .Для сравнения, если поверхностные состояния CdS NR были уменьшены пассивированием Al ₂ O ₃ (дополнительный рисунок 17), то сдвиг порогового напряжения, обнаруживаемая минимальная интенсивность света и чувствительность к напряжению пассивированного CdS NR MPT явно ухудшились. .

Фиг.4

Подвесной CdS NR MPT. a Схематическое изображение и b SEM-изображение суспендированного CdS NR MPT, изготовленного над каналом на подложке. c Кривые электропереноса суспендированного CdS NR MPT, измеренные в темноте после 10 с облучения светом при различной интенсивности света 0–2000 нВт см ^–2 . d Чувствительность к напряжению нормального и подвешенного CdS NR MPT, а также их соотношение при различной интенсивности света

Однако дальнейшее увеличение плотности поверхностных состояний предпочтительно увеличивает окно электрической памяти, что приводит к ухудшению характеристик устройства. Электронно-лучевое облучение является эффективным способом введения вакансий халькогена на поверхность металлического полупроводника халькогена ^57,58,59 . Из дополнительного рисунка 18 видно, что доля окна накопления электроэнергии в общем окне накопления значительно увеличивается при облучении электронным пучком, демонстрируя повышение способности накопления электроэнергии для MPT.Этот результат можно объяснить наличием избыточных состояний с мелкой энергией, возникающих после облучения электронным пучком. Как показано на дополнительном рисунке 10, электрические и оптические возможности хранения в основном связаны с состояниями мелкой и глубокой энергии соответственно. Из-за небольшого энергетического барьера между состояниями мелкой энергии и зоной проводимости CdS NR способность аккумулирования электроэнергии предпочтительно улучшается, когда одновременно увеличиваются плотности мелких и глубоких энергетических состояний.Сильный электрический накопитель будет мешать процессу оптического накопления, тем самым ограничивая производительность MPT для обнаружения сверхслабого света. Следовательно, в MPT рациональное управление плотностью поверхностных состояний полупроводниковых наноструктур имеет решающее значение для достижения высоких характеристик при обнаружении слабого света.

Следует отметить, что эффективность фотодетектирования CdS MPT сильно зависит от времени облучения светом, поскольку в устройстве может храниться больше зарядов, увеличивая время облучения.На рис. 5а показаны кривые электропередачи CdS NR MPT, измеренные в темноте после светового облучения (25 нВт · см ⁻² ) с различным временем от 0 до 32000 с. Отметим, что по мере увеличения времени облучения кривая будет перемещаться в верхний левый угол. {- {\ mathrm {b}} \ cdot P \ cdot t}) \).С другой стороны, при увеличении времени облучения с 500 до 32000 с чувствительность по фототоку и обнаруживающая способность увеличились в ~ 500 раз, а чувствительность к напряжению увеличилась более чем в 15 раз (рис. 5c). Примечательно, что на рис. 5d чрезвычайно слабый свет мощностью 6 нВт / см ^-2 может быть четко обнаружен путем облучения нормальной и взвешенной MPT CdS в течение более длительного времени, равного 64000 и 32000 с, соответственно. В этом случае рекордно высокая чувствительность фототока 3,8 × 10 ⁹ A W ^-1 и обнаруживающая способность 7.7 × 10 ²² Джонса, что на 3-5 порядков выше, чем для традиционных фотодетекторов, по сравнению с рис. 5e и дополнительной таблицей 1 ^{30,31,32,33,34,35, 36,38,50,53,54,60,61} . CdS MPT также демонстрирует чувствительность к высокому напряжению 9,5 × 10 ¹⁶ В Вт ^-1 , что выше, чем лучшие значения, сообщенные для фотодетекторов на основе низкоразмерных наноструктур ⁶² . Для традиционного фотоприемника необходимо найти компромисс между интенсивностью света и чувствительностью, как показано на рис.5f и Дополнительная таблица 1 ^{30,31,32,33,34,35,36,38,50,53,54,60,61} . Напротив, MPT позволяет обнаруживать сверхслабый свет (6 нВт см ⁻² ) со сверхвысокой чувствительностью 4 × 10 ⁷ . Стоит отметить, что характеристики фотодетектирования MPT также намного лучше, чем у тонкопленочных и массивных фотоприемников на основе кристаллов (дополнительная таблица 2) ^{63,64,65,66,67,68,69} .

