23.11.2024

Вранзистор с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ: ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Ρ‹ Π½Π° ΠΏΠ°Π»ΡŒΡ†Π°Ρ…. Π§Π°ΡΡ‚ΡŒ 4

Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Ρ‹ Π½Π° ΠΏΠ°Π»ΡŒΡ†Π°Ρ…. Π§Π°ΡΡ‚ΡŒ 4

Но Π΄ΠΈΠΎΠ΄Ρ‹, рСзисторы, транзисторы ΠΈ кондСнсаторы это Ρ‚Π°ΠΊ, лишь обвязка. Особо Π½Π° Π½ΠΈΡ… Π½Π΅ Ρ€Π°Π·Π²Π΅Ρ€Π½Π΅ΡˆΡŒΡΡ (Π½Π΅Ρ‚, маньяки, ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚, Π½ΠΎ Π³Π°Π±Π°Ρ€ΠΈΡ‚Ρ‹ устройств Ρ‚Π°ΠΌ Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ фССричСскиС). Π‘Π°ΠΌΠΎΠ΅ вкусноС нас ΠΏΠΎΠ΄ΠΆΠΈΠ΄Π°Π΅Ρ‚ Π² микросхСмах πŸ™‚
ДСлятся ΠΎΠ½ΠΈ Π½Π° Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΈ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹Π΅. Для Π½Π°Ρ‡Π°Π»Π° ΠΊΡ€Π°Ρ‚ΠΊΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π΅Π³ΡƒΡΡŒ ΠΏΠΎ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ микросхСмам.

ΠœΠΈΡ€ΠΎΠΌ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΡ‚ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€Π°!

ΠšΡ€Π°Π΅ΡƒΠ³ΠΎΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΊΠ°ΠΌΠ½Π΅ΠΌ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΉ схСмотСхники слуТит понятиС нуля ΠΈ Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Ρ‹, понятиС это ΡΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡˆΠ΅Π½Π½ΠΎ условноС, Ρ‚.ΠΊ. фактичСски Π½Π΅Ρ‚ Π½ΠΈΠΊΠ°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ нуля ΠΈ Π½Π΅Ρ‚ Π½ΠΈΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΉ Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Ρ‹, Π΅ΡΡ‚ΡŒ лишь ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½ΠΈ напряТСния – высокий ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π½Π΅ΠΊΠΈΠΉ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ послС ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ напряТСния принято ΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ высоким ΠΈΠ»ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ. Π‘ΠΊΠ°ΠΆΠ΅ΠΌ всС, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½ΠΈΠΆΠ΅ 0.7 Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ считаСм Π·Π° Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ, Ρ‚.Π΅. 0, всС Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ 2.4 Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ высоким, Ρ‚.Π΅. Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Π°. ΠœΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ 0.7 ΠΈ 2.4 Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π°, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π½Π΅ ясно ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΉ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ, это состояниС ΡΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡˆΠ΅Π½Π½ΠΎ Π½Π΅ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ Π΅Π³ΠΎ нСльзя ΠΎΡ†Π΅Π½ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΡƒΡŽ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ, ΠΈΠ½Π°Ρ‡Π΅ Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ систСмы Π² Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΌ случаС Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ нСпрСдсказуСмый Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚.
Π‘ΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ² ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ высокоС, практичСски ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Π³ΠΎ бСсконСчным.

Π’ΠΎ избСТания ΠΏΡƒΡ‚Π°Π½ΠΈΡ†Ρ‹ смыслов, Π² Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΈΠ½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅ΠΉ ΠΈ транзисторов принято ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π΅ соглашСниС. ΠšΠ»ΡŽΡ‡ считаСтся ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ ΠΈΠ»ΠΈ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ для протСкания Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΊΡ€Π°Π½ Π½Π° Ρ‚Ρ€ΡƒΠ±Π΅. Π‘ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ зрСния ΠΆΠ΅ мСханичСского исполнСния ΠΎΠ½ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π·Π°ΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚ ΠΈΠ»ΠΈ Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚. Π’Π°ΠΊ Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ = Π·Π°ΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚, Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ = Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚. И Π½Π΅ слСдуСт ΠΏΡƒΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ с англоязычной Π½ΠΎΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ, Π³Π΄Π΅ Open = ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ Ссли Ρ€Π΅Ρ‡ΡŒ ΠΈΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎ транзисторС ΠΈΠ»ΠΈ элСктронном ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅ ΠΈ Open = Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚ Ссли Ρ€Π΅Ρ‡ΡŒ ΠΈΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎ мСханичСском Ρ€ΡƒΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΈΠΊΠ΅. Π’Π°ΠΌ Open-Close слСдуСт Ρ€Π°ΡΡΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π² ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΌ контСкстС Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅Π³ΠΎ случая. Π’Π΅Π»ΠΈΠΊ ΠΈ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‡ русский язык! =)

Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ Π² микросхСмС Π±Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ². Π Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ push-pull ΠΈ open drain (Π² нашСй Π»ΠΈΡ‚Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ Π΅Π³ΠΎ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ ΠžΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ ΠšΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈΠ»ΠΈ ОК). ΠžΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² способС Π²Ρ‹Π΄Π°Ρ‡ΠΈ сигнала Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄. Π’ Push-Pull Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π½ΡƒΠΆΠ΅Π½ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ, Ρ‚ΠΎ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ Ρ‚ΡƒΠΏΠΎ ΠΈ бСспрСкословно замыкаСтся Π½Π° зСмлю, ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰ΡƒΡŽ Π½ΡƒΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π», Π° ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° высокий, Ρ‚ΠΎ Π½Π° напряТСниС питания.
Π’ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅ всС нСсколько ΠΈΠ½Π°Ρ‡Π΅. Когда Π½Π°ΠΌ Π½Π°Π΄ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ, Ρ‚ΠΎ ΠΌΡ‹ саТаСм Π½ΠΎΠ³Ρƒ Π½Π° зСмлю, Π° Π²ΠΎΡ‚ высокий ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ получаСтся ΠΏΠΎΠ΄Ρ‚ΡΠ³ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ рСзистором (pullup), ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ, Π² отсутствии посадки Π½Π° зСмлю ΠΈ большого сопротивлСния висящСй Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅, Π·Π°Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Π½Π° Π½ΠΎΠ³Ρƒ высокий ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π». Π’ΡƒΡ‚ моТСшь Π²ΡΠΏΠΎΠΌΠ½ΠΈΡ‚ΡŒ Π·Π°ΠΊΠΎΠ½ Ома ΠΈ ΠΏΠΎΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠ΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ напряТСниС Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° Π½Π° ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅ Ссли ΠΏΠΎΠ΄Ρ‚ΡΠ³ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ рСзистор ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ порядка 1КилоОм, Π° сопротивлСниС Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π° большС 1МСгаОм. Π’ΠΈΠΏ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° опрСдСляСтся ΠΈΠ· Π΄ΠΎΠΊΡƒΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π½Π° микросхСму, Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΡƒΡ…ΠΈ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, всС ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Ρ‹ AVR. Π˜ΡΡ…ΠΎΠ΄Ρ ΠΈΠ· этого становится понятСн смысл рСгистров Port ΠΈ DDR Π² ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π΅ AVR – ΠΎΠ½ΠΈ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ Ρ‚ΠΈΠΏ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° Open Drain+PullUp, Push-Pull ΠΈΠ»ΠΈ просто Open Drain.

О микросхСмах дискрСтной Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠΈ И, Π˜Π›Π˜, НЕ я Ρ€Π°ΡΡΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Ρƒ, ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΡƒΡŽ ΠΎΠΏΠΈΡΠ°Ρ‚ΡŒ, Ρ‚Π°ΠΊ это справочник Π½Π΅ Π½Π° ΠΎΠ΄Π½Ρƒ ΡΠΎΡ‚Π½ΡŽ страниц Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚. Π”Π° ΠΈ постСпСнно ΠΎΠ½ΠΈ уходят Π² ΠΏΡ€ΠΎΡˆΠ»ΠΎΠ΅, вытСсняСмыС ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π°ΠΌΠΈ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΌΠΈ ΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°ΠΌΠΈ. Π‘ΠΊΠ°ΠΆΡƒ лишь Π³Π»Π°Π²Π½ΠΎΠ΅ – Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚ ΠΎΠ½ΠΈ ΠΏΠΎ ТСсткой Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π΅ истинности, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΡƒΡŽ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ Π² ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΌ datasheet.

Аналог Ρ€ΡƒΠ»ΠΈΡ‚!
Π¦ΠΈΡ„Ρ€Π° ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΈ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΡ‚ ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠΌ, Π½ΠΎ я Π²ΠΎΡ‚ послСднСС врСмя люблю Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΡƒΡŽ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΡƒ. Ряд Π·Π°Π΄Π°Ρ‡ Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠ°Ρ‚ΠΈΠΊΠΈ ΠΈ рСгулирования Π½Π° Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… цСпях ΡΠ΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ Π² Ρ€Π°Π·Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΎΡ‰Π΅, Ρ‡Π΅ΠΌ Π½Π° ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π΅ ΠΈΠ»ΠΈ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠ΅. ОсновноС ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΌΠΈΠΊΡ€ΡƒΡ… Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚ΡƒΡ‚ Π½Π΅Ρ‚ Ρ‡Π΅Ρ‚ΠΊΠΈΡ… состояний, Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒΡΡ ΠΏΠ»Π°Π²Π½ΠΎ ΠΎΡ‚ минус питания Π΄ΠΎ плюс питания. Основой Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠΉ схСмотСхники являСтся ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ.
Адская Π²Π΅Ρ‰ΡŒ, скаТу Ρ‚Π΅Π±Π΅. Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΡ‚ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΈ Π΄Π²Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π°. Один Π²Ρ…ΠΎΠ΄ прямой, Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ инвСрсный. Π’Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ напряТСния ΠΏΠΎ этим Π΄Π²ΡƒΠΌ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π°ΠΌ матСматичСски ΡΠΊΠ»Π°Π΄Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ (с ΡƒΡ‡Π΅Ρ‚ΠΎΠΌ Π·Π½Π°ΠΊΠ° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π°), Π° Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚ умноТаСтся Π½Π° коэффициСнт усилСния ΠΈ выдаСтся Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄. ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния этого дСвайса Π² идСальном случаС достигаСт бСсконСчности, Π° Π² Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ Π±Π»ΠΈΠ·ΠΎΠΊ ΠΊ сотням тысяч. Π’ Ρ‡Π΅ΠΌ это выраТаСтся? А Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ подаСшь Ρ‚Ρ‹ Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄ скаТСм 1 ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚, Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ сразу ΠΆΠ΅ Π·Π°ΡˆΠΊΠ°Π»ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ΄ максимум – выдавая сразу напряТСниС питания. Как ΠΆΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³Π΄Π° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ, Ссли Π΅Π³ΠΎ Π·Π°ΡˆΠΊΠ°Π»ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‚ малСйшСго сигнала? А просто. Ну Π²ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹Ρ… зависит ΠΎΡ‚ Π·Π°Π΄Π°Ρ‡ΠΈ. НапримСр Ссли Π½Π°ΠΌ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π΄Π²Π° сигнала, Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΌΡ‹ ΠΏΠΎΠ΄Π°Π΅ΠΌ Π½Π° ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ…ΠΎΠ΄, Π° Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ Π½Π° ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ. Π’ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ случаС Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ Π½Π°ΠΌ ΠΏΠΎΠΊΠ°ΠΆΠ΅Ρ‚ Π»ΠΈΠ±ΠΎ ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΡƒΠΌ напряТСния, Π»ΠΈΠ±ΠΎ максимум, Π² зависимости ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ большС сигнал Π½Π° ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΈΠ»ΠΈ Π½Π° ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ. Π’Π°ΠΊΠΎΠΉ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля называСтся ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ. Π― Π΅Π³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΠΈΠ» Π½Π΅Π΄Π°Π²Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΎΡ‚ΡΠ»Π΅Π΄ΠΈΡ‚ΡŒ просадку напряТСния питания Π½Π° устройствС. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€ΠΈ Π½Π° схСму, видишь Π½Π° минус Ρƒ мСня ΠΈΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС со стабилитрона. Оно всСгда Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ 3.3 Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π° – Π·Π° этим слСдит стабилитрон. А Π²ΠΎΡ‚ Π½Π° Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΈΠ΄Π΅Ρ‚ напряТСниС с дСлитСля – ΠΎΠ½ΠΎ зависит ΠΎΡ‚ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ напряТСния питания. Π’ Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ 12 Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚, Ρ‚ΠΎ с дСлитСля ΠΈΠ΄Π΅Ρ‚ порядка 4 Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚, это Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ Ρ‡Π΅ΠΌ 3. 3 ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈ с ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ +5 Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ (максимум ΠΏΠΈΡ‚Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ). ΠŸΡ€ΠΈ просадкС Π½Π°ΠΏΡ€ΡƒΠ³ΠΈ Π½ΠΈΠΆΠ΅ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³Π° с дСлитСля Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ ΡƒΠΆΠ΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 3.3 Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ Ρ€Π΅Π·ΠΊΠΎ пСрСкидываСтся Π² ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ½ΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ – 0 Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ (ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΡƒΠΌ ΠΏΠΈΡ‚Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ). Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ отслСТиваСт ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ ΠΈ Π΄Π°Π΅Ρ‚ сигнал Ρ‚Ρ€Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΈ.

ИспльзованиС ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… усилитСлСй

Если ΠΎΡ‚ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля Π½Π°Π΄ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ усилСниС, Ρ‚ΠΎ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΠΊΠ°ΠΊ Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ±ΡƒΠ·Π΄Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Π³ΠΎ Π±Π΅ΡˆΠ΅Π½Ρ‹ΠΉ коэффициСнт. Для этого Π΅ΠΌΡƒ Π΄ΠΎΠ±Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΡƒΡŽ связь. Π’.Π΅. Π±Π΅Ρ€ΡƒΡ‚ ΠΈ с Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΏΠΎΠ΄Π°ΡŽΡ‚ сигнал Π½Π° ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ…ΠΎΠ΄, подмСшивая Π΅Π³ΠΎ ΠΊ основному Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ сигналу. Π’ ΠΈΡ‚ΠΎΠ³Π΅, Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал вычитаСтся ΠΈΠ· Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ. А коэффициСнт усилСния становится Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹ΠΌ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ рСзисторов Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ (смотри схСму).

Но это Π΄Π°Π»Π΅ΠΊΠΎ Π½Π΅ всС Ρ„ΠΈΡˆΠΊΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΡƒΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ. Если Π² ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΡƒΡŽ связь ΡΡƒΠ½ΡƒΡ‚ΡŒ кондСнсатор, Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠΌ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€, Π²Ρ‹Π΄Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π» ΠΎΡ‚ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала. А Ссли ΡΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ кондСнсатор с рСзистором, Π΄Π° ΠΈΠ½Π΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π½Π° вход… Π’ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΌ, Ρ‚ΡƒΡ‚ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΊΠ½ΠΈΠ³Ρƒ ΠΏΠΈΡΠ°Ρ‚ΡŒ, Π° занимаСтся этими занятными процСссами ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ Π½Π°ΡƒΠΊΠ° – автоматичСскоС ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅. ΠšΡΡ‚Π°Ρ‚ΠΈ, ΠΈΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ Π½Π° ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… усилитСлях сдСланы Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€Ρ‹, ΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ уравнСния с Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ всС Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΊΠΎΠΌΠΏΡ‹ Π½Π΅Ρ€Π²Π½ΠΎ курят Π² ΡƒΠ³ΠΎΠ»ΠΊΠ΅.

Полная вСрсия ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠΈ Π±Ρ‹Π»Π° ΠΎΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Π½Π° Π² ΠΆΡƒΡ€Π½Π°Π»Π΅ Β«Π₯Π°ΠΊΠ΅Ρ€Β»

энциклопСдия ΠΊΠΈΠΏΠΎΠ²Ρ†Π°


Одной ΠΈΠ· Π²Π°ΠΆΠ½Π΅ΠΉΡˆΠΈΡ…
особСнностСй любой микросхСмы,
ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Π΅Π΅ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅
возмоТности ΠΈ особСнности примСнСния
являСтся способ выполнСния Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ
каскада. НаиболСС часто ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ
Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Π΅ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… каскадов:

1. Π‘Ρ‚Π°Π½Π΄Π°Ρ€Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ
Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ каскад
.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ°
Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Π½Π° Ρ‚Π°ΠΊ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ напряТСния UΠ°
ΠΈ UΠ±
всСгда ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π² ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΡ„Π°Π·Π΅. Π­Ρ‚ΠΎ
ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² ΠΏΠ°Ρ€Π΅ транзисторов
Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ каскада всСгда ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚, Π°
Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚.

Π’Π°ΠΊΠΎΠΉ
Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ каскад обСспСчиваСт большой
Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ (Π²Ρ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ) Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΡ€ΠΈ логичСском 0
Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅
(I0Π²Ρ‹Ρ…),
ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ Π½ΠΈΠΆΠ½ΠΈΠΉ транзистор, ΠΈ
Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ мСньший Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ (Π²Ρ‹Ρ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ)
Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΡ€ΠΈ логичСской 1 Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅
(I1Π²Ρ‹Ρ…),
ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ Π²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΈΠΉ транзистор.

ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ
такая схСма Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ каскада являСтся
стандартной, Ρ‚ΠΎ Π½Π° Π΅Π΅ условно-графичСском
ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ это Π½ΠΈΠΊΠ°ΠΊ Π½Π΅ обозначаСтся.

Β 

2.
Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ каскад с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ.

Π’
Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ схСмС Π²
качСствС Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ каскада ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ
транзистор, ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ Π½Π΅
ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΊ источнику питания, Π°
ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΊ Π²Π½Π΅ΡˆΠ½Π΅ΠΌΡƒ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρƒ
микросхСмы, поэтому Π΅Π΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ
ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ внСшнСго рСзистора ΠΊ
ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΌΡƒ источнику питания.
Вранзисторы Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ каскада ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ
рассчитаны Π½Π° Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠ΅ допустимоС
напряТСниС питания, ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ΅ ΠΎΡ‚
напряТСния питания ΠΎΡΡ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ части схСмы.

Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ
каскад с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ
обСспСчиваСт большой Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ (Π²Ρ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ)
Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΡ€ΠΈ логичСском Π½ΡƒΠ»Π΅ Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅
(I0Π²Ρ‹Ρ…).

На
условно-графичСском ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅
микросхСмы ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΊΠΎΠΌ Γ .

Β 

Β 

3.
Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ каскад с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ эмиттСром.

Π’
Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ схСмС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ
микросхСмы ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½Ρ‹ΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Π° эмиттСр Π½Π΅
ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΊ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΌΡƒ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Ρƒ, Π° соСдинСн
Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ с ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌ ΠΈΠ· Π²Π½Π΅ΡˆΠ½ΠΈΡ… Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ².

Нагрузка
ΠΊ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ микросхСмам ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ
Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ эмиттСра ΠΈ ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ, Ρ‚.Π΅.
Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ каскад Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ собой
эмиттСрный ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ, ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ
большой Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ (Π²Ρ‹Ρ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ) Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΡ€ΠΈ
логичСской 1 Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅
(I1Π²Ρ‹Ρ…).

На
условно-графичСском
ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ микросхСмы
ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΊΠΎΠΌΒ `Γ .

Β 

Β 

4.
Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° с трСмя состояниями Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅.

Данная
схСма
отличаСтся ΠΎΡ‚ схСмы со стандартным
Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Ρ‚Π΅ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² Π½Π΅ΠΉ напряТСния UΠ°
ΠΈ UΠ±
ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ Π² ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΡ„Π°Π·Π΅ (Ρ‚ΠΎΠ³Π΄Π° ΠΎΠ½Π°
Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ ΠΊΠ°ΠΊ схСма со стандартным
Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ), Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ Π² Ρ„Π°Π·Π΅, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΎΠ±Π°
напряТСния UΠ°
ΠΈ UΠ±
ΠΏΡ€ΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°ΡŽΡ‚ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ (Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ) ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ,
Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΄Π΅Π»Π°Π΅Ρ‚ Π½Π΅Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π½ΠΈΠ΅
Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· транзисторы.
ЀактичСски это Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΡΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎ ΡΠΎΡΡ‚ΠΎΡΠ½ΠΈΡŽ,
ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° микросхСмы ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½
ΠΎΡ‚ ΠΎΡΡ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Π΅Π΅ части. Π’ этом случаС
говорят, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ находится Π² Ρ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒΠ΅ΠΌ
состоянии (высокоимпСдансном,
высокоомном, z-состоянии).

Π£ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅
ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΈΠ· стандартного Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ°
Π² Ρ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒΠ΅ состояниС осущСствляСтся
ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌ сигналом OE
(Output
Enable
– Ρ€Π°Π·Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π°). На условно-графичСском
ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ микросхСмы ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ
Π·Π½Π°Ρ‡ΠΊΠΎΠΌ Γ 
(ΠΈΠ»ΠΈ Z).

ΠžΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€

ΠžΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ β€” это распространСнный Ρ‚ΠΈΠΏ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π°, Π²ΡΡ‚Ρ€Π΅Ρ‡Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉΡΡ Π²ΠΎ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… схСмах (ИБ) , ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ сСбя ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π»ΠΈΠ±ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΊ Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅, Π»ΠΈΠ±ΠΎ ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½. ВмСсто Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° сигнала ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния ΠΈΠ»ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал подаСтся Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅Π³ΠΎ NPN-транзистора , ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ вынСсСн (ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚) Π½Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ микросхСмы. Π­ΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€ транзистора Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅ соСдинСн с Π·Π°Π·Π΅ΠΌΠ»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠΌ. [1] Если Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ устройство прСдставляСт собой ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ МОП -транзистор, Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ называСтся ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ стоком ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ. [1] : 488ffβ€Š НапримСр, шина IΒ²C ΠΈ 1-Wirebus основаны Π½Π° этой ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅ΠΏΡ†ΠΈΠΈ.

На ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ΅ Π±Π°Π·Π° транзистора ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‡Π΅Π½Π° ΠΊΠ°ΠΊ Β«IC outputΒ». Π­Ρ‚ΠΎ сигнал ΠΎΡ‚ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅ΠΉ Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠΈ микросхСмы ΠΊ транзистору. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ сигнал управляСт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ транзистора. Π’Π½Π΅ΡˆΠ½ΠΈΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ β€” транзисторный ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€; транзистор ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΠ΅Ρ‚ интСрфСйс ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅ΠΉ Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠΎΠΉ ИБ ΠΈ частями, внСшними ΠΏΠΎ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΊ ИБ.

Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΠ΅Ρ‚ Π»ΠΈΠ±ΠΎ Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚ΡƒΡŽ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ (Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΏΠΈΡˆΠ΅Ρ‚ΡΡ Β«hi-ZΒ» для высокого импСданса ), Π»ΠΈΠ±ΠΎ соСдинСниС с Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅ΠΉ. Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ состоит ΠΈΠ· внСшнСго ΠΏΠΎΠ΄Ρ‚ΡΠ³ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ рСзистора , ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° транзистор Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚. Когда транзистор, ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΊ этому рСзистору, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ, Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал устанавливаСтся ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈ Π½Π° 0 Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚. Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½Ρ‹ для Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ взвСшивания, суммирования, ограничСния ΠΈ Ρ‚. Π΄., Π½ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ прилоТСния здСсь Π½Π΅ ΠΎΠ±ΡΡƒΠΆΠ΄Π°ΡŽΡ‚ΡΡ.

ЛогичСскоС устройство с трСмя состояниями отличаСтся ΠΎΡ‚ устройства с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΠΎΠ½ΠΎ состоит ΠΈΠ· транзисторов для ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡ΠΈ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ° Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² ΠΎΠ±ΠΎΠΈΡ… логичСских состояниях, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ элСмСнта управлСния для ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΎΠ±ΠΎΠΈΡ… транзисторов ΠΈ изоляции Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π°.

ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΠΏΠΎΠ΄Ρ‚ΡΠ³ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ рСзистор являСтся внСшним ΠΈ Π΅Π³ΠΎ Π½Π΅ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ питания микросхСмы, вмСсто Π½Π΅Π³ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ΅ ΠΈΠ»ΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высокоС напряТСниС, Ρ‡Π΅ΠΌ напряТСниС питания микросхСмы (ΠΏΡ€ΠΈ условии, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ½ΠΎ Π½Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ Π°Π±ΡΠΎΠ»ΡŽΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ максимального значСния Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния микросхСмы). . ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ схСмы с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈΠ½ΠΎΠ³Π΄Π° ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ для сопряТСния Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… сСмСйств устройств с Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹ΠΌΠΈ уровнями Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅Π³ΠΎ напряТСния. Вранзистор с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ рассчитан Π½Π° Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высокоС напряТСниС, Ρ‡Π΅ΠΌ напряТСниС питания микросхСмы. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ логичСскими схСмами, Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ напряТСнии 5 Π’ ΠΈΠ»ΠΈ Π½ΠΈΠΆΠ΅, для управлСния Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌΠΈ устройствами, ΠΊΠ°ΠΊ Π΄Π²ΠΈΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ, Ρ€Π΅Π»Π΅ Π½Π° 12 Π’, Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½Ρ‹Π΅ флуорСсцСнтныС дисплСи Π½Π° 50 Π’ ΠΈΠ»ΠΈ Π»Π°ΠΌΠΏΡ‹ Nixie, Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 100 Π’.

Π•Ρ‰Π΅ ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌ прСимущСством являСтся Ρ‚ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΊ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ. Если всС Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹, ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΊ Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ, находятся Π² состоянии высокого импСданса, ΠΏΠΎΠ΄Ρ‚ΡΠ³ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ рСзистор Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΡƒΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ Π² состоянии высокого напряТСния (логичСская 1). Если ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΈΠ»ΠΈ нСсколько Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ² устройства находятся Π² состоянии логичСского 0 (зСмля), ΠΎΠ½ΠΈ ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π»ΡΡŽΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΡ‚ΡΠ³ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠ΅ напряТСниС ΠΊ Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ логичСскоС соСдинСниС ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ нСсколько ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ. Устройства с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ для ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… устройств ΠΊ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ сигналу запроса прСрывания ΠΈΠ»ΠΈ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ шинС, Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ ΠΊΠ°ΠΊ IΒ²C .. Π­Ρ‚ΠΎ позволяСт ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ устройству ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ шиной Π±Π΅Π· ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ… со стороны Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… Π½Π΅Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Ρ… устройств. Если Π±Ρ‹ устройства с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Π½Π΅ использовались, Ρ‚ΠΎ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ Π½Π΅Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Ρ… устройств ΠΏΡ‹Ρ‚Π°Π»ΠΈΡΡŒ Π±Ρ‹ ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ высокоС напряТСниС Π½Π° шинС, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠ»ΠΎ ΠΊ нСпрСдсказуСмому Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ сигналу.


ΠŸΡ€ΠΎΡΡ‚Π°Ρ схСма ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ схСмы (ИБ).

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π˜Π›Π˜ с Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΌ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΌ / ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ И с Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΌ высоким ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΌ с использованиСм Π²Π΅Π½Ρ‚ΠΈΠ»Π΅ΠΉ с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ стоком.

ИспользованиС псСвдооткрытого стока Π² интСрфСйсах DDR.

ЛогичСскиС элСмСнты с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ ΠΈ трСмя состояниями Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π°

ЀизичСскиС ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ ΠΈ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ возмоТности логичСских элСмСнтов зависят ΠΎΡ‚ выполнСния Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ каскада (усилитСля Ρ‚ΠΎΠΊΠ°). НаиболСС часто ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Π΅ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° схСм Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… каскадов.

1. ЛогичСский элСмСнт со стандартным Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ (см. рис 2.5): напряТСния Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ транзистора VT2Β  (UΠ°) ΠΈ Π±Π°Π·Π΅ транзистора VT3 (UΠ²) всСгда ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π² ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΡ„Π°Π·Π΅ (Ссли UΠ° ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ, Ρ‚ΠΎ UΠ² – высокий). Π’Π°ΠΊΠΎΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ каскад обСспСчиваСт боль

шой Ρ‚ΠΎΠΊ уровня логичСского нуля I0

(ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ Π½ΠΈΠΆΠ½ΠΈΠΉ транзистор) ΠΈ

Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ мСньший Ρ‚ΠΎΠΊ логичСской Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Ρ‹ I1

(ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ Π²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΈΠΉ

транзистор). ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ элСмСнта ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΈΡΡƒΡ‚ΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π»ΠΈΠ±ΠΎ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ логичСской Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Ρ‹, Π»ΠΈΠ±ΠΎ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ логичСского нуля.

2. Π’ логичСском элСмСнтС с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Π² качСствС Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ каскада ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ транзистор, ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ Π½Π΅ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΊ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅ (рис.3.7). Вранзисторы Ρƒ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… элСмСнтов ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π½Π° Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ΅ допустимоС напряТСниС питания: +5, +35,

+30, +35 Π’ ΠΈ Π΄Ρ€. Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… Π›Π­ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Ρ‹ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ внСшнСго рСзистора ΠΊ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΌΡƒ источнику питания

+UΠΏΠΈΡ‚2Β  ΠΈΠ»ΠΈ +UΠΏΠΈΡ‚1Β  =5 Π’. Π’Π°ΠΊΠΎΠ΅ построСниС Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ каскада позволяСт ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ напряТСниями, ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ напряТСниС питания ИЦМ.

Рис. 3.7. Π­Π»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚ с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ

3. Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ каскады с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ эмиттСром ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΎΡ‚ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ каскада с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Ρ‚Π΅ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ эмиттСр Π½Π΅ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ микросхСмы ΠΊ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΌΡƒ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρƒ (корпусу), Π° ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΊ ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ Π²Π½Π΅ΡˆΠ½Π΅ΠΌΡƒ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρƒ, Ρ‚ΠΎΠ³Π΄Π° ΠΊΠ°ΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Ρ‘Π½ ΠΊ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρƒ, Π½Π° ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ подаСтся напряТСниС питания. Нагрузка ΠΊ этим логичСским элСмСнтам ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ эмиттСра ΠΈ корпуса, Ρ‚. Π΅. Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ каскад прСдставляСт собой эмиттСрный ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ, ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ большой Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ I1

(Π²Ρ‹Ρ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ) Π² ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ каскада с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠ»

Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ, ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ большой Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ I0

(Π²Ρ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ).

4. Π’ составС Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²Π° сСрий ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… микросхСм ΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ элСмСнты с трСмя состояниями Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π°. Они ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ ΠžΠ• (Output Enable Ρ€Π°Π·Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π°) ΠΈΠ»ΠΈ для краткости просто Π• (Enable), ΠΎΠ΄Π½ΠΎ ΠΈΠ· Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ сигнала Π½Π° ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΎΠ±Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… транзистора Π² Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ΅ состояниС. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° Π’Π’Π› элСмСнта с трСмя состояниями Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π° Π½Π° рис.3.8.

ΠŸΡ€ΠΈ ΠžΠ• = 0 напряТСния Π½Π° Π±Π°Π·Π°Ρ… транзисторов UΠ° ΠΈ Ub ΠΏΡ€ΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°ΡŽΡ‚ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ (Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ) ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΄Π΅Π»Π°Π΅Ρ‚ Π½Π΅Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· транзисторы. Вранзистор VT2 Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ находится Π² проводящСм состоянии ΠΈ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π» Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ Ρ€Π°Π²Π΅Π½ Π½ΡƒΠ»ΡŽ. Вранзистор VT3 Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ Π½Π° Π΅Π³ΠΎ эмиттСрС присутствуСт ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ логичСского нуля.

Π’Π°ΠΊΠΎΠ΅ состояниС Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° логичСского элСмСнта Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ Z –

состояниСм  ΠΈΠ»ΠΈΒ  высокоимпСдансным  состояниСм  Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π°Β  (сотни кОм).

Для Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… логичСских элСмСнтов Π’Π’Π› Z состояниС Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π°

характСризуСтся Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ ΡƒΡ‚Π΅Ρ‡ΠΊΠΈ 20…40 мкА.

Рис. 3.8. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° Π’Π’Π› элСмСнта с трСмя состояниями Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π°

ΠŸΡ€ΠΈ ΠžΠ• = 1 логичСский элСмСнт с трСмя состояниями Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Ρ‚Π°ΠΊ ΠΆΠ΅, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ логичСский элСмСнт со стандартным Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ, Ρ‚.Π΅. Π΅Π³ΠΎ состояниС Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡ‚ΡŒΡΡ состояниями Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… Π²Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ².

Π£ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ИЦМ Z – состояниС устанавливаСтся ΠΏΡ€ΠΈ ΠžΠ• = 1, Ρ‚. Π΅ Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠžΠ• установлСн ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€. Π­Ρ‚ΠΎ сдСлано для удобства эксплуатации ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ логичСских Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠ°Ρ‚ΠΎΠ² с Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Π°Π»Π³ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ΠΌΠ°ΠΌΠΈ функционирования.

На рис 3.9 ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΎ условноС ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ИЦМ 155Π›Π•2.

Рис. 3.9. УсловноС ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ИЦМ 155Π›Π•2

Как Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ, Π² Π΅Ρ‘ состав входят Π΄Π²Π° Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Ρ‘Ρ…Π²Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… элСмСнта

Π˜Π›Π˜-НЕ, ΠΏΡ€ΠΈΡ‡Ρ‘ΠΌ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΈΠ· Π½ΠΈΡ… ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°ΡΡˆΠΈΡ€Π΅Π½ΠΈΡ ΠΏΠΎ

Π˜Π›Π˜ ΠΈ ΠΎΠ±Π° элСмСнта ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ Output Enable.

Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π·Π°ΠΊΠΎΠ½Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ описаниС логичСских элСмСнтов с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ, Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ Π΅Ρ‰Ρ‘ ΠΎΠ΄Π½ΠΎ ΠΎΠ±ΡΡ‚ΠΎΡΡ‚Π΅Π»ΡŒΡΡ‚Π²ΠΎ.

ВсС логичСскиС элСмСнты с ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ (усилитСли Ρ‚ΠΎΠΊΠ°) Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Π°ΠΌΠΈ.

Π”Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Ρ‹ с Z – состояниСм Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π² микропроцСссорных систСмах для ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ микропроцСссора, памяти ΠΈ Π²Π½Π΅ΡˆΠ½ΠΈΡ… устройств ΠΊ систСмной шинС адрСса Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ…. Π’Π°ΠΊΠΈΠ΅ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Ρ‹ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΡˆΠΈΠ½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ формироватСлями.

Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ микросхСмы со спСцифичСскими свойствами,

ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ условныС Π·Π½Π°Ρ‡ΠΊΠΈ.

Если Π² Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠ»Π΅ условного обозначСния логичСского элСмСнта находится символ , Ρ‚ΠΎ это ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ этот элСмСнт ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ Z-состояниСм.

Если Π² Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠ»Π΅ условного обозначСния логичСского элСмСнта находится символ , Ρ‚ΠΎ это ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ этот элСмСнт ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ эмиттСром ΠΈ Z-состояниСм.

Если Π² Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠ»Π΅ условного обозначСния логичСского элСмСнта находится символ , Ρ‚ΠΎ это ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ этот элСмСнт ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ с ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ, Ρ‚.Π΅. ΠΎΠ½ являСтся Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ΠΎΠΌ.

РазумССтся, Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Ρ‹ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½Π°Ρ†ΠΈΠΈ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… Π·Π½Π°Ρ‡ΠΊΠΎΠ², ΠΏΠΎ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΌ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ, ΠΊΠ°ΠΊΠΈΠ΅ спСцифичСскиС особСнности ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ данная ИЦМ.

ΠœΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π» взят ΠΈΠ· ΠΊΠ½ΠΈΠ³ΠΈ ЛогичСскиС Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠ°Ρ‚Ρ‹ Π’ΠΈΠΏΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ схСмы (Π˜Π»ΡŽΡ…ΠΈΠ½ А.Π’.)

МоТно Π»ΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ транзистор ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ эмиттСр ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΡ‹ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ транзистора. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ

ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ Ρ‚Π΅ΠΌΠ° транзисторов вСсьма ΠΈ вСсьма ΠΎΠ±ΡˆΠΈΡ€Π½Π°, Ρ‚ΠΎ посвящСнных ΠΈΠΌ статСй Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π΄Π²Π΅: ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΎ биполярных ΠΈ ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΎ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторах.

Вранзистор, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ Π΄ΠΈΠΎΠ΄, основан Π½Π° явлСнии p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°. Π–Π΅Π»Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΎΡΠ²Π΅ΠΆΠΈΡ‚ΡŒ Π² памяти Ρ„ΠΈΠ·ΠΈΠΊΡƒ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… Π² Π½Π΅ΠΌ процСссов ΠΈΠ»ΠΈ .

НСобходимыС пояснСния Π΄Π°Π½Ρ‹, ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌ ΠΊ сути.

Вранзисторы. ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈ история

Вранзистор
— элСктронный ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊ Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π΄Π²ΡƒΡ… элСктродов управляСтся Ρ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒΠΈΠΌ элСктродом. (tranzistors.ru)

ΠŸΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΌΠΈ Π±Ρ‹Π»ΠΈ ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π΅Ρ‚Π΅Π½Ρ‹ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы (1928 Π³ΠΎΠ΄), Π° биполярныС появилсь Π² 1947 Π³ΠΎΠ΄Ρƒ Π² Π»Π°Π±ΠΎΡ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΠΈ Bell Labs. И это Π±Ρ‹Π»Π°, Π±Π΅Π· прСувСличСния, Ρ€Π΅Π²ΠΎΠ»ΡŽΡ†ΠΈΡ Π² элСктроникС.

ΠžΡ‡Π΅Π½ΡŒ быстро транзисторы Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΠ»ΠΈ Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½Ρ‹Π΅ Π»Π°ΠΌΠΏΡ‹ Π² Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… элСктронных устройствах. Π’ связи с этим возросла Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… устройств ΠΈ Π½Π°ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΠ»ΠΈΡΡŒ ΠΈΡ… Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹. И ΠΏΠΎ сСй дСнь, насколько Π±Ρ‹ Β«Π½Π°Π²ΠΎΡ€ΠΎΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠΉΒ» Π½Π΅ Π±Ρ‹Π»Π° микросхСма, ΠΎΠ½Π° всС Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ содСрТит Π² сСбС мноТСство транзисторов (Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ², кондСнсаторов, рСзисторов ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΡ‡.). Волько ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΠΌΠ°Π»Π΅Π½ΡŒΠΊΠΈΡ….

ΠšΡΡ‚Π°Ρ‚ΠΈ, ΠΈΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎ «транзисторами» Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°Π»ΠΈ рСзисторы, сопротивлСниС ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Π»ΠΎ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π°Π΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ напряТСния. Если ΠΎΡ‚Π²Π»Π΅Ρ‡ΡŒΡΡ ΠΎΡ‚ Ρ„ΠΈΠ·ΠΈΠΊΠΈ процСссов, Ρ‚ΠΎ соврСмСнный транзистор Ρ‚ΠΎΠΆΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ сопротивлСниС, зависящСС ΠΎΡ‚ ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π°Π΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ Π½Π° Π½Π΅Π³ΠΎ сигнала.

Π’ Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΆΠ΅ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΈ биполярными транзисторами? ΠžΡ‚Π²Π΅Ρ‚ Π·Π°Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½ Π² самих ΠΈΡ… названиях. Π’ биполярном транзисторС Π² пСрСносС заряда ΡƒΡ‡Π°ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ ΠΈ
элСктроны, ΠΈ
Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠΈ («бис» — Π΄Π²Π°ΠΆΠ΄Ρ‹). А Π² ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΌ (ΠΎΠ½ ΠΆΠ΅ униполярный) — ΠΈΠ»ΠΈ
элСктроны, ΠΈΠ»ΠΈ
Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠΈ.

Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ эти Ρ‚ΠΈΠΏΡ‹ транзисторов разнятся ΠΏΠΎ областям примСнСния. БиполярныС ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² основном Π² Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠ΅, Π° ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ — Π² Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΉ.

И, напослСдок: основная ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ примСнСния Π»ΡŽΠ±Ρ‹Ρ… транзисторов
— усилСниС слабого сигнала Π·Π° счСт Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ источника питания.

Биполярный транзистор. ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹. ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ характСристики

Биполярный транзистор состоит ΠΈΠ· Ρ‚Ρ€Π΅Ρ… областСй: эмиттСра, Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, Π½Π° ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΡƒΡŽ ΠΈΠ· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… подаСтся напряТСниС. Π’ зависимости ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° проводимости этих областСй, Π²Ρ‹Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ n-p-n ΠΈ p-n-p транзисторы. ΠžΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΡˆΠΈΡ€Π΅, Ρ‡Π΅ΠΌ эмиттСра. Π‘Π°Π·Ρƒ ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ ΠΈΠ· слаболСгированного ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ° (ΠΈΠ·-Π·Π° Ρ‡Π΅Π³ΠΎ ΠΎΠ½Π° ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ большоС сопротивлСниС) ΠΈ Π΄Π΅Π»Π°ΡŽΡ‚ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΎΠΉ. ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π° эмиттСр-Π±Π°Π·Π° получаСтся Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ мСньшС ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π° Π±Π°Π·Π°-ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€, Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒ эмиттСр ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ мСстами с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ смСны полярности ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ нСльзя. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, транзистор относится ΠΊ нСсиммСтричным устройствам.

ΠŸΡ€Π΅ΠΆΠ΄Π΅, Ρ‡Π΅ΠΌ Ρ€Π°ΡΡΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΈΠ·ΠΈΠΊΡƒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора, обрисуСм ΠΎΠ±Ρ‰ΡƒΡŽ Π·Π°Π΄Π°Ρ‡Ρƒ.

Она Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π² ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΌ: ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ эмиттСром ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ ΡΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ (Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°
), Π° ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ эмиттСром ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ — слабый ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ (Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹
). Π’ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒΡΡ Π² зависимости ΠΎΡ‚ измСнСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹. ΠŸΠΎΡ‡Π΅ΠΌΡƒ?
Рассмотрим p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ транзистора. Π˜Ρ… Π΄Π²Π°: эмиттСр-Π±Π°Π·Π° (Π­Π‘) ΠΈ Π±Π°Π·Π°-ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ (Π‘Πš). Π’ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΉ ΠΈΠ· Π½ΠΈΡ… ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ с прямым, Π° Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ — с ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΌ смСщСниями. Π§Ρ‚ΠΎ ΠΆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈ этом происходит Π½Π° p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°Ρ…? Для большСй опрСдСлСнности Π±ΡƒΠ΄Π΅ΠΌ Ρ€Π°ΡΡΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ n-p-n транзистор. Для p-n-p всС Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½ΠΎ, Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ слово «элСктроны» Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π° Β«Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠΈΒ».

ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π­Π‘ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚, Ρ‚ΠΎ элСктроны Π»Π΅Π³ΠΊΠΎ Β«ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π±Π΅Π³Π°ΡŽΡ‚Β» Π² Π±Π°Π·Ρƒ. Π’Π°ΠΌ ΠΎΠ½ΠΈ частично Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ с Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠ°ΠΌΠΈ, Π½ΠΎ Π±ΠΎ
льшая ΠΈΡ… Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ ΠΈΠ·-Π·Π° ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Ρ‹ Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈ Π΅Π΅ слабой лСгированности успСваСт Π΄ΠΎΠ±Π΅ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ Π΄ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° Π±Π°Π·Π°-ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€. ΠšΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΌΡ‹ ΠΏΠΎΠΌΠ½ΠΈΠΌ, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ с ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΌ смСщСниСм. А ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ Π² Π±Π°Π·Π΅ элСктроны — нСосновныС носитСли заряда, Ρ‚ΠΎ элСктиричСскоС ΠΏΠΎΠ»Π΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΏΠΎΠΌΠΎΠ³Π°Π΅Ρ‚ ΠΈΠΌ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ΄ΠΎΠ»Π΅Ρ‚ΡŒ Π΅Π³ΠΎ. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅Ρ‚ΠΎΡ€Π° получаСтся лишь Π½Π΅ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ мСньшС Ρ‚ΠΎΠΊΠ° эмиттСра. А Ρ‚Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ слСдитС Π·Π° Ρ€ΡƒΠΊΠ°ΠΌΠΈ. Если ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹, Ρ‚ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π­Π‘ откроСтся сильнСС, ΠΈ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ эмиттСром ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ смоТСт ΠΏΡ€ΠΎΡΠΊΠΎΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ большС элСктронов. А ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎ большС Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹, Ρ‚ΠΎ это ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ вСсьма ΠΈ вСсьма Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Π½ΠΎ. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·ΠΎΠΉΠ΄Π΅Ρ‚ усилСниС слабого сигнала, ΠΏΠΎΡΡ‚ΡƒΠΏΠΈΠ²ΡˆΠ΅Π³ΠΎ Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ
. Π•Ρ‰Π΅ Ρ€Π°Π·: сильноС ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° являСтся ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΎΡ‚Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ слабого измСнСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹.

Помню, ΠΌΠΎΠ΅ΠΉ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³Ρ€ΡƒΠΏΠ½ΠΈΡ†Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ биполярного транзистора объясняли Π½Π° ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π΅ Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΡ€Π°Π½Π°. Π’ΠΎΠ΄Π° Π² Π½Π΅ΠΌ — Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, Π° ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ — Ρ‚ΠΎ, насколько ΠΌΡ‹ ΠΏΠΎΠ²ΠΎΡ€Π°Ρ‡ΠΈΠ²Π°Π΅ΠΌ Ρ€ΡƒΡ‡ΠΊΡƒ. Достаточно нСбольшого усилия (ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ воздСйствия), Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊ Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΈΠ· ΠΊΡ€Π°Π½Π° увСличился.

Помимо рассмотрСнных процСссов, Π½Π° p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°Ρ… транзистора ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΡΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ Π΅Ρ‰Π΅ ряд явлСний. НапримСр, ΠΏΡ€ΠΈ сильном ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ напряТСния Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π±Π°Π·Π°-ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π½Π°Ρ‡Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π»Π°Π²ΠΈΠ½Π½ΠΎΠ΅ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ½ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ заряда ΠΈΠ·-Π·Π° ΡƒΠ΄Π°Ρ€Π½ΠΎΠΉ ΠΈΠΎΠ½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ. А Π²ΠΊΡƒΠΏΠ΅ с Ρ‚ΡƒΠ½Π½Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ эффСктом это даст сначала элСктричСский, Π° Π·Π°Ρ‚Π΅ΠΌ (с возрастаниСм Ρ‚ΠΎΠΊΠ°) ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠΉ. Однако, Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠΉ Π² транзисторС ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π½Π°ΡΡ‚ΡƒΠΏΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈ Π±Π΅Π· элСктричСского (Ρ‚.Π΅. Π±Π΅Π· ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Π΄ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ³ΠΎ). Для этого Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ достаточно ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‡Ρ€Π΅Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€.

Π•Ρ‰Π΅ ΠΎΠ΄Π½ΠΎ явлСния связано с Ρ‚Π΅ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ напряТСний Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСрном ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°Ρ… мСняСтся ΠΈΡ… Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Π°. И Ссли Π±Π°Π·Π° Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π·Ρ‡ΡƒΡ€ тонкая, Ρ‚ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ½ΡƒΡ‚ΡŒ эффСкт смыкания (Ρ‚Π°ΠΊ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΡ‹ΠΉ Β«ΠΏΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ»Β» Π±Π°Π·Ρ‹) — соСдинСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° с эмиттСрным. ΠŸΡ€ΠΈ этом ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ Π±Π°Π·Ρ‹ исчСзаСт, ΠΈ транзистор пСрСстаСт Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ.

ΠšΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ транзистора Π² Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора большС Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ Π² ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ число Ρ€Π°Π·. Π­Ρ‚ΠΎ число называСтся коэффициСнтом усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ
ΠΈ являСтся ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌ ΠΈΠ· основных ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзистора. ΠžΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ ΠΎΠ½ΠΎ h31
. Если транзистор Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π±Π΅Π· Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€, Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ постоянном напряТСнии ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΊ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Π±Π°Π·Ρ‹ даст статичСский коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ
. Он ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Ρ€Π°Π²Π½ΡΡ‚ΡŒΡΡ дСсяткам ΠΈΠ»ΠΈ сотням Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†, Π½ΠΎ стоит ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΡ‚ Ρ„Π°ΠΊΡ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… схСмах этот коэффициСнт мСньшС ΠΈΠ·-Π·Π° Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π·Π°ΠΊΠΎΠ½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ.

Π’Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΌ Π½Π΅ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ²Π°ΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ являСтся Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС транзистора
. Богласно Π·Π°ΠΊΠΎΠ½Ρƒ Ома, ΠΎΠ½ΠΎ прСдставляСт собой ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ эмиттСром ΠΊ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅ΠΌΡƒ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Π±Π°Π·Ρ‹. Π§Π΅ΠΌ ΠΎΠ½ΠΎ большС, Ρ‚Π΅ΠΌ мСньшС Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ коэффициСнт усилСния.

Π’Ρ€Π΅Ρ‚ΠΈΠΉ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ биполярного транзистора — коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ
. Он Ρ€Π°Π²Π΅Π½ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Π½Ρ‹Ρ… ΠΈΠ»ΠΈ Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ (эмиттСр-ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€) ΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ (Π±Π°Π·Π°-эмиттСр) ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Ρ… напряТСний. ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ пСрвая Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ большая (Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Ρ‹ ΠΈ дСсятки Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚), Π° вторая — ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ малСнькая (дСсятыС Π΄ΠΎΠ»ΠΈ Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚), Ρ‚ΠΎ этот коэффициСнт ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π΄ΠΎΡΡ‚ΠΈΠ³Π°Ρ‚ΡŒ дСсятков тысяч Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†. Π‘Ρ‚ΠΎΠΈΡ‚ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ сигнал Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ свой коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ.

Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ транзисторы ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΠΎΡ‚Π½ΡƒΡŽ характСристику
, которая Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ транзистора ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ сигнал, частота ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ приблиТаСтся ΠΊ Π³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ частотС усилСния. Π”Π΅Π»ΠΎ Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ с ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ частоты Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала коэффициСнт усилСния сниТаСтся. Π­Ρ‚ΠΎ происходит ΠΈΠ·-Π·Π° Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ врСмя протСкания основных физичСских процСссов (врСмя пСрСмСщСния носитСлСй ΠΎΡ‚ эмиттСра ΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρƒ, заряд ΠΈ разряд Π±Π°Ρ€ΡŒΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ… Смкостных ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ²) становится соизмСримым с ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠΌ измСнСния Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала. Π’.Π΅. транзистор просто Π½Π΅ успСваСт Ρ€Π΅Π°Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° измСнСния Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала ΠΈ Π² ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΉ-Ρ‚ΠΎ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ просто пСрСстаСт Π΅Π³ΠΎ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ. Частота, Π½Π° ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ это происходит, ΠΈ называСтся Π³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ
.

Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠΈ биполярного транзистора ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ:

  • ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр
  • врСмя Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ
  • ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°
  • максимально допустимый Ρ‚ΠΎΠΊ

УсловныС обозначСния n-p-n ΠΈ p-n-p транзисторов ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ стрСлочки, ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ эмиттСр. Она ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎ, ΠΊΠ°ΠΊ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ Π² Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ транзисторС.

Π Π΅ΠΆΠΈΠΌΡ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ биполярного транзистора

РассмотрСнный Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚ прСдставляСт собой Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΉ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора. Однако, Π΅ΡΡ‚ΡŒ Π΅Ρ‰Π΅ нСсколько ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½Π°Ρ†ΠΈΠΉ открытости/закрытости p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ², каТдая ΠΈΠ· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… прСдставляСт ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора.

  1. Π˜Π½Π²Π΅Ρ€ΡΠ½Ρ‹ΠΉ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΉ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ
    . Π—Π΄Π΅ΡΡŒ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π‘Πš, Π° Π­Π‘ Π½Π°ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΠΎΡ‚ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚. Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ свойства Π² этом Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅, СстСствСнно, Ρ…ΡƒΠΆΠ΅ Π½Π΅ΠΊΡƒΠ΄Π°, поэтому транзисторы Π² этом Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Ρ€Π΅Π΄ΠΊΠΎ.
  2. Π Π΅ΠΆΠΈΠΌ насыщСния
    . Оба ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹. БоотвСтствСнно, основныС носитСли заряда ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ эмиттСра Β«Π±Π΅Π³ΡƒΡ‚Β» Π² Π±Π°Π·Ρƒ, Π³Π΄Π΅ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎ Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ с Π΅Π΅ основными носитСлями. Из-Π·Π° Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ избыточности носитСлСй заряда сопротивлСниС Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈ p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ² ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ, ΡΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Ρ‰ΡƒΡŽ транзистор Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ насыщСния ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠ·Π°ΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚ΠΎΠΉ, Π° сам этот радиоэлСмСнт ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ ΡΠΊΠ²ΠΈΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ.
  3. Π Π΅ΠΆΠΈΠΌ отсСчки
    . Оба ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° транзистора Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹, Ρ‚.Π΅. Ρ‚ΠΎΠΊ основных носитСлСй заряда ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ эмиттСром ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ прСкращаСтся. ΠŸΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠΈ нСосновных носитСлСй заряда ΡΠΎΠ·Π΄Π°ΡŽΡ‚ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΌΠ°Π»Ρ‹Π΅ ΠΈ нСуправляСмыС Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ². Из-Π·Π° бСдности Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ² носитСлями зарядов, ΠΈΡ… сопротивлСниС сильно возрастаСт. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ часто ΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°ΡŽΡ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ транзистор, Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ отсСчки, прСдставляСт собой Ρ€Π°Π·Ρ€Ρ‹Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ.
  4. Π‘Π°Ρ€ΡŒΠ΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ
    Π’ этом Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ Π±Π°Π·Π° Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΌΡƒΡŽ ΠΈΠ»ΠΈ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ΅ сопротивлСниС Π·Π°ΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚Π° с ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ. Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π² ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΡƒΡŽ ΠΈΠ»ΠΈ ΡΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€Π½ΡƒΡŽ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‚ рСзистор, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π·Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· транзистор. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ получаСтся эквивалСнт схСмы Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° с ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ сопротивлСниСм. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½Ρ‹ΠΉ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ позволяСт схСмС Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ практичСски Π½Π° любой частотС, Π² большом Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€ ΠΈ Π½Π΅Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅Π½ ΠΊ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌ транзисторов.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΡ‹ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ биполярных транзисторов

ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² Ρƒ транзистора Ρ‚Ρ€ΠΈ, Ρ‚ΠΎ Π² ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΌ случаС ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ Π½Π° Π½Π΅Π³ΠΎ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ Π΄Π²ΡƒΡ… источников, Ρƒ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… вмСстС получаСтся Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Π΅ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Π½Π° ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΈΠ· ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² транзистора приходится ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ напряТСниС ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Π·Π½Π°ΠΊΠ° ΠΎΡ‚ ΠΎΠ±ΠΎΠΈΡ… источников. И Π² зависимости ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ это Π·Π° ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚, Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ Ρ‚Ρ€ΠΈ схСмы Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ биполярных транзисторов: с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром (ОЭ), ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ (ОК) ΠΈ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ (ΠžΠ‘). Π£ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΉ ΠΈΠ· Π½ΠΈΡ… Π΅ΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ достоинства, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ нСдостатки. Π’Ρ‹Π±ΠΎΡ€ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π½ΠΈΠΌΠΈ дСлаСтся Π² зависимости ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΊΠ°ΠΊΠΈΠ΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ для нас Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹, Π° ΠΊΠ°ΠΊΠΈΠΌΠΈ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΡΡ‚ΡƒΠΏΠΈΡ‚ΡŒΡΡ.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром

Π­Ρ‚Π° схСма Π΄Π°Π΅Ρ‚ наибольшСС усилСниС ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ (Π° ΠΎΡ‚ΡΡŽΠ΄Π° ΠΈ ΠΏΠΎ мощности — Π΄ΠΎ дСсятков тысяч Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†), Π² связи с Ρ‡Π΅ΠΌ являСтся Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ распространСнной. Π—Π΄Π΅ΡΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ эмиттСр-Π±Π°Π·Π° Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ прямо, Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π±Π°Π·Π°-ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ — ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎ. А ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΠΈ Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ, ΠΈ Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ подаСтся напряТСниС ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π·Π½Π°ΠΊΠ°, Ρ‚ΠΎ схСму ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΏΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ источника. Π’ этой схСмС Ρ„Π°Π·Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния мСняСтся ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Ρ„Π°Π·Ρ‹ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Π½Π° 180 градусов.

Но ΠΊΠΎ всСм плюшкам схСма с ОЭ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΈ сущСствСнный нСдостаток. Он Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ рост частоты ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ ΡƒΡ…ΡƒΠ΄ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… свойств транзистора. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Ссли транзистор Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° высоких частотах, Ρ‚ΠΎ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΡƒΡŽ схСму Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ. НапримСр, с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ

Π­Ρ‚Π° схСма Π½Π΅ Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ усилСния сигнала, Π·Π°Ρ‚ΠΎ Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠ° Π½Π° высоких частотах, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ позволяСт Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΠΎΡ‚Π½ΡƒΡŽ характСристику транзистора. Если ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΈ Ρ‚ΠΎΡ‚ ΠΆΠ΅ транзистор Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ сначала ΠΏΠΎ схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром, Π° ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌ с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ, Ρ‚ΠΎ Π²ΠΎ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ случаС Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π½Π°Π±Π»ΡŽΠ΄Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π΅Π³ΠΎ Π³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ частоты усилСния. ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ΅, Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ — Π½Π΅ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ большоС, Ρ‚ΠΎ собранныС ΠΏΠΎ схСмС с ΠžΠ‘ каскады транзисторов ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ Π² Π°Π½Ρ‚Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… усилитСлях, Π³Π΄Π΅ Π²ΠΎΠ»Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ сопротивлСниС ΠΊΠ°Π±Π΅Π»Π΅ΠΉ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ Π½Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ 100 Ом.

Π’ схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ Π½Π΅ происходит ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Ρ„Π°Π·Ρ‹ сигнала, Π° ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ ΡˆΡƒΠΌΠΎΠ² Π½Π° высоких частотах сниТаСтся. Но, ΠΊΠ°ΠΊ ΡƒΠΆΠ΅ Π±Ρ‹Π»ΠΎ сказано, коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Ρƒ Π½Π΅Π΅ всСгда Π½Π΅ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ мСньшС Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Ρ‹. ΠŸΡ€Π°Π²Π΄Π°, коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ здСсь Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ ΠΆΠ΅, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ Π² схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром. К нСдостаткам схСмы с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ отнСсти Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ использования Π΄Π²ΡƒΡ… источников питания.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ

ΠžΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ этой схСмы Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ пСрСдаСтся ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎ Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄, Ρ‚. Π΅. ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ сильна ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ обратная связь.

Напомню, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ Ρ‚Π°ΠΊΡƒΡŽ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΡƒΡŽ связь, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал подаСтся ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎ Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄, Ρ‡Π΅ΠΌ сниТаСт ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ происходит автоматичСская ΠΊΠΎΡ€Ρ€Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΈ случайном ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала

ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ ΠΆΠ΅, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ Π² схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром. А Π²ΠΎΡ‚ коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ малСнький (основной нСдостаток этой схСмы). Он приблиТаСтся ΠΊ Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Π΅, Π½ΠΎ всСгда мСньшС Π΅Π΅. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ мощности получаСтся Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹ΠΌ всСго нСскольким дСсяткам Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†.

Π’ схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Ρ„Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ сдвиг ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ напряТСниСм отсутствуСт. ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ Π±Π»ΠΈΠ·ΠΎΠΊ ΠΊ Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Π΅, Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС ΠΏΠΎ Ρ„Π°Π·Π΅ ΠΈ Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Π΅ совпадаСт со Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ, Ρ‚. Π΅. повторяСт Π΅Π³ΠΎ. ИмСнно поэтому такая схСма называСтся эмиттСрным ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ. Π­ΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΌ — ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС снимаСтся с эмиттСра ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π°.

Π’Π°ΠΊΠΎΠ΅ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ для согласования транзисторных каскадов ΠΈΠ»ΠΈ ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° источник Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ высокоС Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС (Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, ΠΏΡŒΠ΅Π·ΠΎΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΠΉ Π·Π²ΡƒΠΊΠΎΡΠ½ΠΈΠΌΠ°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΈΠ»ΠΈ кондСнсаторный ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΡ„ΠΎΠ½).

Π”Π²Π° слова ΠΎ каскадах

Π‘Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΡƒΡŽ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ (Ρ‚.Π΅. ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ). Π’ этом случаС ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΠ³ΠΎ числа транзисторов.

ЕстСствСнно, ΠΎΠ½ΠΈ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΏΠΎ характСристикам. Но Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΏΠΎΠΌΠ½ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ суммарный ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Ρ‚ΡŒ 1,6-1,7 ΠΎΡ‚ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° любого ΠΈΠ· транзисторов каскада.
Π’Π΅ΠΌ Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ (спасибо Π·Π° Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‡Π°Π½ΠΈΠ΅), Π² случаС с биполярными транзисторами Ρ‚Π°ΠΊ Π΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π΅ рСкомСндуСтся. ΠŸΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΄Π²Π° транзистора Π΄Π°ΠΆΠ΅ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»Π° Ρ…ΠΎΡ‚ΡŒ Π½Π΅ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ, Π½ΠΎ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ ΠΎΡ‚ Π΄Ρ€ΡƒΠ³Π°. БоотвСтствСнно, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π½ΠΈΡ… Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ Ρ‚Π΅Ρ‡ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΉ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹. Для выравнивания этих Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² Π² эмиттСрныС Ρ†Π΅ΠΏΠΈ транзисторов ставят балансныС рСзисторы. Π’Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ ΠΈΡ… сопротивлСния Ρ€Π°ΡΡΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ Ρ‚Π°ΠΊ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° Π½ΠΈΡ… Π² ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Π²Π°Π»Π΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΡ… Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² Π±Ρ‹Π»ΠΎ Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 0,7 Π’. ΠŸΠΎΠ½ΡΡ‚Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ это ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ ΡƒΡ…ΡƒΠ΄ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠšΠŸΠ” схСмы.

ΠœΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ½ΡƒΡ‚ΡŒ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Π² транзисторС с Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠ΅ΠΉ Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ этом с Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΈΠΌ коэффициСнтом усилСния. Π’ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… случаях ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ каскад ΠΈΠ· Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ, Π½ΠΎ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора (Π½Π° рисункС — VT1), ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ управляСт энСргиСй питания Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΠ³ΠΎ собрата (Π½Π° рисункС — VT2).

Π”Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ области примСнСния биполярных транзисторов

Вранзисторы ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒ Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ схСмах усилСния сигнала. НапримСр, благодаря Ρ‚ΠΎΠΌΡƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ½ΠΈ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ°Ρ… насыщСния ΠΈ отсСчки, ΠΈΡ… ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ Π² качСствС элСктронных ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅ΠΉ. Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ использованиС транзисторов Π² схСмах Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² сигнала. Если ΠΎΠ½ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚ Π² ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅, Ρ‚ΠΎ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΏΡ€ΡΠΌΠΎΡƒΠ³ΠΎΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ сигнал, Π° Ссли Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ усилСния — Ρ‚ΠΎ сигнал ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡ‹, зависящий ΠΎΡ‚ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ воздСйствия.

ΠœΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ°

ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΡ ΡƒΠΆΠ΅ Ρ€Π°Π·Ρ€ΠΎΡΠ»Π°ΡΡŒ Π΄ΠΎ Π½Π΅ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΈΡ‡Π½ΠΎ большого объСма, Ρ‚ΠΎ Π² этом ΠΏΡƒΠ½ΠΊΡ‚Π΅ я просто Π΄Π°ΠΌ Π΄Π²Π΅ Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΈΠ΅ ссылки, ΠΏΠΎ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΌ ΠΏΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½ΠΎ расписаны основныС систСмы ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ² (Π² Ρ‚ΠΎΠΌ числС ΠΈ транзисторов):

Вранзисторы Π»Π΅ΠΆΠ°Ρ‚ Π² основС Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²Π°
элСктронных устройств. Он ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π΅Ρ‚Π°Π»Π΅ΠΉ, ΠΈΠ»ΠΈ Π²
составС микросхСм. Π”Π°ΠΆΠ΅ самый слоТный микро­процСссор состоит ΠΈΠ· Π²Π΅Π»ΠΈΠΊΠΎΠ³ΠΎ
мноТСства ΠΌΠ°Π»ΡŽΡΠ΅Π½ΡŒΠΊΠΈΡ… транзисторов, ΠΏΠ»ΠΎΡ‚Π½ΠΎ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Β­Ρ‰Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… Π² Π΅Π³ΠΎ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‡Π΅ΠΌ
кристаллС.

Вранзисторы Π±Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Π΅. Π”Π²Π΅ основ­ныС
Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡ‹ — это биполярныС ΠΈ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅. Биполярный транзистор обозначаСтся Π½Π° схСмС,
Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рисункС 1. Он Π±Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ прямой (Ρ€-ΠΏ-Ρ€) ΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ (ΠΏ-Ρ€-ΠΏ)
проводимости. Π‘Ρ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π° транзистора, ΠΈ физичСскиС процСссы, происходящиС Π² Π½Π΅ΠΌ
изучаСтся Π² школС, Ρ‚Π°ΠΊ Ρ‡Ρ‚ΠΎ здСсь ΠΎ Π½Π΅ΠΉ Π³ΠΎΠ²ΠΎΒ­Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅ΠΌ, — Ρ‚Π°ΠΊ ΡΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ, Π±Π»ΠΈΠΆΠ΅
ΠΊ ΠΏΡ€Π°ΠΊΒ­Ρ‚ΠΈΠΊΠ΅. Π’ сущности, Ρ€Π°Π·Π½ΠΈΡ†Π° Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ€-ΠΏ-Ρ€ транзисторы ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‚ Ρ‚Π°ΠΊ,
Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π½Π° ΠΈΡ… эмиттСр поступал ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π» напяТСния, Π° Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€
— ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ. Для транзисторов
n-p
-ΠΏ — всС Π½Π°ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΠΎΡ‚, Π½Π° эмиттСр Π΄Π°ΡŽΡ‚ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ
ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π», Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ — ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ.

Π—Π°Ρ‡Π΅ΠΌ Π½ΡƒΠΆΠ΅Π½ транзистор? Π’ основном Π΅Π³ΠΎ
ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ для усилСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, сигналов, напряТСния. А усилСниС происходит Π·Π°
счСт источника питания. ΠŸΠΎΠΏΡ€ΠΎΠ±ΡƒΡŽ ΠΎΠ±ΡŠΡΡΠ½ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Β«Π½Π° ΠΏΠ°Π»ΡŒΡ†Π°Ρ…Β». Π’
Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠ°ΡˆΠΈΒ­Π½Π΅ Π΅ΡΡ‚ΡŒ Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Ρ‚ΠΎΡ€ΠΌΠΎΠ·Π°. Когда Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π½Π°ΠΆΠΈΠΌΠ°Π΅Ρ‚ Π½Π° пСдаль
Ρ‚ΠΎΡ€ΠΌΠΎΠ·Π°, Π΅Π³ΠΎ ΠΌΠ΅ΠΌΠ±Ρ€Π°Π½Π° пСрСмСщаСтся ΠΈ открываСтся ΠΊΠ»Π°ΠΏΠ°Π½ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π΄Π²ΠΈΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ
ΠΌΠ°ΡˆΠΈΠ½Ρ‹ всасываСт эту ΠΌΠ΅ΠΌΠ±Ρ€Π°Π½Ρƒ, добавляя Π΅ΠΉ усилиС. Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ слабоС усилиС
Π½Π°ΠΆΠΈΠΌΠ° Π½Π° пСдаль Ρ‚ΠΎΡ€ΠΌΠΎΠ·Π° ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ ΡΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡŽ Π½Π° Ρ‚ΠΎΡ€ΠΌΠΎΠ·Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠ»ΠΎΠ΄ΠΊΠ°Ρ…. А
Π΄ΠΎΠ±Π°Π²ΠΊΠ° силы происходит Π·Π° счСт мощности Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΒ­Ρ‰Π΅Π³ΠΎ ΠΌΠΎΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΌΠ°ΡˆΠΈΠ½Ρ‹.

Π’ΠΎΡ‚ ΠΈ с транзистором ΠΏΠΎΡ…ΠΎΠΆΠ΅. На Π±Π°Π·Ρƒ ΠΏΠΎΠ΄Π°ΡŽΡ‚
слабСнький Ρ‚ΠΎΠΊ (рис. 2). Под дСйствиСм этого Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΒ­Ρ‚ΠΎΡ€ —
эмиттСр увСличиваСтся ΠΈ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΒ­Ρ‚ΠΎΡ€ ΡƒΠΆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ ΠΊΡƒΠ΄Π° Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΡΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ,
ΠΏΠΎΡΡ‚ΡƒΠΏΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΎΡ‚ источника питания. Π˜Π·ΠΌΠ΅Π½ΡΒ­Π΅Ρ‚ΡΡ слабый Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹, — соотвСтствСнно
измСняСтся ΠΈ ΡΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°. Π’ ΠΈΠ΄Π΅Π°Π»Π΅, Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊ измСнСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°
выглядит ΠΊΠ°ΠΊ увСличСнная копия Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΠ° измСнСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹.

Π­Ρ‚ΠΎ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ слабым Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈ ΡΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ
Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° называСтся коэф­фициСнтом усилСния транзистора ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ, ΠΈ обозначаСтся
И21э. ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΠ΅Ρ‚ΡΡ Ρ‚Π°ΠΊ: h31э =
Ik
/I6 (Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π° Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹). Π§Π΅ΠΌ большС Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€, Ρ‚Π΅ΠΌ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅
ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ свойства транзистора.

Но это всС Π² ΠΈΠ΄Π΅Π°Π»Π΅. На самом Π΄Π΅Π»Π΅ Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΒ­ΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ
Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΎΡ‚ напряТСния Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ Π½Π΅ Ρ‚Π°ΠΊ ΡƒΠΆ ΠΈ Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Π°. Π‘Π»Π΅Π΄ΡƒΠ΅Ρ‚ Π²ΡΠΏΠΎΠΌΠ½ΠΈΡ‚ΡŒ
BAX
Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°, Π³Π΄Π΅
Π² самом Π½ΠΈΠ·Ρƒ характСристики Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΠΌΠ°Π», ΠΈ Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ Ρ€Π΅Π·ΠΊΠΎ Π½Π°Ρ€ΠΎΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ³Π΄Π°
напряТСниС достигаСт ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ значСния. ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ Π² основС транзистора
Π»Π΅ΠΆΠ°Ρ‚ Ρ‚Π΅ ΠΆΠ΅ физичСскиС процСссы, Ρ‚ΠΎ ΠΈ здСсь имССтся Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ Β«Π΄Π΅Ρ„Π΅ΠΊΡ‚Β».

Если ΠΌΡ‹ собСрСм схСму усилитСля, ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Β­Π½ΡƒΡŽ
Π½Π° рисункС 3, ΠΈ Π±ΡƒΠ΄Π΅ΠΌ Π³ΠΎΠ²ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ΡŒ Π² ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΒ­Ρ„ΠΎΠ½, Π² Π΄ΠΈΠ½Π°ΠΌΠΈΠΊΠ΅ Π·Π²ΡƒΠΊΠ° Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚. ΠŸΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ
Ρ‡Ρ‚ΠΎ напряТСниС Π½Π° ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΡ„ΠΎΠ½Π΅ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΠΌΠ°Π»ΠΎ, ΠΎΠ½ΠΎ Π½ΠΈΠΆΠ΅ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³Π° открывания транзистора.
Π—Π΄Π΅ΡΡŒ Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ усилСния, Π° Π΄Π°ΠΆΠ΅ Π½Π°ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΠΎΡ‚, Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ослаблСниС сигнала.

Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ транзистор Π·Π°Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π» ΠΊΠ°ΠΊ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ
ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ напряТСниС Π½Π° Π΅Π³ΠΎ Π±Π°Π·Π΅. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΠ΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊΠΈΠΌ-Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΒ­Ρ‡ΠΈΠ²
напряТСниС Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΡ„ΠΎΠ½Π°. Но Ρ‚ΠΎΠ³Π΄Π° тСряСВся смысл усилитСля. Или Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΡΡ…ΠΈΡ‚Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ, ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ транзистора
Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ постоянноС напряТСниС (рис.4) Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· рСзистор, Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ транзистор
ΠΏΡ€ΠΈΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΡŒ. И слабоС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ΅ напряТС­ниС ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ этого транзистора
Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· кондСнсатор. Π’ΠΎΡ‚ Ρ‚Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ самоС Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎΠ΅, — слабоС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ΅ напря­ТСниС слоТится с
постоян­ным напряТСниСм Π½Π° Π±Π°Π·Π΅. НапряТСниС Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒΡΡ Π² Ρ‚Π°ΠΊΡ‚
слабому ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΌΡƒ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ. Но Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ постоянноС напряТСниС смСстило Ρ€Π°Π±ΠΎΒ­Ρ‡ΡƒΡŽ
Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΡƒ транзистора Π½Π° ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΎΠΉ Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹ΠΉ участок характСристики, происходит
усилСниС.

ΠŸΡ€ΠΎΡ‰Π΅ говоря, Ρƒ слабого напряТС­ния Π½Π΅Π±Ρ‹Π»ΠΎ сил
Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΡŒ транзистор, ΠΈ ΠΌΡ‹ Π΄ΠΎΠ±Π°Π²ΠΈΠ»ΠΈ Π΅ΠΌΡƒ Π² ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ постоян­ноС напряТСниС,
ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΒ­ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Π»ΠΎ транзис­тор. Π•Ρ‰Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΡ‰Π΅ (ΠΎΠΏΡΡ‚ΡŒ с Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΉ), допустим, Π΅ΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΡƒΠ³ΠΎ
Π·Π°Π²ΠΈΠ½Ρ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ Π²ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π»ΡŒ, ΠΈ Ρ€Π΅Π±Π΅Π½ΠΎΠΊ ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Π½ΡƒΡ‚ΡŒ Π΅Π³ΠΎ Π½Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚. Но
ΠΏΠ°ΠΏΠ° ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΈΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΡŒ этот Π²ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π»ΡŒ, ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Π½ΡƒΠ² Π΅Π³ΠΎ Π² ΠΏΡ€ΠΈΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅, Π²
ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΎΠ½ вращаСтся Π»Π΅Π³ΠΊΠΎ. Π’Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ Ρ€Π΅Π±Π΅Π½ΠΎΠΊ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π°ΠΏΠΎΡ€ Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ Π²
Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°Ρ…. Π’ΠΎΡ‚ здСсь Ρ€Π΅Π±Π΅Π½ΠΎΠΊ — это слабоС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС, Π° ΠΏΠ°ΠΏΠ°
— это постоянноС напряТСниС, ΠΏΠΎΠ΄Π°Π½Π½ΠΎΠ΅ Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ транзистора Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· рСзистор.

ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΡΠ½Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΠ΄Π°ΡŽΡ‚ Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ
транзистора Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡΠΌΠ΅ΡΡ‚ΠΈΡ‚ΡŒ Π΅Π³ΠΎ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π² участок с Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΎΠΉ ΠΈ Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠΉ
характСристикой, называСтся напряТСниСм смСщСния. ИзмСняя это напряТСниС ΠΌΡ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅ΠΌ Π΄Π°ΠΆΠ΅
Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ коэффициСнт усилСния ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ каскада.

Но транзисторы Π΄Π°Π»Π΅ΠΊΠΎ Π½Π΅ всСгда ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΒ­Π·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ
с напряТСниСм смСщСния. НапримСр, Π² ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… каскадах ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠ²
напряТСниС смСщСния Π½Π° Π±Π°Π·Ρ‹ транзисторов ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΈ Π½Π΅ ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ
Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Ρ‹ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Ρ‚Π°ΠΌ Π²ΠΏΠΎΠ»Β­Π½Π΅ достаточно для «раскачки»
транзистора.

И Ссли транзистор ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π½Π΅ Π² качСствС
усилитСля, Π° Π² качСствС ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°, Ρ‚ΠΎ напряТСниС смСщСния Ρ‚ΠΎΠΆΠ΅ Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ Π½Π΅ Π΄Π°ΡŽΡ‚.
ΠŸΡ€ΠΎΡΡ‚ΠΎ, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚, — напряТСниС Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ Π½ΡƒΠ»ΡŽ, Π° ΠΊΠΎΠ³Π΄Π°
ΠΎΠ½ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚, — ΠΏΠΎΠ΄Π°ΡŽΡ‚ напряТСниС Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ достаточноС для открывания
транзистора. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ Π² Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΉ элСктроникС, Π³Π΄Π΅ Π΅ΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π½ΡƒΠ»ΠΈ
(Π½Π΅Ρ‚ напряТСния) ΠΈ Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Ρ‹ (напряТСниС Π΅ΡΡ‚ΡŒ) ΠΈ Π½ΠΈΠΊΠ°ΠΊΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΎΠΌΠ΅ΠΆΡƒΡ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ.

На рисункС 5 ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° практичСская схСма ΠΊΠ°ΠΊ
ΡΠ΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈΠ· Ρ€Π΅ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΡ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€Π½ΡƒΡŽ ΠΊΠΎΠ»ΠΎΠ½ΠΊΡƒ. НуТСн простой ΠΎΠ΄Π½ΠΎ-
ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ€Π΅ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΎΡ€ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ с ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Π²ΠΈΠ»ΠΊΠΎΠΉ для ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Π² Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΡΠ΅Ρ‚ΡŒ (Ρƒ
ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ вторая Π²ΠΈΠ»ΠΊΠ° для элСктросСти). Никаких ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ Π² схСму
Ρ€Π΅ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π²Π½ΠΎΡΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π΅ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ. К ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΒ­Ρ‚ΠΎΡ€Ρƒ транзистора ΠΎΠ½ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Ρ‚Π°ΠΊ ΠΆΠ΅
ΠΊΠ°ΠΊ ΠΊ радиосСти.

Π’Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π΅ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π΅ΡΡ‚ΡŒ
Π΄ΠΈΠ½Π°ΠΌΠΈΠΊ, ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ рСзистор для Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠΈ громкости ΠΈ трансформатор. ВсС это
Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ, ΠΈ ΠΎΠ½ΠΎ остаСтся. Когда вскроСтС корпус Ρ€Π΅ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, ΠΏΠΎΠ΄ΠΏΠ°ΠΈΠ²Π°ΠΉΡ‚Π΅
ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ транзистора ΠΈ плюс источника питания ΠΊ Ρ‚Π΅ΠΌ мСстам, ΠΊ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΌ подпаян
Π΅Π³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ с Π²ΠΈΠ»ΠΊΠΎΠΉ. Π‘Π°ΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ.

Для ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΊ ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€Ρƒ Π½ΡƒΠΆΠ΅Π½
экранированный ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ с ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ ΡˆΡ‚Π΅ΠΊΠ΅Ρ€ΠΎΠΌ Π½Π° ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅. Или ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½Ρ‹ΠΉ Π΄Π²ΡƒΡ…ΠΏΡ€ΠΎΒ­Π²ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ
ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄. Если ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ экранирован­ный, — ΠΎΠΏΠ»Π΅Ρ‚ΠΊΡƒ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΠΉΡ‚Π΅ ΠΊ эмиттСру транзистора,
Π° Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ ΠΆΠΈΠ»Ρƒ ΠΊ кондСн­сатору Π‘1.

Π‘ΠΈΠ³Π½Π°Π» ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€Π½ΠΎΠΉ Π·Π²ΡƒΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚Ρ‹ ΠΏΠΎΠ΄Π°ΡŽΡ‚
Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΡˆΡ‚Π΅ΠΊΠ΅Ρ€ Π½Π° кондСнсатор Π‘1. НапряТСниС питания ΠΏΠΎΠ΄Π°ΡŽΡ‚ ΠΎΡ‚ сСтСвого Π±Π»ΠΎΠΊΠ°
питания. Π›ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ всСго ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Π±Π»ΠΎΠΊ питания ΠΎΡ‚ ΠΈΠ³Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΉ приставки ΠΊ Ρ‚Π΅Π»Π΅Π²ΠΈΠ·ΠΎΡ€Ρƒ,
Ρ‚ΠΈΠΏΠ° Β«Π”Π΅Π½Π΄ΠΈΒ», «КСнга». Π’ΠΎΠΎΠ±Ρ‰Π΅ годится любой Π±Π»ΠΎΠΊ питания с напряТСниСм Π½Π°
Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΎΡ‚
7V
Π΄ΠΎ
12V
. Для ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΊ Π±Π»ΠΎΠΊΡƒ питания потрСбуСтся
ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π΅ Π³Π½Π΅Π·Π΄ΠΎ, Π΅Π³ΠΎ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π° корпусС Ρ€Π΅ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°,
просвСрлив для Π½Π΅Π³ΠΎ отвСрстиС. Π₯отя, ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎ, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄ΠΏΠ°ΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π° ΠΎΡ‚ Π±Π»ΠΎΠΊΠ°
питания ΠΈ нСпосрСдствСнно ΠΊ схСмС. ΠŸΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ источник питания Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΡΠΎΠ±Π»ΡŽΠ΄Π°Ρ‚ΡŒ
ΠΏΠΎΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ. Π”ΠΈΠΎΠ΄
VD
1 Π² ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠ΅ Π½Π΅ Π½ΡƒΠΆΠ΅Π½, Π½ΠΎ ΠΎΠ½
Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‰Π°Π΅Ρ‚ схСму ΠΎΡ‚ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΈΠ· строя, Ссли Π²Ρ‹ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΏΡƒΡ‚Π°Π΅Ρ‚Π΅ плюс с минусом Ρƒ Π±Π»ΠΎΠΊΠ°
питания. Π‘Π΅Π· Π½Π΅Π³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ Π½Π΅ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ питания транзис­тор ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΠΆΠ΅Ρ‡ΡŒ,
Π° с Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠΌ, Ссли полюса Π±Π»ΠΎΠΊΠ° питания ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΏΡƒΡ‚Π°Π΅Ρ‚Π΅, просто схСма Π½Π΅ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡΡ.

Вранзистор КВ315 Π² ΠΏΡ€ΡΠΌΠΎΡƒΠ³ΠΎΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ корпусС, Ρƒ
ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ с ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ стороны Π΅ΡΡ‚ΡŒ скос (Π½Π° рисункС ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ). Π’ΠΎΡ‚ Ссли этим скосом
ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Π½ΡƒΡ‚ΡŒ Π΅Π³ΠΎ ΠΎΡ‚ сСбя, Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ Π²Π²Π΅Ρ€Ρ…, Ρ‚ΠΎ слСва Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π±Π°Π·Π°, справа эмиттСр, Π°
ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ посрСдинС. ΠŸΠΎΠ΄ΠΎΠΉΠ΄Π΅Ρ‚ транзистор КВ315 с любой Π±ΡƒΠΊΠ²ΠΎΠΉ (КВ315А,
КВ315Π‘…). Вранзистор Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΏΠ°ΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎ, Π½Π΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΏΡƒΡ‚Π°Π² Π΅Π³ΠΎ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹. Если
ΠΎΡˆΠΈΠ±Π΅Ρ‚Π΅ΡΡŒ ΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚Π΅ ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΠ½ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡΠ΄ΠΎΡ…Π½ΡƒΡ‚ΡŒ. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ, послС Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠ°ΠΊ всС
спаяСтС Π½Π΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅Β­Π½ΠΈΡ‚Π΅ΡΡŒ Ρ€Π°Π·Π° Ρ‚Ρ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆΠ°, ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎ Π»ΠΈ
подпаяны Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ транзистора, кондСнсаторов, Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°. И Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚Π΅
ΡƒΠ²Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ‹ Π½Π° всС 100%, — Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΠΉΡ‚Π΅.

Π”ΠΈΠΎΠ΄
VD
1 Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠšΠ”209. На Π½Π΅ΠΌ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‡Π΅Π½ Π°Π½ΠΎΠ΄. МоТно
ΠΏΠΎΡΡ‚Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ Π΄ΠΈΠΎΠ΄, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€,
1N
4004 ΠΈΠ»ΠΈ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΉ-Ρ‚ΠΎ Π΅Ρ‰Π΅. Если Π΄ΠΈΠΎΠ΄ впаяСтС Π½Π΅ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎ
схСма Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ

Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚. Π’Π°ΠΊ Ρ‡Ρ‚ΠΎ, Ссли всС Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΠ»ΠΈ, Π½ΠΎ Π½Π΅
Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚, Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°ΠΉΡ‚Π΅ с ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΒ­Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°.

Π•Ρ‰Π΅ нСсколько ΠΏΡ€ΠΈΡ‡ΠΈΠ½ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ схСма ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π½Π΅
Π·Π°Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ:

ΠΠ΅ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΠ»ΠΈ источник питания.

НСт сигнала Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€Π°, Π»ΠΈΠ±ΠΎ
Π³Ρ€ΠΎΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½Π° ΠΈΠ»ΠΈ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π° Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ°ΠΌΠΈ Π² ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ΅ ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€Π°.

РСгулятор громкости Ρ€Π΅ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π² мини­мальном
ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ.

ΠšΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ — элСктролитичСскиС, Π½Π°
напряТСниС Π½Π΅ мСньшС
12V
. ΠŸΠΎΠ΄ΠΎΠΉΠ΄ΡƒΡ‚ наши К50-16, К50-35 ΠΈΠ»ΠΈ ΠΈΠΌΠΏΠΎΡ€Ρ‚Π½Ρ‹Π΅ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈ.
Π‘Π»Π΅Π΄ΡƒΠ΅Ρ‚ Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρƒ Π½Π°ΡˆΠΈΡ… кондСнсато­ров Π½Π° корпусС стоит плюсик Π²ΠΎΠ·Π»Π΅
ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΒ­Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°, Π° Ρƒ ΠΈΠΌΠΏΠΎΡ€Ρ‚Π½Ρ‹Ρ… минусик ΠΈΠ»ΠΈ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠ°Ρ Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ полоска
Ρƒ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΒ­Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°. ВмСсто кондСнсатора 10 ΠΌΠΊΡ„ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° Π»ΡŽΠ±ΡƒΡŽ
Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ 2 ΠΌΠΊΡ„ Π΄ΠΎ 20 ΠΌΠΊΡ„. ВмСсто кондСнсатора Π½Π° 100 ΠΌΠΊΠ€ ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠΉΠ΄Π΅Ρ‚ кондСнсатор
любой Смкости Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 100 ΠΌΠΊΠ€.

На рисункС Π½ΠΈΠΆΠ΅ схСмы ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° монтаТная
схСма, Π½Π° Π½Π΅ΠΉ мСста ΠΏΠ°Π΅ΠΊ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ°ΠΌΠΈ. НС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΏΡƒΡ‚Π°ΠΉΡ‚Π΅ мСста ΠΏΠ°Π΅ΠΊ с
пСрСсСчСниСм ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΎΠ². ΠœΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆ сдСлан навСсным спосо­бом, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹
Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»Π΅ΠΉ ΠΈ ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆΒ­Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΊΠΈ. Π’ΡΡŽ схСму ΠΆΠ΅Π»Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠΌΠ΅ΡΡ‚ΠΈΡ‚ΡŒ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΡŒ корпуса
Ρ€Π΅ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (Ρ‚Π°ΠΌ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ мСста).

Если всС Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚, Π½ΠΎ сильно Ρ„ΠΎΠ½ΠΈΡ‚, — Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚,
Π²Ρ‹ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΏΡƒΡ‚Π°Π»ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π°, ΠΈΠ΄ΡƒΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΊ Π·Π²ΡƒΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚Π΅. ΠŸΠΎΠΌΠ΅Π½ΡΠΉΡ‚Π΅ ΠΈΡ… мСстами.

Π—Π°ΠΏΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ схСму ΠΎΡ‚ источника питания
ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€Π° НЕ Π‘Π›Π•Π”Π£Π•Π’!

Для стСрСоварианта ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΠ΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ Π΄Π²Π΅ ΠΊΠΎΠ»ΠΎΠ½ΠΊΠΈ,
Π²Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ объСдинив Π² ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ стСрСо- кабСль для ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΊ Π·Π²ΡƒΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚Π΅, Π½Ρƒ ΠΈ
Π·Π°ΠΏΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ±Π΅ ΠΊΠΎΠ»ΠΎΠ½ΠΊΠΈ ΠΎΡ‚ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π±Π»ΠΎΠΊΠ° питания.

ΠšΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎ с ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌ транзисторным каскадом ΠΊΠΎΠ»ΠΎΠ½ΠΊΠ°
Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π·Π²ΡƒΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π΅Π³Ρ€ΠΎΠΌΠΊΠΎ, Π½ΠΎ достаточно для ΠΏΡ€ΠΎΡΠ»ΡƒΡˆΠΈΠ²Π°Π½ΠΈΡ Π² нСбольшой ΠΊΠΎΠΌΠ½Π°Ρ‚Π΅.
Π“Ρ€ΠΎΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ рСгулятором ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€Π°, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ Ρ€ΡƒΡ‡ΠΊΠΎΠΉ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ
Ρƒ Ρ€Π΅ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°.

АндрССв Π‘.

Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½ΠΈΠΊΠ° ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°Π΅Ρ‚ нас Π²ΡΡŽΠ΄Ρƒ. Но практичСски Π½ΠΈΠΊΡ‚ΠΎ Π½Π΅ задумываСтся ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΌ, ΠΊΠ°ΠΊ вся эта ΡˆΡ‚ΡƒΠΊΠ° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚. На самом Π΄Π΅Π»Π΅ всС довольно просто. ИмСнно это ΠΌΡ‹ ΠΈ постараСмся сСгодня ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ. А Π½Π°Ρ‡Π½Π΅ΠΌ с Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎΠ³ΠΎ элСмСнта, ΠΊΠ°ΠΊ транзистор. РасскаТСм, Ρ‡Ρ‚ΠΎ это Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΄Π΅Π»Π°Π΅Ρ‚, ΠΈ ΠΊΠ°ΠΊ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ транзистор.

Π§Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ транзистор?

Вранзистор
– ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€, ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ для управлСния элСктричСским Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ.

Π“Π΄Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ транзисторы? Π”Π° Π²Π΅Π·Π΄Π΅! Π‘Π΅Π· транзисторов Π½Π΅ обходится практичСски Π½ΠΈ ΠΎΠ΄Π½Π° соврСмСнная элСктричСская схСма. Они повсСмСстно ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΡ€ΠΈ производствС Π²Ρ‹Ρ‡ΠΈΡΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠΈ, Π°ΡƒΠ΄ΠΈΠΎ- ΠΈ Π²ΠΈΠ΄Π΅ΠΎ-Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹.

Π’Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π°, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° совСтскиС микросхСмы Π±Ρ‹Π»ΠΈ самыми большими Π² ΠΌΠΈΡ€Π΅
, ΠΏΡ€ΠΎΡˆΠ»ΠΈ, ΠΈ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ соврСмСнных транзисторов ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΠΌΠ°Π». Π’Π°ΠΊ, самыС малСнькиС ΠΈΠ· устройств ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ порядка Π½Π°Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°!

ΠŸΡ€ΠΈΡΡ‚Π°Π²ΠΊΠ° Π½Π°Π½ΠΎ-
ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ порядка Π΄Π΅ΡΡΡ‚ΡŒ Π² минус дСвятой стСпСни.

Однако ΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ ΠΈ гигантскиС экзСмпляры, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ΡΡ прСимущСствСнно Π² областях энСргСтики ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ.

Π‘ΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Π΅ Ρ‚ΠΈΠΏΡ‹ транзисторов: биполярныС ΠΈ полярныС, прямой ΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ проводимости. Π’Π΅ΠΌ Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅, Π² основС Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ этих ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ² Π»Π΅ΠΆΠΈΡ‚ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΈ Ρ‚ΠΎΡ‚ ΠΆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ. Вранзистор — ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ. Как извСстно, Π² ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ΅ носитСлями заряда ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ элСктроны ΠΈΠ»ΠΈ Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠΈ.

ΠžΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ с ΠΈΠ·Π±Ρ‹Ρ‚ΠΊΠΎΠΌ элСктронов обозначаСтся Π±ΡƒΠΊΠ²ΠΎΠΉ n
(negative), Π° ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ с Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ – p
(positive).

Как Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ транзистор?

Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ всС Π±Ρ‹Π»ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ясно, рассмотрим Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ биполярного транзистора (самый популярный Π²ΠΈΠ΄).

(Π΄Π°Π»Π΅Π΅ – просто транзистор) прСдставляСт собой кристалл ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ° (Ρ‡Π°Ρ‰Π΅ всСго ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ
ΠΈΠ»ΠΈ Π³Π΅Ρ€ΠΌΠ°Π½ΠΈΠΉ
), Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ Π½Π° Ρ‚Ρ€ΠΈ Π·ΠΎΠ½Ρ‹ с Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΉ ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ. Π—ΠΎΠ½Ρ‹ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ соотвСтствСнно ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ
, Π±Π°Π·ΠΎΠΉ
ΠΈ эмиттСром
. Устройство транзистора ΠΈ Π΅Π³ΠΎ схСматичСскоС ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Ρ‹ Π½Π° рисункС Π½ΠΈ ΠΆΠ΅

Π Π°Π·Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ транзисторы прямой ΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ проводимости. Вранзисторы p-n-p Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ транзисторами с прямой ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ, Π° транзисторы n-p-n – с ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ.

Π’Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΌ, ΠΊΠ°ΠΊΠΈΠ΅ Π΅ΡΡ‚ΡŒ Π΄Π²Π° Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзисторов. Π‘Π°ΠΌΠ° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π° транзистора ΠΏΠΎΡ…ΠΎΠΆΠ° Π½Π° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΡ€Π°Π½Π° ΠΈΠ»ΠΈ вСнтиля. Волько вмСсто Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ – элСктричСский Ρ‚ΠΎΠΊ. Π’ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Ρ‹ Π΄Π²Π° состояния транзистора – Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅Π΅ (транзистор ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚) ΠΈ состояниС покоя (транзистор Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚).

Π§Ρ‚ΠΎ это Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚? Когда транзистор Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚, Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π½Π΅Π³ΠΎ Π½Π΅ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ. Π’ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠΌ состоянии, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ подаСтся ΠΌΠ°Π»Ρ‹ΠΉ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ, транзистор открываСтся, ΠΈ большой Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ Ρ‚Π΅Ρ‡ΡŒ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· эмиттСр-ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€.

ЀизичСскиС процСссы Π² транзисторС

А Ρ‚Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ ΠΏΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½Π΅Π΅ ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΌ, ΠΏΠΎΡ‡Π΅ΠΌΡƒ всС происходит ΠΈΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊ, Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡ‡Π΅ΠΌΡƒ транзистор открываСтся ΠΈ закрываСтся. Π’ΠΎΠ·ΡŒΠΌΠ΅ΠΌ биполярный транзистор. ΠŸΡƒΡΡ‚ΡŒ это Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ n-p-n
транзистор.

Если ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ источник питания ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром, элСктроны ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π½Π°Ρ‡Π½ΡƒΡ‚ ΠΏΡ€ΠΈΡ‚ΡΠ³ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΊ ΠΏΠ»ΡŽΡΡƒ, ΠΎΠ΄Π½Π°ΠΊΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚. Π­Ρ‚ΠΎΠΌΡƒ ΠΌΠ΅ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ прослойка Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈ сам слой эмиттСра.

Если ΠΆΠ΅ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ источник ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ эмиттСром, элСктроны ΠΈΠ· n области эмиттСра Π½Π°Ρ‡Π½ΡƒΡ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠ½ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ Π² ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ Π±Π°Π·. Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΎΠ±ΠΎΠ³Π°Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ свободными элСктронами, Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ ΠΈΠ· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ с Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠ°ΠΌΠΈ, Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ ΠΊ ΠΏΠ»ΡŽΡΡƒ Π±Π°Π·Ρ‹, Π° Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ (большая Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ) направится ΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρƒ.

Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, транзистор получаСтся ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚, ΠΈ Π² Π½Π΅ΠΌ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ эмиттСр ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€. Если напряТСниС Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ, увСличится ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ эмиттСр. ΠŸΡ€ΠΈΡ‡Π΅ΠΌ, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΌ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ напряТСния Π½Π°Π±Π»ΡŽΠ΄Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ рост Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр. ИмСнно Π½Π° этом эффСктС ΠΈ основана Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π° транзисторов Π² усилитСлях.

Π’ΠΎΡ‚ Π²ΠΊΡ€Π°Ρ‚Ρ†Π΅ ΠΈ вся ΡΡƒΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзисторов. НуТно Ρ€Π°ΡΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ мощности Π½Π° биполярных транзисторах Π·Π° ΠΎΠ΄Π½Ρƒ Π½ΠΎΡ‡ΡŒ, ΠΈΠ»ΠΈ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Π»Π°Π±ΠΎΡ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π½ΡƒΡŽ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ ΠΏΠΎ исслСдованию Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора? Π­Ρ‚ΠΎ Π½Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΠ° Π΄Π°ΠΆΠ΅ для Π½ΠΎΠ²ΠΈΡ‡ΠΊΠ°, Ссли Π²ΠΎΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ спСциалистов нашСго студСнчСского сСрвиса .

НС ΡΡ‚Π΅ΡΠ½ΡΠΉΡ‚Π΅ΡΡŒ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‰Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π·Π° ΠΏΡ€ΠΎΡ„Π΅ΡΡΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ Π² Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹Ρ… вопросах, ΠΊΠ°ΠΊ ΡƒΡ‡Π΅Π±Π°! А Ρ‚Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Ρƒ вас ΡƒΠΆΠ΅ Π΅ΡΡ‚ΡŒ прСдставлСниС ΠΎ транзисторах, ΠΏΡ€Π΅Π΄Π»Π°Π³Π°Π΅ΠΌ Ρ€Π°ΡΡΠ»Π°Π±ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ ΠΈ ΠΏΠΎΡΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ»ΠΈΠΏ Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡ‹ Korn β€œTwisted transistor”! НапримСр, Π²Ρ‹ Ρ€Π΅ΡˆΠΈΠ»ΠΈ ΠΊΡƒΠΏΠΈΡ‚ΡŒ ΠΎΡ‚Ρ‡Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎ ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠ΅ , ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‰Π°ΠΉΡ‚Π΅ΡΡŒ Π² Π—Π°ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ.

ΠŸΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ нСсколько схСм простых устройств ΠΈ ΡƒΠ·Π»ΠΎΠ², ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½Ρ‹ Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠ»ΡŽΠ±ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡΠΌΠΈ.

ΠžΠ΄Π½ΠΎΠΊΠ°ΡΠΊΠ°Π΄Π½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π—Π§

Π­Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚Π΅ΠΉΡˆΠ°Ρ конструкция, которая позволяСт ΠΏΡ€ΠΎΠ΄Π΅ΠΌΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ способности транзистора ΠŸΡ€Π°Π²Π΄Π°, коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ Π½Π΅Π²Π΅Π»ΠΈΠΊ — ΠΎΠ½ Π½Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ 6, поэтому сфСра примСнСния Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ устройства ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½Π°.

Π’Π΅ΠΌ Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ Π΅Π³ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ, скаТСм, ΠΊ Π΄Π΅Ρ‚Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΌΡƒ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊΡƒ (ΠΎΠ½ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠΆΠ΅Π½ Π½Π° рСзистор 10 кОм) ΠΈ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ Π³ΠΎΠ»ΠΎΠ²Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚Π΅Π»Π΅Ρ„ΠΎΠ½Π° BF1 ΠΏΡ€ΠΎΡΠ»ΡƒΡˆΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ мСстной радиостанции.

УсиливаСмый сигнал поступаСт Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ Π³Π½Π΅Π·Π΄Π° X1, Π₯2, Π° напряТСниС питания (ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ Π²ΠΎ всСх ΠΎΡΡ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… конструкциях этого Π°Π²Ρ‚ΠΎΡ€Π°, ΠΎΠ½ΠΎ составляСт 6 Π’ — Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Π΅ Π³Π°Π»ΡŒΠ²Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΡ… элСмСнта напряТСниСм ΠΏΠΎ 1,5 Π’, соСдинСнных ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ) подаСтся Π½Π° Π³Π½Π΅Π·Π΄Π° Π₯Π—, Π₯4.

Π”Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ R1R2 Π·Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ напряТСниС смСщСния Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ транзистора, Π° рСзистор R3 обСспСчиваСт ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΡƒΡŽ связь ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ способствуСт Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½ΠΎΠΉ стабилизации Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ усили тСля.

Рис. 1. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° однокаскадного усилитСля Π—Π§ Π½Π° транзисторС.

Как происходит стабилизация? ΠŸΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄ воздСйствиСм Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ увСличился Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎ Ρ€Π° транзистора БоотвСтствСнно увСличится ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° рСзисто Ρ€Π΅ R3. Π’ ΠΈΡ‚ΠΎΠ³Π΅ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΡ‚ΡΡ Ρ‚ΠΎΠΊ эмиттС Ρ€Π°, Π° Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚, ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° — ΠΎΠ½ достигнСт ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ значСния.

Нагрузка ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ каскада — Π³ΠΎΠ»ΠΎΠ²Π½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Π»Π΅Ρ„ΠΎΠ½ сопротивлСниСм 60.. 100 Ом. ΠŸΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ усилитСля нСслоТно, Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΠΊΠΎΡΠ½ΡƒΡ‚ΡŒΡΡ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π³Π½Π΅Π·Π΄Π° Π₯1 Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, ΠΏΠΈΠ½Ρ†Π΅Ρ‚ΠΎΠΌ Π² Ρ‚Π΅Π»Π΅Ρ„ΠΎΠ½Π΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΡΠ»ΡƒΡˆΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ слабоС ΠΆΡƒΠΆΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅, ΠΊΠ°ΠΊ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚ Π½Π°Π²ΠΎΠ΄ΠΊΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Π’ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° транзис Ρ‚ΠΎΡ€Π° составляСт ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 3 мА.

Двухкаскадный Π£Π—Π§ Π½Π° транзисторах Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΉ структуры

Он Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ с нСпосрСдствСнной связью ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ каскадами ΠΈ Π³Π»ΡƒΠ±ΠΎΠΊΠΎΠΉ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связью ΠΏΠΎ постоянному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΄Π΅Π»Π°Π΅Ρ‚ Π΅Π³ΠΎ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ нСзависящим ΠΎΡ‚ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ срСды. Основа Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½ΠΎΠΉ стабилизации — рСзистор R4, Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽ Ρ‰ΠΈΠΉ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½ΠΎ рСзистору R3 Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Ρ‹Π΄ΡƒΡ‰Π΅ΠΉ конструкции

Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ «Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉβ€ ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с однокаскадным — коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ достигаСт 20. На Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ Π³Π½Π΅Π·Π΄Π° ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄ΠΎΠΉ Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 30 ΠΌΠ’, ΠΈΠ½Π°Ρ‡Π΅ Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ½ΡƒΡ‚ искаТСния, ΠΏΡ€ΠΎΡΠ»ΡƒΡˆΠΈΠ²Π°Π΅ΠΌΡ‹Π΅ Π² Π³ΠΎΠ»ΠΎΠ²Π½ΠΎΠΌ Ρ‚Π΅Π»Π΅Ρ„ΠΎΠ½Π΅.

ΠŸΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡΡŽΡ‚ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ, ΠΏΡ€ΠΈΠΊΠΎΡΠ½ΡƒΠ²ΡˆΠΈΡΡŒ ΠΏΠΈΠ½Ρ†Π΅Ρ‚ΠΎΠΌ (ΠΈΠ»ΠΈ просто ΠΏΠ°Π»ΡŒΡ†Π΅ΠΌ) Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π³Π½Π΅Π·Π΄Π° Π₯1 — Π² Ρ‚Π΅Π»Π΅Ρ„ΠΎΠ½Π΅ раздастся Π³Ρ€ΠΎΠΌΠΊΠΈΠΉ Π·Π²ΡƒΠΊ. Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ потрСбляСт Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 8 мА.

Рис. 2. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° двухкаскадного усилитСля Π—Π§ Π½Π° транзисторах Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΉ структуры.

Π­Ρ‚Ρƒ ΠΊΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ†ΠΈΡŽ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ для усилСния слабых сигналов Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, ΠΎΡ‚ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΡ„ΠΎΠ½Π°. И ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎ ΠΎΠ½ ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΠΈΡ‚ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚ΡŒ сигнал 34, снимаСмый с Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ Π΄Π΅Ρ‚Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊΠ°.

Двухкаскадный Π£Π—Π§ Π½Π° транзисторах ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ структуры

Π—Π΄Π΅ΡΡŒ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ использована нСпосрСдствСнная связь ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ каскадами, Π½ΠΎ стабилизация Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ нСсколько отличаСтся ΠΎΡ‚ ΠΏΡ€Π΅Π΄Ρ‹Π΄ΡƒΡ‰ΠΈΡ… конструкций.

Допустим, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° транзистора VΠ’1 ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΠ»ΡΡ ПадСниС напряТСния Π½Π° этом транзисторС увСличится Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ ΠΊ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ напряТСния Π½Π° рСзисторС R3, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ эмиттСра транзис Ρ‚ΠΎΡ€Π° VΠ’2.