Рис. 5

Накопительный эффект накопления заряда. a Кривые электропередачи фототранзистора CdS NR, измеренные в темноте после 0–32 000 с светового облучения (25 нВт см ⁻² ). b Фототоки при В _GS = 34 В, сдвиги порогового напряжения и c чувствительность к фототоку, чувствительность к напряжению и обнаружительная способность при разном времени облучения, которые были извлечены из кривых электропередачи в a . d Кривые электропередачи нормального и подвешенного фототранзисторов CdS NR после облучения сверхслабым светом 6 нВт см ⁻² в течение более длительного времени 64000 и 32000 с соответственно. e Чувствительность, обнаруживаемость и f интенсивность света, чувствительность нескольких типичных современных низкоразмерных полупроводниковых фотоприемников

FUTV4332 256 X 3 IP MPTS / SPTS вход MUX Скремблирование 24 X 3 DVB- Модулятор C Out QAM-MUX-Scrambler-tvfmuser.com

FUTV4332 256 X 3 IP MPTS / SPTS вход MUX Скремблирование 24 X 3 DVB-C Out QAM Модулятор

Р: V20160119-10-29
Техническая спецификация
Руководство пользователя

Ввод: IP
Выход: IP-MPTS, IP-SPTS, QAM, DVB-C

Описание продукта

Модуль модуляции QAM с мультиплексированием и скремблированием IP FUTV4332 — это универсальное устройство последнего поколения, модулирующее мультиплексирование и модуляцию.Он поддерживает максимум 256 IP (MPTS / SPTS) входов и 32 несущих выхода, а также выход 32IP после процесса мультиплексирования и скремблирования (RF-выход для локальной передачи и IP-выход для удаленного подзаголовка). Он принимает структуру слотов с одним устройством, поддерживающим максимум 3 модуля FUTV4332 и 256 каналов мультиплексной скремблирования-модуляции. Благодаря своей высокой производительности и низкой стоимости, FUTV4332 особенно подходит для систем кабельного телевидения нового поколения.

Основные характеристики

1 вход GE, интерфейс RJ45 или SFP
Поддерживает до 256 каналов TS через UDP, MPTS или SPTS
Поддерживает одноадресную и многоадресную рассылку, поддерживает IGMP v2 \ v3
Макс. 840 Мбит / с для всех входов
Поддерживает повторное мультиплексирование MPEG2 и мультиплексирование MPTS / SPTS
Поддерживает точная настройка PCR
Поддерживает фильтрацию PID, переназначение и редактирование PSI / SI
Поддерживает переназначение до 180 PIDS на канал
Поддержка общей системы скремблирования DVB (ETR289), стандартов simulcrypt ETSI 101 197 и ETSI 103 197
Поддержка мультиплексированных или скремблированных TS через UDP выход
32 смежных несущих QAM выход, соответствующий DVB-C (EN 300 429) и ITU-T J.83 A / B / C
Поддерживает символьную скорость 5,0 ~ 9,0 Msps, шаг 1Ksps
Поддерживает группировку: 16QAM / 32QAM / 64QAM / 128QAM / 256QAM
Поддерживает кодирование RS (204,188)
Диапазон выходной частоты RF: 48 ~ 960Mhz, 1Khz stepping
Выходной уровень RF: -16 ~ 0 дБм (на несущую QAM), шаг 0,5 дБ
Отличные характеристики RF, MER> = 40 дБ
Поддержка NMS / SNMP
Модульная конструкция, поддержка шасси 1U 3 модуля, поддержка шасси 4U 12 модулей

Внутренний принцип

Пример подключения к системе

Спецификация

Экономичный 4-канальный осциллограф с полосой пропускания 100 МГц от Saelig с расширенным запуском и большой памятью.