Благодаря связи транзисторов Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· рСзистор R2, увСличится Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ ΠΊ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ Π΅Π³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°. Π’ ΠΈΡ‚ΠΎΠ³Π΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° этого транзистора Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ скомпСнсировано.

Рис. 3. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° двухкаскадного усилитСля Π—Π§ Π½Π° транзисторах ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ структуры.

Π§ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ усилитСля вСсьма высока — коэффициСнт усилСния достигаСт 100. УсилСниС Π² сильной стСпСни зависит ΠΎΡ‚ Смкости кондСнсатора Π‘2 — Ссли Π΅Π³ΠΎ ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ, усилСниС снизится. Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 2 ΠΌΠ’.

Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ с Π΄Π΅Ρ‚Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊΠΎΠΌ, с элСктрСтным ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΡ„ΠΎΠ½ΠΎΠΌ ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌΠΈ источниками слабого сигнала. Π’ΠΎΠΊ, потрСбляСмый усилитСлСм — ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 2 мА.

Он Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ Π½Π° транзисторах Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΉ структуры ΠΈ ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ усилСниСм ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 10. НаибольшСС Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ 0,1 Π’.

Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ двухкаскадный ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΉ собран Π½Π° транзисторС VΠ’1 Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ — Π½Π° VΠ’2 ΠΈ VΠ’Π— Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΉ структуры. ΠŸΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΉ ΠΊΠ° скад усиливаСт сигнал 34 ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΏΡ€ΠΈΡ‡Π΅ΠΌ ΠΎΠ±Π΅ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠ²ΠΎΠ»Π½Ρ‹ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²ΠΎ. Π’Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ — усиливаСт сигнал ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Π½ΠΎ каскад Π½Π° транзисторС VΠ’2 β€œΡ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚β€ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠ²ΠΎΠ»Π½Π°Ρ…, Π° Π½Π° транзисторС VΠ’Π— — ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ….

Рис. 4. Π”Π²ΡƒΡ…Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ мощности Π—Π§ Π½Π° транзисторах.

Π Π΅ΠΆΠΈΠΌ ΠΏΠΎ постоянному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Π½ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ Ρ‡Ρ‚ΠΎ напряТСниС Π² Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ΅ соСдинСния эмиттСров транзисторов Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ каскада Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ²ΠΈΠ½Π΅ напряТСния источника питания.

Π­Ρ‚ΠΎ достигаСтся Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ рСзистора R2 ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи Π’ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора, протСкая Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π΄ΠΈΠΎΠ΄ VD1, ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ падСнию Π½Π° Π½Π΅ΠΌ напряТСния. ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ являСтся напряТСниСм смСщСния Π½Π° Π±Π°Π·Π°Ρ… Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… транзисторов (ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΈΡ… эмиттСров), — ΠΎΠ½ΠΎ позволяСт ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΡ‚ΡŒ искаТСния усиливаСмого сигнала.

Нагрузка (нСсколько ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… Π³ΠΎΠ»ΠΎΠ²Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚Π΅Π»Π΅Ρ„ΠΎΠ½ΠΎΠ² Π»ΠΈΠ±ΠΎ динамичСская Π³ΠΎΠ»ΠΎΠ²ΠΊΠ°) ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π° ΠΊ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŽ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· оксидный кондСнсатор Π‘2.

Если ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° Π΄ΠΈΠ½Π°ΠΌΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΡƒΡŽ Π³ΠΎΠ»ΠΎΠ²ΠΊΡƒ (сопротивлСниСм 8 -.10 Ом), Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ этого кондСнсатора Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° Π±Ρ‹ ь ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΡƒΠΌ Π²Π΄Π²ΠΎΠ΅ большС ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅ Π½Π° ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ³ΠΎ каскада — рСзистора R4 Π•Π³ΠΎ Π²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΈΠΉ ΠΏΠΎ схСмС Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ соСдинСн Π½Π΅ с плюсом питания, ΠΊΠ°ΠΊ это ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ дСлаСтся, Π° с Π½ΠΈΠΆΠ½ΠΈΠΌ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ.

Π­Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊ называСмая Ρ†Π΅ΠΏΡŒ Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠ±Π°Π²ΠΊΠΈ, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ Π² Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΡƒΡŽ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… транзисторов поступаСт нСбольшоС Π½Π° пряТСниС Π—Π§ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи, Π²Ρ‹Ρ€Π°Π²Π½ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ условия Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзисторов.

Π”Π²ΡƒΡ…ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅Π²Ρ‹ΠΉ ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ напряТСния

Π’Π°ΠΊΠΎΠ΅ устройство ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ. Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, для ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΠΈ β€œΠΈΡΡ‚ΠΎΡ‰Π΅Π½ΠΈΡβ€ Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΈ питания Π»ΠΈΠ±ΠΎ ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΠΈ уровня воспроизводимого сигнала Π² Π±Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎΠΌ ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚ΠΎΡ„ΠΎΠ½Π΅. ΠœΠ°ΠΊΠ΅Ρ‚ ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π° ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΠΈΡ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄Π΅ΠΌΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Π΅Π³ΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹.

Рис. 5. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° Π΄Π²ΡƒΡ…ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π° напряТСния.

Π’ Π½ΠΈΠΆΠ½Π΅ΠΌ ΠΏΠΎ схСмС ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ Π΄Π²ΠΈΠΆΠΊΠ° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ рСзистора R1 ΠΎΠ±Π° транзистора Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹, свСтодиоды HL1, HL2 ΠΏΠΎΠ³Π°ΡˆΠ΅Π½Ρ‹. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠΈ двиТкарСзистора Π²Π²Π΅Ρ€Ρ…, напряТСниС Π½Π° Π½Π΅ΠΌ увСличиваСтся. Когда ΠΎΠ½ΠΎ достигнСт напряТСния открывания транзистора VΠ’1 вспыхнСт свСтодиод HL1

Если ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Ρ‰Π°Ρ‚ΡŒ Π΄Π²ΠΈΠΆΠΎΠΊ. наступит ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° вслСд Π·Π° Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠΌ VD1 откроСтся транзистор VΠ’2. ВспыхнСт ΠΈ свСтодиод HL2. Π˜Π½Ρ‹ΠΌΠΈ словами, ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ΅ напряТСниС Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π° Π²Ρ‹Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ свСчСниС Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ свСтодиода HL1 Π° большСС ΠΎΠ±ΠΎΠΈΡ… свСтодиодов.

Плавно ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Ρ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ рСзистором, Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΠΌ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Π½Π°Ρ‡Π°Π»Π΅ гаснСт свСтодиод HL2, Π° Π·Π°Ρ‚Π΅ΠΌ — HL1. Π―Ρ€ΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ свСтодиодов зависит ΠΎΡ‚ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… рСзисторов R3 ΠΈ R6 ΠΏΡ€ΠΈ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΈΡ… сопротивлСний ΡΡ€ΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠ°Π΄Π°Π΅Ρ‚.

Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ ΠΊ Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ устройству, Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΡ‚ΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ‚ΡŒ Π²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΈΠΉ ΠΏΠΎ схСмС Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ рСзистора ΠΎΡ‚ плюсового ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π° источника питания ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠ΅ напряТСниС Π½Π° ΠΊΡ€Π°ΠΉΠ½ΠΈΠ΅ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ этого рСзистора. ΠŸΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π΅Π³ΠΎ Π΄Π²ΠΈΠΆΠΊΠ° ΠΏΠΎΠ΄Π±ΠΈΡ€Π°ΡŽΡ‚ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ срабатывания ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π°.

ΠŸΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ напряТСния источника питания допустимо ΡƒΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π° мСстС HL2 свСтодиод Π·Π΅Π»Π΅Π½ΠΎΠ³ΠΎ свСчСния АЛ307Π“.

Он Π²Ρ‹Π΄Π°Π΅Ρ‚ свСтовыС сигналы ΠΏΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΡƒ мСньшС Π½ΠΎΡ€ΠΌΡ‹ — Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ° — большС Π½ΠΎΡ€ΠΌΡ‹. Для этого Π² ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹ Π΄Π²Π° свСтодиода красно Π³ΠΎ свСчСния ΠΈ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ — Π·Π΅Π»Π΅Π½ΠΎΠ³ΠΎ.

Рис. 6. Π’Ρ€Π΅Ρ…ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅Π²Ρ‹ΠΉ ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ напряТСния.

ΠŸΡ€ΠΈ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ напряТСнии Π½Π° Π΄Π²ΠΈΠΆΠΊΠ΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ рСзистора R1 (напряТСниС Π² Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ΅) ΠΎΠ±Π° транзистора Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ ΠΈ (Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚) Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π·Π΅Π»Π΅Π½Ρ‹ΠΉ свСтодиод HL3. ΠŸΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π΄Π²ΠΈΠΆΠΊΠ° рСзистора Π²Π²Π΅Ρ€Ρ… ΠΏΠΎ схСмС ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ напряТСния (большС Π½ΠΎΡ€ΠΌΡ‹) Π½Π° Π½Π΅ΠΌ открываСтся транзистор VΠ’1.

Π‘Π²Π΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΈΠΎΠ΄ HL3 гаснСт, Π° HL1 заТигаСтся. Если Π΄Π²ΠΈΠΆΠΎΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Ρ‰Π°Ρ‚ΡŒ Π²Π½ΠΈΠ· ΠΈ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Ρ‚ΡŒ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ напряТСниС Π½Π° Π½Π΅ΠΌ (β€˜ΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅ нормы”) транзистор VΠ’1 закроСтся, Π° VΠ’2 откроСтся. Π‘ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π½Π°Π±Π»ΡŽΠ΄Π°Ρ‚ΡŒΡΡ такая ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½Π°: Π²Π½Π°Ρ‡Π°Π»Π΅ погаснСт свСтодиод HL1, Π·Π°Ρ‚Π΅ΠΌ заТТСтся ΠΈ вскорС погаснСт HL3 ΠΈ Π² Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ вспыхнСт HL2.

Из-Π·Π° Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΉ Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π° получаСтся ΠΏΠ»Π°Π²Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΎΡ‚ погасания ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ свСтодиода ΠΊ заТиганию Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠ³ΠΎ Π΅Ρ‰Π΅ Π½Π΅ погас ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, HL1, Π° ΡƒΠΆΠ΅ заТигаСтся HL3.

Π’Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€ Π¨ΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π°

Как извСстно это устройство ис ΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ для прСобразования ΠΌΠ΅Π΄Π»Π΅Π½Π½ΠΎ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎΡΡ напряТСния Π² сигнал ΠΏΡ€ΡΠΌΠΎΡƒΠ³ΠΎΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡ‹ΠšΠΎΠ³Π΄Π° Π΄Π²ΠΈΠΆΠΎΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ рСзистора R1 находится Π² Π½ΠΈΠΆΠ½Π΅ΠΌ ΠΏΠΎ схСмС ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ транзистор VΠ’1 Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚.

НапряТСниС Π½Π° Π΅Π³ΠΎ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅ высокоС, Π² Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ транзистор VΠ’2 оказываСтся ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ Π° Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚, свСтодиод HL1 Π·Π°ΠΆΠΆΠ΅Π½ На рСзисторС R3 образуСтся ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния.

Рис. 7. ΠŸΡ€ΠΎΡΡ‚ΠΎΠΉ Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€ Π¨ΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π° Π½Π° Π΄Π²ΡƒΡ… транзисторах.

МСдлСнно пСрСмСщая Π΄Π²ΠΈΠΆΠΎΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ рСзистора Π²Π²Π΅Ρ€Ρ… ΠΏΠΎ схСмС, удастся Π΄ΠΎΡΡ‚ΠΈΡ‡ΡŒ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π° ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·ΠΎΠΉΠ΄Π΅Ρ‚ скачкообразноС ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Π½ΠΈΠ΅ транзистора VΠ’1 ΠΈ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Π½ΠΈΠ΅ VΠ’2 Π­Ρ‚ΠΎ случится ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ напряТСния Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ VΠ’1 падСния напряТСния Π½Π° рСзисторС R3.

Π‘Π²Π΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΈΠΎΠ΄ погаснСт. Если послС этого ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Ρ‰Π°Ρ‚ΡŒ Π΄Π²ΠΈΠΆΠΎΠΊ Π²Π½ΠΈΠ· Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€ возвратится Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ — вспыхнСт свСтодиод Π­Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·ΠΎΠΉΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΈ напряТСнии Π½Π° Π΄Π²ΠΈΠΆΠΊΠ΅ мСньшСм Ρ‡Π΅ΠΌ напряТСниС Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ свСтодиода.

Π–Π΄ΡƒΡ‰ΠΈΠΉ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠ²ΠΈΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€

Π’Π°ΠΊΠΎΠ΅ устройство ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌ устойчивым состояниСм ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Π² Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡Π΅ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала ΠŸΡ€ΠΈ этом ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠ²ΠΈΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡ своСй Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ нСзависимо ΠΎΡ‚ Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ. УбСдимся Π² этом провСдя экспСримСнт с ΠΌΠ°ΠΊΠ΅Ρ‚ΠΎΠΌ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π»Π°Π³Π°Π΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ устройства.

Рис. 8. ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ схСма ΠΆΠ΄ΡƒΡ‰Π΅Π³ΠΎ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠ²ΠΈΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°.

Π’ исходном состоянии транзистор VΠ’2 ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚, свСтодиод HL1 свСтится. Достаточно Ρ‚Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ ΠΊΡ€Π°Ρ‚ΠΊΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ Π·Π°ΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚ΡŒ Π³Π½Π΅Π·Π΄Π° Π₯1 ΠΈ Π₯2 Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· кондСнсатор Π‘1 ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Π» транзистор VΠ’1. НапряТСниС Π½Π° Π΅Π³ΠΎ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅ снизится ΠΈ кондСнсатор Π‘2 окаТСтся ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΊ Π±Π°Π·Π΅ транзистора VΠ’2 Π² Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ полярности, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚ΠΎΡ‚ закроСтся. Π‘Π²Π΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΈΠΎΠ΄ погаснСт.

ΠšΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ Π½Π°Ρ‡Π½Π΅Ρ‚ Ρ€Π°Π·Ρ€ΡΠΆΠ°Ρ‚ΡŒΡΡ Ρ‚ΠΎΠΊ разрядки ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· рСзистор R5, удСрТивая транзистор VΠ’2 Π² Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠΌ состоянии Как Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ кондСнсатор разрядится, транзистор VΠ’2 вновь откроСтся ΠΈ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠ²ΠΈΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΉΠ΄Π΅Ρ‚ снова Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ оТидания.

Π”Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠ²ΠΈΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ° (ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ нахоТдСния Π² нСустойчивом состоянии) Π½Π΅ зависит ΠΎΡ‚ Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ Π·Π°ΠΏΡƒΡΠΊΠ°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ, Π° опрСдСляСтся сопротивлСниСм рСзистора R5 ΠΈ Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ кондСнсатора Π‘2.

Если ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π‘2 кондСнсатор Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ ΠΆΠ΅ Смкости, свСтодиод Π²Π΄Π²ΠΎΠ΅ дольшС Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΡΡ‚Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π² погашСнном состоянии.

И. Π‘ΠΎΠΊΠΎΠΌΡ‡Π΅Π². Π -06-2000.

Π”ΠΎΠ±Ρ€ΠΎΠ³ΠΎ дня ΡƒΠ²Π°ΠΆΠ°Π΅ΠΌΡ‹Π΅ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠ»ΡŽΠ±ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ!
ΠŸΡ€ΠΈΠ²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽ вас Π½Π° сайтС β€œ β€œ

На этом занятии Π¨ΠΊΠΎΠ»Ρ‹ Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠ»ΡŽΠ±ΠΈΡ‚Π΅Π»Ρ
ΠΌΡ‹ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΠΆΠΈΠΌ ΠΈΠ·ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²
. На ΠΏΡ€ΠΎΡˆΠ»ΠΎΠΌ занятии ΠΌΡ‹ рассматривали Π΄ΠΈΠΎΠ΄Ρ‹
, Π° Π½Π° этом занятии рассмотрим Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ слоТный ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ элСмСнт – транзисторы
.

Вранзистор
являСтся Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ слоТной ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ структурой, Ρ‡Π΅ΠΌ Π΄ΠΈΠΎΠ΄
. Он состоит ΠΈΠ· Ρ‚Ρ€Π΅Ρ… слоСв крСмния (Π±Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ Π΅Ρ‰Π΅ ΠΈ Π³Π΅Ρ€ΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы) с Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ структуры Ρ‚ΠΈΠΏΠ° n-p-n ΠΈΠ»ΠΈ p-n-p. Π€ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ транзисторов, Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ², основываСтся Π½Π° свойствах p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ².

Π¦Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ, ΠΈΠ»ΠΈ срСдний слой, Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ
(Π‘), Π° Π΄Π²Π° Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… соотвСтствСнно – эмиттСр
(Π­) ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€
(К). Π‘Π»Π΅Π΄ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ сущСствСнной Ρ€Π°Π·Π½ΠΈΡ†Ρ‹ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ двумя Ρ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΌΠΈ транзисторов Π½Π΅Ρ‚, ΠΈ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΠ΅ схСмы ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ собраны с Ρ‚Π΅ΠΌ ΠΈΠ»ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌ Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠΌ, ΠΏΡ€ΠΈ соблюдСнии ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ полярности источника питания. На рисункС Π½ΠΈΠΆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΎ схСмноС ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ транзисторов, транзистор p-n-p отличаСтся ΠΎΡ‚ транзистора n-p-n Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ стрСлки эмиттСра:

Π’Ρ‹Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ Π΄Π²Π° основных Ρ‚ΠΈΠΏΠ° транзисторов
: биполярныС
ΠΈ униполярныС
, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΠΎ конструктивным особСнностям. Π’ Ρ€Π°ΠΌΠΊΠ°Ρ… ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° сущСствуСт ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ разновидностСй. Π“Π»Π°Π²Π½ΠΎΠ΅ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ этих Π΄Π²ΡƒΡ… Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² транзисторов Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ процСссами, происходящими Π² Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°, Π² биполярном транзисторС осущСствляСтся Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ, Π° Π² униполярном транзисторС – Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ напряТСниСм.

БиполярныС транзисторы
, ΠΊΠ°ΠΊ ΡƒΠΆΠ΅ Π³ΠΎΠ²ΠΎΡ€ΠΈΠ»ΠΎΡΡŒ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅, ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ собой слоСнный ΠΏΠΈΡ€ΠΎΠ³ ΠΈΠ· Ρ‚Ρ€Π΅Ρ… слоСв. Π’ ΡƒΠΏΡ€ΠΎΡ‰Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ Π²ΠΈΠ΄Π΅ транзистор ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ Π΄Π²Π° встрСчно Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ²:

(ΠΏΡ€ΠΈ этом, слСдуСт ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π±Π°Π·Π° – эмиттСр прСдставляСт собой ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½Ρ‹ΠΉ стабилитрон, напряТСниС стабилизации ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ 7…10 Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚). Π˜ΡΠΏΡ€Π°Π²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ транзистора ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ ΠΈΡΠΏΡ€Π°Π²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°, ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½Ρ‹ΠΌ ΠΎΠΌΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ, измСряя сопротивлСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π΅Π³ΠΎ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ. ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹, Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰ΠΈΠΌΡΡ Π² Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π΅, ΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ Π² транзисторС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ эмиттСром. На ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠ΅ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ способ для ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ транзисторов ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ часто. Если ΠΎΠΌΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΌ ΠΈ эмиттСрным Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ, ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΎΠΊΠ°ΠΆΠ΅Ρ‚ Ρ€Π°Π·Ρ€Ρ‹Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ (ΠΏΡ€ΠΈ исправном транзисторС), Ρ‡Ρ‚ΠΎ СстСствСнно Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Ρ‹ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Ρ‹ встрСчно. А это ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ любой полярности ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΈΠ· Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ² Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ Π² прямом Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ, Π° Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ Π² ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ, поэтому Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚.

ОбъСдинСниС Π΄Π²ΡƒΡ… ΠΏΠ°Ρ€ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ²
ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΡΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΡŽ Ρ‡Ρ€Π΅Π·Π²Ρ‹Ρ‡Π°ΠΉΠ½ΠΎ интСрСсного свойства, ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ транзисторным эффСктом
. Если ΠΊ транзистору ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚ΡŒ напряТСниС, Ρ‚ΠΎΠΊΠ° практичСски Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ (ΠΎ Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΈ Π³ΠΎΠ²ΠΎΡ€ΠΈΠ»ΠΎΡΡŒ Ρ‡ΡƒΡ‚ΡŒ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅). Если ΠΆΠ΅ произвСсти ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π² соотвСтствии со схСмой (ΠΊΠ°ΠΊ Π½Π° рисункС Π½ΠΈΠΆΠ΅), Π³Π΄Π΅ Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ сопротивлСниС (Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π½Π΅ ΠΏΠΎΠ²Ρ€Π΅Π΄ΠΈΡ‚ΡŒ транзистор) подаСтся напряТСниС, Ρ‚ΠΎ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΡΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‡Π΅ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Ρ‚ΠΎΠΆΠ΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ.