Четырехканальный осциллограф SDS1104X-U с полосой пропускания 100 МГц является более дешевой и экономичной версией очень популярного SDS1104X-E.Было сохранено множество превосходных функций, в том числе большой 7-дюймовый TFT-ЖК-дисплей и эргономичный дизайн передней панели, при этом экономия была достигнута за счет удаления дополнительных возможностей обновления MSO и функционального генератора, уменьшения разрешения по временной развертке и вертикального разрешения, что исключает веб-страница и управление Wi-Fi, а также использование одного АЦП 1 Гвыб / с, а не двух АЦП 1 Гвыб / с.

В SDS1104X-U используется технология Super-Phosphor от Siglent последнего поколения, обеспечивающая скорость захвата формы сигнала до 100 000 осциллограмм в минуту (400 000 осциллограмм в секунду в последовательном режиме).Он поддерживает 256-уровневую градацию интенсивности и режимы отображения цветовой температуры с максимальной частотой дискретизации 1 Гвыб / сек и максимальной длиной записи 14 мегапикселей. Для простоты использования наиболее распространенные функции доступны через эргономичный дизайн передней панели.

SDS1000X-U обеспечивает высокочувствительную инновационную цифровую систему запуска с низким уровнем джиттера, которая также поддерживает запуск и декодирование последовательной шины для сигналов I ² C, SPI, UART, CAN и LIN. Модель X-U также включает в себя запись истории сигналов и последовательный запуск, что обеспечивает расширенную запись и анализ сигналов.Еще одно мощное дополнение — новая математическая функция БПФ со 128 тысячами точек при наблюдении за спектрами сигналов. Новый цифровой дизайн включает аппаратный сопроцессор, который производит измерения быстро и точно без замедления сбора данных или отклика передней панели. SDS1104X-U также поддерживает расширенный поиск и простую навигацию.

Предусмотрено десять типов сочетаний клавиш, поддерживающих автоматическую настройку, значение по умолчанию, курсоры, измерение, вращение, историю, отображение / сохранение, очистку развертки, масштабирование и печать.Функции прибора включают автоматические измерения для 38 параметров, а также статистику измерений, масштабирование, стробирование, математические функции, архивные и справочные функции, пики и маркеры. Включены несколько интерфейсов, таких как USB Host, USB Device (USB-TMC), LAN, Pass / Fail, Trigger Out.

Поставляемый с четырьмя пассивными пробниками, четырехканальный осциллограф Siglent SDS1104X-U сейчас доступен всего за 399 долларов от Saelig Company, Inc. Также доступен полный ассортимент пробников тока и напряжения. Для получения подробных технических характеристик, бесплатной технической помощи или дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с Saelig по телефону 1-888-7SAELIG по электронной почте: info @ saelig.com или посетите www.saelig.com.

Механическая жесткость — обзор

Конверт клетки.

Пептидогликан — это основная единица клеточной стенки бактерий, которая придает клетке механическую жесткость, защищает цитоплазматическую мембрану и определяет форму клетки. У грамположительных бактерий толстая оболочка пептидогликана в сочетании с тейхоевой кислотой составляет основную структуру клеточной стенки. С другой стороны, грамотрицательные бактерии обладают более сложной структурой с гораздо более тонким пептидогликановым слоем ближе к цитоплазматической мембране.Более того, периплазматическое пространство расположено наружу и ограничено снаружи асимметричной внешней мембраной, причем внешняя поверхность в основном состоит из липополисахарида (ЛПС). Образовавшийся слой создает мощный барьер, который может ограничивать поглощение биоцидов (Russell, 2001b). Это особенно верно для организмов, таких как Pseudomonas aeruginosa, , где высокое содержание Mg ²⁺ в наружной мембране способствует образованию прочных связей ЛПС-ЛПС. С другой стороны, у Proteus spp., присутствие менее кислого типа липополисахарида является фактором, способствующим его устойчивости к хлоргексидину и другим катионным биоцидам (Russell and Chopra, 1996). Более того, внешняя мембрана грамотрицательных бактерий действует как барьер проницаемости, поскольку узкие пориновые каналы ограничивают проникновение гидрофильных молекул, а низкая текучесть створки ЛПС замедляет внутреннюю диффузию липофильных соединений (Beumer et al. , 2000). .

Следовательно, в целом грамотрицательные бактерии более устойчивы к дезинфекции, чем грамположительные бактерии (Russell, 1998, 1999b).Тем не менее грамположительные бактерии более устойчивы к хлору (Trueman, 1971; Mir et al. , 1997). В пилотном исследовании по изучению бактериологических изменений популяции в результате очистки питьевой воды Нортон и ЛеШевалье (2000) продемонстрировали влияние дезинфекции хлором на снижение общего количества жизнеспособных бактерий и селекцию грамположительных бактерий. Фактически, хлорирование становится ограничивающим фактором микробного разнообразия в системах питьевой воды (Maki et al., 1986). В этих случаях уровни грамположительных бактерий были в три раза выше, чем уровни, обнаруженные в сырой воде, а компактная и толстая клеточная стенка считалась одним из возможных механизмов, обеспечивающих большую устойчивость к дезинфекции хлором (LeChevallier et al. , 1980).

Помимо обычной структуры клеточной стенки, необходимо учитывать другие конфигурации клеточной стенки, например, присутствующую у микобактерий. Стенки микобактериальных клеток представляют собой богатые липидами и сложные структуры, состоящие из пептидогликана, миколата арабиногалактана, различных липидов и пептидов.В этой группе слой пептидогликана отличается от классической формы связанными боковыми цепями полисахарида, этерифицированными на своих дистальных концах миколиновыми кислотами. Присутствие миколиновых кислот на клеточной стенке не является исключительной характеристикой микобактерий, поскольку они могут присутствовать (хотя и несколько иным образом) в других родах, таких как Corynebacterium, Nocardia и Rhodococcus (Brennan and Nikaido, 1995). ).

Его особый состав создает превосходный барьер с чрезвычайно низким коэффициентом проницаемости (Jarlier and Nikaido, 1994) и очень гидрофобной структурой, определяющей значительное ограничение диффузии гидрофильных биоцидов.Присутствие и стойкость Mycobacteria в системах питьевой воды предполагает, что эта обработка может иметь незначительный эффект на них (Collins et al. , 1984). Помимо устойчивости к химической дезинфекции, некоторые микобактерии в некоторой степени обладают пониженной чувствительностью к нагреванию. Schulze-Röbbecke и Buchholtz (1992) демонстрируют, что тепловых мер для борьбы с Legionella pneumophila может быть недостаточно для борьбы с несколькими видами микобактерий в загрязненных водных системах.Учитывая их восприимчивость к дезинфекции, микобактерии занимают промежуточное положение между бактериями и формами устойчивости, такими как бактериальные споры или цисты простейших и ооцисты.

Более того, бактерии обладают оттоком низкоспецифичных насосов, которые могут экструдировать путем откачки в основном липофильных или амфипатических молекул. Эти закодированные в хромосомах насосы множественной лекарственной устойчивости (МЛУ) широко распространены (Lewis, 1994) и все чаще используются в качестве механизма устойчивости (Levy, 2002).Они очень важны для определения чувствительности к биоцидам и антибиотикам, особенно грамотрицательных бактерий, но также играют роль в развитии множественной резистентности. Их присутствие в патогенах, таких как S. aureus и Pseudomonas aeruginosa , представляет серьезную угрозу для здоровья населения (Littlejohn et al. , 1991). Например, Smr (*** стафилококковая множественная лекарственная устойчивость), который вытесняет мембранопроницаемые катионы, такие как бромид этидия и тетрафенилфосфоний, насос QacA S.aureus , участвующий в экструзии четвертичных аммониевых соединений и MexEF в P. aeruginosa и AcrAB в E. coli (Lewis, 1994; Nikaido, 1994).