Π‘ ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π° ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² Π±Π°Π·Ρ‹, ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ эмиттСра. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ простым способом. Если ΡΠΎΡ…Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‚ΡŒ напряТСниС питания, ΠΊ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Ρƒ Π½Π° ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ 4,5 Π’, ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΠΈΠ² Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ сопротивлСния Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π±Π°Π·Ρ‹ с R Π΄ΠΎ R/2, Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ удвоится, ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎ увСличится ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, ΠΊ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Ρƒ:

Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠΏΡ€ΠΈ любом напряТСниС Π½Π° сопротивлСниС R, Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π² 99 Ρ€Π°Π· большС Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹, Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ транзистор
ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ
Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹ΠΉ 99. Π”Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌΠΈ словами, транзистор усиливаСт Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ Π² 99 Ρ€Π°Π·. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ коэффициСнт ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°ΡŽΡ‚ Π±ΡƒΠΊΠ²ΠΎΠΉ ?
. ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния Ρ€Π°Π²Π΅Π½ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΊ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Π±Π°Π·Ρ‹
:

? = IΠΊ/IΠ±

На Π±Π°Π·Ρƒ транзистора ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС. Но, Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ транзистор Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π» Π² Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅
. Для Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ функционирования Π² Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ транзистору слСдуСт ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ постоянноС напряТСниС смСщСния ΠΈ подвСсти ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ ΠΎΠ½ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ транзисторы ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ слабыС напряТСния, ΠΏΠΎΡΡ‚ΡƒΠΏΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΊ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Ρƒ с ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΡ„ΠΎΠ½Π°, Π΄ΠΎ уровня, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ способСн привСсти Π² дСйствиС Π³Ρ€ΠΎΠΌΠΊΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ. Если коэффициСнт усилСния Π½Π΅ достаточСн, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ нСсколько транзисторов ΠΈΠ»ΠΈ ΠΈΡ… ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… каскадов. Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈ соСдинСнии каскадов Π½Π΅ Π½Π°Ρ€ΡƒΡˆΠ°Ρ‚ΡŒ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠΎΠ² Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠ· Π½ΠΈΡ… ΠΏΠΎ постоянному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ (ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… обСспСчиваСтся Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ), ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ кондСнсаторы. БиполярныС транзисторы ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°ΡŽΡ‚ элСктричСскими характСристиками, ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ ΠΈΠΌ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ прСимущСства ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌΠΈ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Π°ΠΌΠΈ.

Как ΠΌΡ‹ ΡƒΠΆΠ΅ Π·Π½Π°Π΅ΠΌ, ΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ Π΅Ρ‰Π΅ (ΠΊΡ€ΠΎΠΌΠ΅ биполярных) ΠΈ униполярныС транзисторы
. ΠšΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎ рассмотрим Π΄Π²Π° ΠΈΡ… Π½ΠΈΡ… – ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅
ΠΈ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅
транзисторы. Как ΠΈ биполярныС ΠΎΠ½ΠΈ Π±Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ Π΄Π²ΡƒΡ… Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² ΠΈ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ ΠΏΠΎ Ρ‚Ρ€ΠΈ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°:

Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ: Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€
– Π—, сток
– Π‘, ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρƒ ΠΈ исток
– И, отоТдСствляСмый с эмиттСром. ΠŸΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы с n- ΠΈ p- ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΡŽ стрСлки Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°. ΠžΠ΄Π½ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ транзисторы, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΈΠ½ΠΎΠ³Π΄Π° Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ Π΄Π²ΡƒΡ…Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌΠΈ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ, Π² основном ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² схСмах Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Ρ… пСриодичСских сигналов.

Π˜ΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ΡΡ Ρ‚Ρ€ΠΈ Ρ„ΡƒΠ½Π΄Π°ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… схСмы Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ транзисторов Π² ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ каскадС:

?

с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром
(Π°)

?

с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ
(Π±)

?

с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ
(Π²)

Биполярный транзистор, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎ схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром
, Π² зависимости ΠΎΡ‚ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСния источника питания R1 ΠΈ сопротивлСния Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ RΠ½ усиливаСт Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал ΠΈ ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ, ΠΈ ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ. ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния биполярного транзистора обозначаСтся ΠΊΠ°ΠΊ
h31э
(читаСтся: аш-Π΄Π²Π°-ΠΎΠ΄ΠΈΠ½-э, Π³Π΄Π΅ э – схСма с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром), ΠΈ Ρƒ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ транзистора ΠΎΠ½ Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹ΠΉ. Π’Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° коэффициСнта h31э (Π΅Π³ΠΎ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠ΅ Π½Π°Π·Π²Π°Π½ΠΈΠ΅ – статичСский коэффициСнт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ h31э
) зависит Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Ρ‹ Π±Π°Π·Ρ‹ транзистора (Π΅Π΅ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ нСльзя) ΠΈ ΠΎΡ‚ напряТСния ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром, поэтому ΠΏΡ€ΠΈ нСбольшом напряТСнии (ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 20 Π’) Π΅Π³ΠΎ коэффициСнт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΈ любом Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° практичСски Π½Π΅ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ ΠΈ Π½Π΅Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ увСличиваСтся ΠΏΡ€ΠΈ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ напряТСния Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅.

ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ
– ΠšΡƒΡ.i
ΠΈ коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ
– ΠšΡƒΡ.u
биполярного транзистора, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎ схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром, зависит ΠΎΡ‚ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ сопротивлСния Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ (Π½Π° схСмС ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΎ ΠΊΠ°ΠΊ RΠ½) ΠΈ источника сигнала (Π½Π° схСмС ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΎ ΠΊΠ°ΠΊ R1). Если сопротивлСниС источника сигнала Π² h31э
Ρ€Π°Π·Π° мСньшС сопротивлСния Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ, Ρ‚ΠΎ коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ Ρ‡ΡƒΡ‚ΡŒ мСньшС Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Ρ‹ (0,95…0,99), Π° коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Ρ€Π°Π²Π΅Π½ h31э.
Когда сопротивлСниС источника сигнала Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ‡Π΅ΠΌ Π² h31э
Ρ€Π°Π·Π° мСньшС сопротивлСния Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ, Ρ‚ΠΎ коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ остаСтся Π½Π΅ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ (Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹ΠΌ h31э
), Π° коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ. Если ΠΆΠ΅, Π½Π°ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΠΎΡ‚, Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‚ΠΎ коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ становится большС Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Ρ‹, Π° коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π±Π°Π·Π°-эмиттСр транзистора Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, Π½Π΅ измСняСтся. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром – СдинствСнная схСма Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ биполярного транзистора, которая Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ ограничСния Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ (ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ) Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. МоТно ΡΠ΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ нСсколько Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ²:
– Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ транзистора Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ, ΠΈΠ½Π°Ρ‡Π΅ сгорит ΠΈΠ»ΠΈ транзистор, ΠΈΠ»ΠΈ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π°Ρ ΠΈΠΌ схСма; – с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ транзистора, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎ схСмС ОЭ, ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Π»Π΅Π³ΠΊΠΎ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½ΠΎΠΉ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΎΠΉ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½Ρ‹ΠΌ источником сигнала. Π§Π΅Ρ€Π΅Π· Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ, Π° ΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΡ€ΠΈ напряТСнии Π±Π°Π·Π°-эмиттСр всСго 0,8…1,5 Π’. Если Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Π° (напряТСниС) большС этого значСния – Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΡΡ‚Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ транзистора ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅ΠΉ схСмы Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ рСзистор (R1). Π Π°ΡΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Π³ΠΎ сопротивлСниС ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Π°ΠΌ:

Ir1=Irн/h31э
R1=Uупр/Ir1
Π³Π΄Π΅:

IrΠ½
– Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΡƒ, А; UΡƒΠΏΡ€
– напряТСниС источника сигнала, Π’; R1
– сопротивлСниС рСзистора, Ом.

Π•Ρ‰Π΅ ΠΎΠ΄Π½Π° ΠΎΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ схСмы с ОЭ – ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр транзистора ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ практичСски ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΡ‚ΡŒ Π΄ΠΎ нуля. Но для этого Π½Π°Π΄ΠΎ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½Π΅ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Π²Ρ‹Π³ΠΎΠ΄Π½ΠΎ. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзисторов ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π² ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Ρ…, Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… схСмах.

Вранзистор
, Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π² схСмС усилитСля Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ сигнала
, Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ΅ усилСниС сигналов с Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΉ Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄ΠΎΠΉ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ β€œΡΡ€Π΅Π΄Π½Π΅Π³ΠΎβ€ напряТСния. Для этого Π΅Π³ΠΎ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ Π½Π΅ΠΌΠ½ΠΎΠΆΠΊΠΎ β€œΠΏΡ€ΠΈΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΡŒβ€, ΠΏΠΎΡΡ‚Π°Ρ€Π°Π²ΡˆΠΈΡΡŒ Π½Π΅ β€œΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π±ΠΎΡ€Ρ‰ΠΈΡ‚ΡŒβ€. Как Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ ΠΈΠ· рисунка Π½ΠΈΠΆΠ΅ (Π»Π΅Π²Ρ‹ΠΉ):

Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° транзисторС ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠ»Π°Π²Π½ΠΎΠΌ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ Π²Π½Π°Ρ‡Π°Π»Π΅ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈ Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎ
, ΠΈ лишь ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌ, с наступлСниСм насыщСния
транзистора, ΠΏΡ€ΠΈΠΆΠΈΠΌΠ°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΊ осям Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΠ°. Нас ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Π΅ΡΡƒΡŽΡ‚ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ прямыС части Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΉ (Π΄ΠΎ насыщСния) – ΠΎΡ‡Π΅Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ½ΠΈ ΡΠΈΠΌΠ²ΠΎΠ»ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠ΅ усилСниС сигнала, Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² нСсколько Ρ€Π°Π· Π²ΠΎ ΡΡ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΆΠ΅ Ρ€Π°Π· измСнится ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (напряТСниС Π² Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅).

Π€ΠΎΡ€ΠΌΠ° Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ сигнала ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° Π½Π° рисункС Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ (справа)
. Как Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ ΠΈΠ· Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΠ°, Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Π° сигнала постоянно ΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π½Π΅ΠΊΠΎΠ΅Π³ΠΎ срСднСго напряТСния Uср, ΠΏΡ€ΠΈΡ‡Π΅ΠΌ ΠΎΠ½Π° ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΊΠ°ΠΊ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Ρ‚ΡŒΡΡ. Но биполярный транзистор Ρ€Π΅Π°Π³ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π½Π° ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния (Π²Π΅Ρ€Π½Π΅Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°). Π’Ρ‹Π²ΠΎΠ΄: Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΡΠ΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚Π°ΠΊ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ транзистор Π΄Π°ΠΆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈ минимальной Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Π΅ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала Π±Ρ‹Π» Π½Π΅ΠΌΠ½ΠΎΠΆΠΊΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚. ΠŸΡ€ΠΈ срСднСй Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Π΅ Uср ΠΎΠ½ откроСтся Ρ‡ΡƒΡ‚ΡŒ сильнСС, Π° ΠΏΡ€ΠΈ максимальной Umax откроСтся максимально. Но ΠΏΡ€ΠΈ этом ΠΎΠ½ Π½Π΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ насыщСния (см.рис. Π²Ρ‹ΡˆΠ΅) – Π² этом Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ пСрСстаСт Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎ Π·Π°Π²ΠΈΡΠ΅Ρ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ, Π² слСдствии Ρ‡Π΅Π³ΠΎ происходит сильноС искаТСниС сигнала.

ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΠΌΡΡ снова ΠΊ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ΅ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ сигнала. Π’Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ максимальная ΠΈ минимальная Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Ρ‹ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ срСднСй ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²Ρ‹ ΠΏΠΎ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π΅ (ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ½Ρ‹ ΠΏΠΎ Π·Π½Π°ΠΊΡƒ), Ρ‚ΠΎ Π½Π°ΠΌ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ транзистора Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ постоянный Ρ‚ΠΎΠΊ (Ρ‚ΠΎΠΊ смСщСния – Iсм), Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈ β€œΡΡ€Π΅Π΄Π½Π΅ΠΌβ€ напряТСнии Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ транзистор Π±Ρ‹Π» ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ Ρ€ΠΎΠ²Π½ΠΎ Π½Π°ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ²ΠΈΠ½Ρƒ. Π’ΠΎΠ³Π΄Π° ΠΏΡ€ΠΈ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° транзистор Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Ρ‚ΡΡ, Π° ΠΏΡ€ΠΈ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΎΠ½ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π΅Ρ‰Π΅ сильнСС.

Π‘Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Π’Π’Π›-схСмы с рСзистором Π² ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° Π˜β€”ΠΠ• с трСмя состояниями

Π‘Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Π’Π’Π›-схСмы
ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Π΄Π²Π° Π²ΠΈΠ΄Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ² (рис. 1): с рСзистором Π² ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ
транзистора ΠΈ с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ. Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ, Π²ΠΎ-ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹Ρ…,
позволяСт ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ², Ρ‡Ρ‚ΠΎ обСспСчиваСт логичСскоС слоТСниС
Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ схСм ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡Π΅ напряТСния питания Π½Π° Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡƒ соСдинСнных
вмСстС Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ² Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· рСзистор ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ сопротивлСния, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ зависит
ΠΎΡ‚ числа соСдинСнных Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ² ΠΈ числа ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΊ Π½ΠΈΠΌ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ² ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ…
элСмСнтов. Π’ΠΎ-Π²Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ…, Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ
ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π’Π’Π›-схСмы Π² качСствС усилитСлСй ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΠΈ.

Рис. 1 Π‘Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅
Π’Π’Π›-схСмы с рСзистором Π² ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора (Π°), с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ
ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ (Π²) ΠΈ ΠΈΡ… условныС обозначСния (Π±, Π³)

Основной ΠΎΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ элСмСнтов
Π’Π’Π› являСтся использованиС Π² Π½ΠΈΡ… многоэмиттСрных транзисторов (МЭВ). Если Π½Π°
всС Π²Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ МЭВ VT1 ΠΏΠΎΠ΄Π°Π½Ρ‹ напряТСния, ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½ΡŽ логичСской
Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Ρ‹, Ρ‚ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· рСзистор R1 Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ Π² Π±Π°Π·Ρƒ транзистора VT2, Π°
Π·Π°Ρ‚Π΅ΠΌ усилСнный Ρ‚ΠΎΠΊ с эмиттСра VT2 поступаСт Π² Π±Π°Π·Ρƒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ
транзистора VT4, открывая Π΅Π³ΠΎ; ΠΏΡ€ΠΈ этом транзистор VT3 Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚
Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ ΠΈ напряТСниС Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Ρƒ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½ΡŽ логичСского нуля.
Если хотя Π±Ρ‹ Π½Π° ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ МЭВ появится Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС, ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π΅
ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½ΡŽ логичСского нуля, Ρ‚ΠΎ откроСтся ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ база—эмиттСр, МЭВ
ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΉΠ΄Π΅Ρ‚ Π² состояниС насыщСния ΠΈ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π» Π΅Π³ΠΎ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° станСт Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ ΠΊ
Π½ΡƒΠ»ΡŽ. Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, VT2 закроСтся, VT3 откроСтся, Π° Π½Π°
Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Ρƒ схСмы установится напряТСниС, ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π΅ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½ΡŽ логичСской
Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Ρ‹Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β 

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° Π½Π° рис. 1, Π½Π° транзисторах VT2β€”VT4 Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Π½
слоТный ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€, ΠΎΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΡŽ «НЕ», Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΠΈΠ»ΠΎ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΡƒΡŽ
Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΎΡ‡Π½ΡƒΡŽ ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, достаточноС быстродСйствиС ΠΈ ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ…ΠΎΡƒΡΡ‚ΠΎΠΉΡ‡ΠΈΠ²ΠΎΡΡ‚ΡŒ схСмы,
ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ Ρ‚ΠΎΠΊ Π² Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π² Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠΌ состоянии схСмы создаСтся ΠΌΠ°Π»Ρ‹ΠΌ
Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ сопротивлСниСм эмиттСрного повторитСля, собранного Π½Π° транзисторС VT3, Π° Π²
ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠΌ состоянии Ρ‚ΠΎΠΊ, ΠΏΠΎΡΡ‚ΡƒΠΏΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π² схСму, обСспСчиваСтся ΠΌΠ°Π»Ρ‹ΠΌ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ
сопротивлСниСм ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ транзистора VT4.

Рис   2 Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ°Β Β  Π˜β€”ΠΠ•Β Β  с  
трСмя состояниями   (Π°)

ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ рассмотрСнных Π’Π’Π›-схСм,
Π²Ρ‹ΠΏΡƒΡΠΊΠ°ΡŽΡ‚ΡΡ схСмы с трСмя состояниями для обСспСчСния совмСстной Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ с
линиями магистралСй (рис. 2). НазваниС этих схСм ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ввСсти Π² Π·Π°Π±Π»ΡƒΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠ΅,
Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ Π½Π° самом Π΄Π΅Π»Π΅ ΠΎΠ½ΠΈ Π½Π΅ ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ логичСскими элСмСнтами с трСмя уровнями
напряТСний. Π­Ρ‚ΠΎ самыС ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½Ρ‹Π΅ логичСскиС схСмы, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Ρ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒΠ΅ состояниС
Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° β€” Β«ΠΎΠ±Ρ€Ρ‹Π²Β». Они ΡΠΎΠ²ΠΌΠ΅Ρ‰Π°ΡŽΡ‚ Π² сСбС всС прСимущСства элСмСнтов с рСзистором
Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ ΠΈ ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° ΠΎΠ±Ρ‰ΡƒΡŽ ΡˆΠΈΠ½Ρƒ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ схСма с
ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΡ‹ с трСмя состояниями ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π·Π°ΠΏΠΈΡ€Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ
Π²Ρ…ΠΎΠ΄ Π‘, с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ ΠΎΠ½ΠΈ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΡƒΡΡ‚Π°Π½Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π² Ρ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒΠ΅ состояниС
нСзависимо ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΊΠ°ΠΊΠΈΠ΅ сигналы Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ Π½Π° логичСских Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π°Ρ… Π’Π²ΠΈΠ΄Ρƒ
ΡƒΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅Π½Π½Ρ‹Ρ… характСристик ΠΈΡ… ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ Π² качСствС ΡˆΠΈΠ½Π½Ρ‹Ρ… Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ
вмСсто схСм с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ. Π£ΡΡ‚Π°Π½Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ рСзистор Π² этом
случаС Π½Π΅ трСбуСтся.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ°, изобраТСнная Π½Π° рис. 2, Π°,
Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΡŽ Π˜β€”ΠΠ• ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ. Для управлСния
транзисторами VT3 ΠΈ VT4 Ρ‚ΡƒΡ‚ Π²Π²Π΅Π΄Π΅Π½Π° Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π°Ρ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ,
которая называСтся ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ (Π²Ρ…ΠΎΠ΄ Π‘). Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π΄ΠΈΠΎΠ΄ VD2 ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½
ΠΊ Π±Π°Π·Π΅ транзистора VT3, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΊ эмиттСру МЭВ VT1.

Когда Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄ Π‘ поступаСт
напряТСниС, ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π΅ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½ΡŽ логичСского нуля, транзисторы VT3 ΠΈ VT4 Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹
(VT3 Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½Π° Π΅Π³ΠΎ Π±Π°Π·Π΅ Π² этом случаС Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»,
a VT4 ΠΈΠ·-Π·Π°
Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½Π° эмиттСр VT1 ΠΏΠΎΠ΄Π°Π½ логичСский Π½ΡƒΠ»ΡŒ). Если Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄-Π‘
ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‚ΡŒ высокий ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π», Ρ‚ΠΎ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ VD2 Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ ΠΈ транзистор VT3 Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚
Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ Π² ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎΠΉ Π’Π’Π›-схСмС. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄ Π‘ ΠΏΠΎΠ΄Π°Π½ высокий
ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π», состояниС схСмы Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡ‚ΡŒΡΡ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ ΠΈ ΠΎΠ½Π° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚
ΠΊΠ°ΠΊ обычная Π’Π’Π›-схСма, Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΡƒΡŽΡ‰Π°Ρ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΡŽ Π˜β€”ΠΠ•.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΡ‹ повторСния ΠΈ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅
ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ слуТат для ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡ΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высоких ΠΏΠΈΡ‚Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… напряТСний, ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΡ…
Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ΅ для сСрии Π’Π’Π› напряТСниС 5Π’, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ для увСличСния Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ способности
Π²Π΅Π½Ρ‚ΠΈΠ»Π΅ΠΉ ΡΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅ Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ значСния.

ΠŸΡ€Π΅ΠΈΠΌΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²Π°ΠΌΠΈ схСм Π½Π°
КМОП-транзисторах ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ малая потрСбляСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, высокоС быстродСйствиС
ΠΈ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½Π½Π°Ρ ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ…ΠΎΡƒΡΡ‚ΠΎΠΉΡ‡ΠΈΠ²ΠΎΡΡ‚ΡŒ. Π’ основС всСх логичСских КМОП-схСм Π»Π΅ΠΆΠΈΡ‚
КМОП,-ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€ (рис. 3, Π°). Π—Π΄Π΅ΡΡŒ VT1 β€” транзистор с ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ n-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°, VT2 β€” с
ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ Ρ€-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°. Π—Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Ρ‹ ΠΎΠ±ΠΎΠΈΡ… транзисторов ΠΎΠ±ΡŠΠ΅Π΄ΠΈΠ½Π΅Π½Ρ‹, Π½Π° Π½ΠΈΡ… подаСтся
ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π΅ напряТСниС. ПодлоТки соСдинСны с истоками.