Фактически, текущие данные предполагают, что оттокные насосы являются частью естественных защитных механизмов от токсичных соединений, существующих в окружающей среде. Хотя грамотрицательные бактерии защищаются от больших гидрофильных молекул за счет использования узких пориновых каналов во внешней мембране, липополисахарид-содержащий бислой по-прежнему обеспечивает медленную диффузию липофильных агентов.Таким образом, была выдвинута гипотеза, что оттокные насосы изначально эволюционировали, чтобы позволить бактериальным популяциям реагировать на изменения в окружающей их среде, но в настоящее время, столкнувшись с возрастающей угрозой со стороны биоцидов, мутантные штаммы, в которых системы оттока постоянно экспрессируются, находятся в стабильном состоянии (Beumer et al , 2000).

54832D datasheet — Осциллограф смешанных сигналов, 600 МГц, 2 + 16 каналов

Функции и преимущества Опции и аксессуары Рабочие характеристики Альтернативы для покупки Информация для заказа

Сочетая в себе преимущества лучшей в отрасли глубокой памяти MegaZoom и моделей осциллографов смешанных сигналов, Infiniium позволяет быстрее и проще, чем когда-либо, увидеть, что происходит в вашем высокоскоростном цифровом или коммуникационном устройстве.

Просмотр и запуск по 4 аналоговым и 16 цифровым каналам С осциллографами смешанных сигналов Agilent серии 54830D (MSO) вы можете легко просматривать сложные взаимосвязи аналоговых и цифровых сигналов, а также аналоговые характеристики цифровых сигналов. Если ваши встроенные конструкции включают сложные цифровые шины, такие как PCI или SDRAM, MSO серии 54830D позволяют легко запускать и просматривать 20 синхронизированных по времени аналоговых и цифровых сигналов, чтобы изолировать проблемы и циклы, представляющие интерес.Лучшая в отрасли глубокая память с мгновенным откликом Обладая памятью для сбора данных объемом до 128 Мбайт, устройства MSO и DSO Agilent серии 54830 обеспечивают превосходное разрешение при захвате длинных и сложных сигналов. Но осциллограф с глубокой памятью не должен быть трудным в использовании.

В осциллографах

Infiniium от Agilent используется технология MegaZoom с пропускной способностью 128 мегапикселей для быстрого обновления формы сигналов и быстрого управления вводом пользователем.

Полоса пропускания от 600 МГц до 1 ГГц 4 + 16-, 2- и 4-канальные модели до 4 Гвыб / с до 4 Мбайт памяти; до 128 мегапикселей (опционально) Расширенные решения для зондирования Области применения, отмеченные наградами На сегодняшний день Infiniium получила восемь отраслевых наград, включая награду EDN «Инновация года» (дважды) и награду «Лучшее в тестировании» от T&M World.«Компания Agilent стремится открывать новые горизонты и предоставлять инструменты, которые приносят уникальную ценность нашим клиентам.

Вот что инженеры говорят о своих прицелах Infiniium.

«Все находится там, где вы хотите. Индикаторы, ручки, их легко увидеть, они просты в использовании». Мэтт Бергер Старший технический специалист National Semiconductor

Простые вещи — просто Аналоговая передняя панель обеспечивает простые элементы управления основными функциями, которые легко найти и легко использовать.

«Другие прицелы трудно использовать, трудно маневрировать.С Infiniium легко сориентироваться, когда вам нужны расширенные функции ». Норм Рид, технолог по радиолокационным системам, Канадское министерство национальной обороны

Легкий доступ к расширенным функциям Знакомый графический интерфейс пользователя на базе Windows упрощает навигацию и доступ к расширенным функциям.

«Мы используем Infiniium для сохранения большого количества снимков экрана в нашей локальной сети, а затем сразу же загружаем их по сети. Это экономит много времени и избавляет от лишних хлопот.»Стью Наффер, старший системный инженер, LSI Logic

Удобная коммуникация и совместное использование данных Архитектура ПК со стандартным интерфейсом LAN позволяет легко делиться своей работой и сообщать о своих результатах.

«Сложный запуск имеет свое место, но иногда мне просто хочется все запечатлеть и посмотреть». Чак Хилл Консультант Альта Инжиниринг

Автоматическая глубокая память с мгновенным откликом Благодаря глубокой памяти Infiniium MegaZoom вы можете легко выполнять длительные однократные измерения и выполнять поиск в данных с мгновенным откликом.