ΠŸΡ€ΠΈ поступлСнии Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄ напряТСния
высокого уровня (логичСской Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Ρ‹) открываСтся транзистор VT1, a VT2 закрываСтся.
Наоборот, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡Π΅ Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄ напряТСния, ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½ΡŽ логичСского
нуля, открываСтся транзистор VT2, a VT1 закрываСтся. ВысокоС быстродСйствиС Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ…
схСм рСализуСтся Π·Π° счСт Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² цСпях заряда ΠΈ разряда ΠΏΠ°Ρ€Π°Π·ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Ρ… СмкостСй
схСмы Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Ρ‹ ΠΌΠ°Π»Ρ‹Π΅ сопротивлСния ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹Ρ… транзисторов. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ°, Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΡƒΡŽΡ‰Π°Ρ
Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΡŽ Π˜Π›Π˜β€”ΠΠ• ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° Π½Π° рис. 4. ΠŸΡ€ΠΈ поступлСнии Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄ А напряТСния, ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ
ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½ΡŽ логичСской Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Ρ‹, открываСтся транзистор VT1 ΠΈ закрываСтся
VT4, Π² Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ Ρ‡Π΅Π³ΠΎ напряТСниС Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½ΡŽ
логичСского нуля (Ρƒ = 0). ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡Π΅ Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ А ΠΈ Π’ напряТСния,
ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½ΡŽ

Π¨ΠΈΠ½Π½Ρ‹Π΅ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ

ΠœΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ»Π΅ΠΊΡΠΎΡ€Ρ‹ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ для
объСдинСния Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ² Π² Ρ‚Π΅Ρ… случаях,
ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π·Π°Ρ€Π°Π½Π΅Π΅ извСстно сколько Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ² Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ
ΠΎΠ±ΡŠΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΡ‚ΡŒ. Часто это нСизвСстно. Π‘ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ,
часто количСство ΠΎΠ±ΡŠΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… микросхСм
измСняСтся Π² процСссС эксплуатации устройств.
НаиболСС яркий ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ — это ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€Ρ‹, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ…
Π² процСссС эксплуатации измСняСтся объСм
ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ памяти, количСство ΠΏΠΎΡ€Ρ‚ΠΎΠ²
Π²Π²ΠΎΠ΄Π°-Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°, количСство дисководов. Π’ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ…
случаях Π½Π΅Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ для объСдинСния Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ…
Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ² Π²ΠΎΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ логичСским элСмСнтом
«Π˜Π›Π˜».

Для объСдинСния Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ² Π½Π° ΠΎΠ΄ΠΈΠ½
Π²Ρ…ΠΎΠ΄ Π² случаС, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π·Π°Ρ€Π°Π½Π΅Π΅ Π½Π΅ извСстно сколько
микросхСм Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΠ±ΡŠΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΡ‚ΡŒ, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π΄Π²Π°
способа:

  1. ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆΠ½ΠΎΠ΅ Π˜Π›Π˜;
  2. ΡˆΠΈΠ½Π½Ρ‹Π΅ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ.

Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΉ схСмой объСдинСния Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ²
Π±Ρ‹Π»ΠΈ схСмы с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ (ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆΠ½ΠΎΠ΅
«Π˜Π›Π˜»). Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆΠ½ΠΎΠ³ΠΎ «Π˜Π›Π˜» ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π°
Π½Π° рисункС 1.

Рисунок 1. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆΠ½ΠΎΠ³ΠΎ «Π˜Π›Π˜».

Π’Π°ΠΊΠΎΠ΅ объСдинСниС микросхСм называСтся шиной ΠΈ
позволяСт ΠΎΠ±ΡŠΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΡ‚ΡŒ Π΄ΠΎ 10 микросхСм Π½Π° ΠΎΠ΄ΠΈΠ½
ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄. ЕстСствСнно для Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ микросхСмы Π½Π΅
мСшали Π΄Ρ€ΡƒΠ³ Π΄Ρ€ΡƒΠ³Ρƒ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΎΠ΄Π½Π° ΠΈΠ· микросхСм
Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° Π²Ρ‹Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΡŽ Π½Π° ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄.
ΠžΡΡ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ микросхСмы Π² этот ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ
Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Ρ‹ ΠΎΡ‚ ΡˆΠΈΠ½Ρ‹ (Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ
транзистор Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚). Π­Ρ‚ΠΎ
обСспСчиваСтся внСшнСй микросхСмой управлСния
Π½Π΅ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½ΠΎΠΉ Π½Π° Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ рисункС.

На ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… схСмах Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ элСмСнты
ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рисункС 2.

Рисунок 2. ΠžΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ микросхСмы с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ
ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅

НСдостатком ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ схСмы объСдинСния
Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… микросхСм Π½Π° ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ являСтся
низкая ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ,
обусловлСнная затягиваниСм ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π½Π΅Π³ΠΎ Ρ„Ρ€ΠΎΠ½Ρ‚Π°.
Π­Ρ‚ΠΎ явлСниС связано с Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΌ сопротивлСниСм
заряда ΠΈ разряда ΠΏΠ°Ρ€Π°Π·ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠΉ ΠˆΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΠΈ ΡˆΠΈΠ½Ρ‹. Заряд
ΠΏΠ°Ρ€Π°Π·ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠΉ ΠˆΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΠΈ происходит Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π·
сопротивлСния R1 ΠΈ R2, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ большС
сопротивлСния ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ транзистора. Π’Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ
этого сопротивлСния Π½Π΅Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΡ‚ΡŒ мСньшС
Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°, опрСдСляСмого напряТСниСм
Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ³ΠΎ уровня, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ опрСдСляСтся Π² свою
ΠΎΡ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΡŒ допустимым Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ потрСблСния всСй схСмы
Π² Ρ†Π΅Π»ΠΎΠΌ. ВрСмСнная Π΄ΠΈΠ°Π³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ° напряТСния Π½Π° шинС с
ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π° Π½Π° рисункС 3.

Рисунок 3. Π’Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Π΄ΠΈΠ°Π³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ напряТСния Π½Π°
Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ микросхСмы с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ
ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ.

ЕстСствСнным Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ этой ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΡ‹ Π±Ρ‹Π»ΠΎ Π±Ρ‹
Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ транзистора Π² Π²Π΅Ρ€Ρ…Π½Π΅Π΅ ΠΏΠ»Π΅Ρ‡ΠΎ схСмы, Π½ΠΎ
ΠΏΡ€ΠΈ этом Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΠ° сквозных Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ², ΠΈΠ·-Π·Π°
ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ Π½Π΅Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΡ‚ΡŒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ…
микросхСм нСпосрСдствСнно. ΠŸΡ€ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π°
возникновСния сквозных Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² поясняСтся Π½Π°
рисункС 4.

Β 

Рисунок 4. ΠŸΡƒΡ‚ΡŒ протСкания сквозного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΈ
нСпосрСдствСнном соСдинСнии Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ² Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ…
микросхСм.

Π­Ρ‚Π° ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΠ° исчСзаСт, Ссли появляСтся
Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ транзисторы ΠΊΠ°ΠΊ Π² Π²Π΅Ρ€Ρ…Π½Π΅ΠΌ,
Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ Π² Π½ΠΈΠΆΠ½Π΅ΠΌ ΠΏΠ»Π΅Ρ‡Π΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ каскада. Если Π²
микросхСмС Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ ΠΎΠ±Π° транзистора, Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅
состояниС Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° микросхСмы называСтся Ρ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒΠΈΠΌ
состояниСм ΠΈΠ»ΠΈ z-состояниСм Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° микросхСмы.
Вакая Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ появляСтся Π²
спСциализированных микросхСмах с Ρ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒΠΈΠΌ
состояниСм Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ микросхСмы. ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ
схСма Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ каскада микросхСмы с трСмя
состояниями Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ микросхСмы ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π° Π½Π°
рисункС 5.

Рисунок 5. ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ схСма Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ
каскада микросхСмы с трСмя состояниями Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅

На ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… схСмах Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ элСмСнты
ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рисункС 6.

Рисунок 6. ΠžΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ микросхСмы с трСмя
состояниями Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅

Часто Π² микросхСмС, содСрТащСй элСмСнты с трСмя
состояниями Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ каскада  ΠΎΠ±ΡŠΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΡŽΡ‚
ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ сигналы всСх элСмСнтов Π² ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄.
Π’Π°ΠΊΠΈΠ΅ микросхСмы Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ ΡˆΠΈΠ½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ
формироватСлями ΠΈ ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ°ΡŽΡ‚ Π½Π° схСмах ΠΊΠ°ΠΊ
ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рисункС 7.

Рисунок 7. ΠžΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ шинного формироватСля.


[Назад] [Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅] [Π’ΠΏΠ΅Ρ€Ρ‘Π΄]

сигналов с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ (ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ‡Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΊ ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ) | LabJack

Π­Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ‡Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΊ ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ написано для всСх LabJack, ΠΊΡ€ΠΎΠΌΠ΅ U12. U12 ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ΄Ρ‚ΡΠ³ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ рСзисторы 1 МОм, Π° Π½Π΅ 100 кОм Π½Π° всСх Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… устройствах.

ΠžΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ (Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΡ‹ΠΉ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ стоком, NPN ΠΈΠ»ΠΈ PNP) β€” ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ распространСнный Ρ‚ΠΈΠΏ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ сигнала. ВмСсто Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ 5 Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ с Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ импСдансом ΠΈ зСмлю, ΠΊΠ°ΠΊ Π΄Π²ΡƒΡ…Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ ΠΈΠ»ΠΈ ΡΠΈΠ³Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ, сигнал с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ обСспСчиваСт ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠ΅ ΠΈ зСмлю. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΈΠΏ сигнала ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ€Π°ΡΡΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ, соСдинСнный с Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅ΠΉ.Π Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΈΠ½Ρ‹ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ нСсколько вольно, ΠΈ часто всС Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚Ρ‹ просто Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Β«ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Β», Π½ΠΎ Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ распространСно ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π΅:

.

ΠžΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ = NPN = ΠŸΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΌ.

ΠžΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΉ сток = PNP = ΠŸΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ ΠΈ высоким.

ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ LabJack ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΠΉ ΠΏΠΎΠ΄Ρ‚ΡΠ³ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ рСзистор 100 кОм, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΡƒΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ ΠΈΡ… Π½Π° высоком ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π½ΠΈΡ‡Π΅Π³ΠΎ Π½Π΅ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΎ, сигнал NPN являСтся СстСствСнным ΠΈ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎ, ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ нСпосрСдствСнно ΠΊ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ. Когда сигнал NPN Π½Π΅Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π΅Π½, ΠΎΠ½ Π½Π΅ ΠΏΠΎΠ΄Π°Π΅Ρ‚ Π½ΠΈΠΊΠ°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ напряТСния, ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Ρ‚ΡΠ³ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ рСзистор подтягиваСт Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΊ высокому логичСскому ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½ΡŽ.Когда сигнал NPN Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π΅Π½, ΠΎΠ½ ΠΏΠΎΠ΄Π°Π΅Ρ‚ 0 Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ подавляСт подтяТку ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ Π² Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ логичСский ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ. Иногда устанавливаСтся внСшнСС ΠΏΠΎΠ΄Ρ‚ΡΠ³ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ напряТСниС (Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, 4,7 кОм ΠΎΡ‚ Vs ΠΊ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΌΡƒ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ) для увСличСния скорости ΠΈ силы (Ρ‚. Π΅. большСй устойчивости ΠΊ элСктромагнитным ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ…Π°ΠΌ) состояния высокого логичСского уровня.

Рис. 1. ΠžΠ±Ρ‰Π΅Π΅ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (NPN) ΠΊ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΌΡƒ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ

Rground ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ Ρ€Π°Π²Π΅Π½ 0 Ом, Π½ΠΎ ΠΈΠ½ΠΎΠ³Π΄Π° ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ рСзистор, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΎΡ‚Π²Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π½ΠΈΠ΅ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² Π½Π° зСмлю.

БСрия

R ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ сопротивлСниС 0 Ом, Π·Π° ΠΈΡΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ случаСв, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΡΠΎΠ·Π΄Π°Ρ‚ΡŒ RC-Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€ Π½ΠΈΠΆΠ½ΠΈΡ… частот ΠΈΠ»ΠΈ Ссли Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΡ€ΠΈ напряТСнии, Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΌ 5 Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚. Если Π΅ΡΡ‚ΡŒ нСкоторая Π½Π΅ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π² ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, являСтся Π»ΠΈ сигнал Π½Π° самом Π΄Π΅Π»Π΅ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π»ΠΈ ΠΎΠ½ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ напряТСниСм Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ 5 Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠΉΡ‚Π΅ Rseries 22 кОм, ΠΊΠ°ΠΊ описано Π² примСчаниях ΠΊ ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ Driven Signals.

Rpullup (внСшний ΠΏΠΎΠ΄Ρ‚ΡΠ³ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ рСзистор) ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ Π½Π΅ трСбуСтся, Π½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π³ΠΎΡ€Π°Π·Π΄ΠΎ Ρ‡Π°Ρ‰Π΅, Ρ‡Π΅ΠΌ Rground ΠΈ Rseries. Иногда добавляСтся сопротивлСниС 4,7 кОм, Ссли трСбуСтся Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ сильноС подтягиваниС, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΈΠ·Π±Π΅ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ Π»ΠΎΠΆΠ½Ρ‹Ρ… ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΡƒΠΌΠΎΠ² ΠΈΠ·-Π·Π° элСктромагнитных ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ….ЕдинствСнным нСдостатком добавлСния этого внСшнСго ΠΏΠΎΠ΄Ρ‚ΡΠ³ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ рСзистора являСтся Ρ‚ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ VS Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ нСбольшой Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ, Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ NPN Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΏΠΎΠ³Π»ΠΎΡ‰Π°Ρ‚ΡŒ этот Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ, Π½ΠΎ ΠΎΠ½ составляСт всСго ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 1 мА ΠΏΡ€ΠΈ 4,7 кОм.

Β 

Π‘Π΅Π· Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… рСзисторов рисунок 1 упрощаСтся Π΄ΠΎ рисунка 2, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ являСтся Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ распространСнным соСдинСниСм:

Β 

Рис. 2. Π’ΠΈΠΏΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (NPN) ΠΊ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΌΡƒ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ

Β 

Для ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Ρ PNP трСбуСтся Rpulldown (Π° Π½Π΅ Rpullup) ΠΎΡ‚ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΊ GND.Π”ΠΎΠ±Π°Π²ΡŒΡ‚Π΅ ΠΏΠΎΠ΄Ρ‚ΡΠ³ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ рСзистор 4,7 кОм, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΠΉ ΠΏΠΎΠ΄Ρ‚ΡΠ³ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ рСзистор 100 кОм ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ Π½Π° Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΌ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° PNP Π½Π΅Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π΅Π½ (Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚). Когда PNP Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π΅Π½ (высокий ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ), ΠΎΠ½ подавляСт ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ высокий ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ Π½Π° Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΌ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅. ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ссли высокоС напряТСниС PNP большС 5 Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚, Rseries Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌ для Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π°, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΠ±ΡΡƒΠΆΠ΄Π°Π»ΠΎΡΡŒ Ρ€Π°Π½Π΅Π΅. Π’ этом случаС RseriesΒ Π² сочСтании с Rpulldown создаСт Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ напряТСния (Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΡŽΡŽ подтяТку 100 кОм Π΄ΠΎ 3,3Β Π’, Π½ΠΎ ΠΌΡ‹ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ³Π½ΠΎΡ€ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌ это для ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… расчСтов).Rseries=10k ΠΈ Rpulldown=4,7k ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°ΡŽΡ‚ коэффициСнт усилСния ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ x0,32, поэтому Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал 12 Π’ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Π΅Π½ Π΄ΠΎ ~ 3,8 Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚. Rseries=22k ΠΈ Rpulldown=4,7k ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°ΡŽΡ‚ усилСниС ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ x0,18, поэтому Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал 24 Π’ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Π΅Π½ Π΄ΠΎ ~ 4,3 Π’.

Π”Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌ Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚ΠΎΠΌ для ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² PNP являСтся LJTick-Divider.

НашС ΡΡ‚Π°Ρ€Π΅ΠΉΡˆΠ΅Π΅ устройство, U12, ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ΄Ρ‚ΡΠ³ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ сопротивлСниС 1 МОм, Π° Π½Π΅ 100 кОм Π½Π° ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΉ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ. ΠœΡ‹ Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ΅Π½Π΄ΡƒΠ΅ΠΌ всСгда ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ΄Ρ‚ΡΠ³ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ рСзистор 4,7 кОм (Π΄ΠΎ +5 Π’) с сигналами NPN ΠΈΠ»ΠΈ 4.ΠŸΠΎΠ΄Ρ‚ΡΠ³ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ рСзистор 7 кОм (ΠΊ GND) с сигналами PNP.

Π’Ρ‹ΡˆΠ΅ ΡƒΠΏΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΠΎΡΡŒ ΠΎ Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Π΅ ΠΎΡ‚ напряТСния Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ 5 Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚. ЀактичСскиС ограничСния ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ Π² ΠŸΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ А ΠΊ тСхничСскому описанию ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ устройства. U12 Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ Ρ„ΠΈΠΊΡΠ°Ρ†ΠΈΡŽ ΠΏΡ€ΠΈ VS+0,3, Π² Ρ‚ΠΎ врСмя ΠΊΠ°ΠΊ U3, U6, UE9, T4 ΠΈ T7 Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°ΡŽΡ‚ Ρ„ΠΈΠΊΡΠ°Ρ†ΠΈΡŽ ΠΏΡ€ΠΈ фиксированном напряТСнии 5,8 Π’, поэтому слСдуСт Ρ€Π°ΡΡΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ добавлСния ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ рСзистора для напряТСний, ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… эти ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½ΠΈ.

ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ Π·Π°Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅Π½ΠΈΠ΅ LabJack часто Π½Π΅ трСбуСтся для ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ сигнала.Π›ΡŽΠ±Ρ‹Π΅ сигналы, ΠΏΠΈΡ‚Π°Π΅ΠΌΡ‹Π΅ ΠΎΡ‚ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ ΠΆΠ΅ внСшнСго источника ΠΈΠ»ΠΈ ΠΈΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ относящиСся ΠΊ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΌΡƒ ΠΆΠ΅ Π²Π½Π΅ΡˆΠ½Π΅ΠΌΡƒ зазСмлСнию, Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ ΠΏΠΎ возмоТности ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ΄Π½ΠΎ Π·Π°Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅Π½ΠΈΠ΅ с LabJack.

Β 

Β 

ИспользованиС Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠ² с Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ

Π‘ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠ² ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ для ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΊ модулям Π²Π²ΠΎΠ΄Π° ΠŸΠ›Πš с ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ источника ΠΈΠ»ΠΈ получатСля. Π”Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΈ прСдставлСны Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΈΠ½Π°ΠΌΠΈ, ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ NPN ΠΈ PNP соотвСтствСнно. Однако Π² Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… случаях ΠΏΠΎΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½Ρ‹Π΅ Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΈΠ½Ρ‹.

Одной ΠΈΠ· Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π·Π°ΠΏΡƒΡ‚Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… являСтся идСя Β«Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ² с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌΒ», ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ часто Π²ΡΡ‚Ρ€Π΅Ρ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π½Π° устройствах кодирования. ΠŸΡ€ΠΎΡΡ‚ΠΎΠ΅ объяснСниС ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‡ΡŒ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΈ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠ°.

Β 

ИспользованиС Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠ² с Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ

Π”Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΈ

ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π½Π΅ΠΎΡ‚ΡŠΠ΅ΠΌΠ»Π΅ΠΌΠΎΠΉ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒΡŽ любой систСмы управлСния. Π‘Ρ‚Ρ€Π°Ρ‚Π΅Π³ΠΈΠΈ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π½Π΅ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π² зависимости ΠΎΡ‚ ΠΌΠ°Ρ€ΠΎΠΊ ΠΈ Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠ². К ΡΡ‡Π°ΡΡ‚ΡŒΡŽ, Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΈΠ΅ стилСй ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΊΠΈ Π½Π΅ слишком Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π½ΠΎ.

Π­Ρ‚ΠΎ позволяСт тСхничСскому спСциалисту Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ эквивалСнтный Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊ, Π΄Π°ΠΆΠ΅ Ссли это Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΡ‚ Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€ Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»ΠΈ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½ Π² тСхничСском описании.

БущСствуСт нСсколько общСизвСстных Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΈΠ½ΠΎΠ², ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… Π² дискрСтных (Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ…) Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ°Ρ…, Π² частности PNP ΠΈ NPN. Π­Ρ‚ΠΈ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΈ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ для согласования с Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠ°ΠΌΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊΠ° ΠΈ истока Π½Π° ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π΅ соотвСтствСнно.

БущСствуСт ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ распространСнный Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΈΠ½, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ появляСтся, Π² частности, Π½Π° ΠΊΠΎΠ΄ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… устройствах, Π½ΠΎ Π² Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… случаях. ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΠΎΠ½ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ распространСн, Π½Π΅ Ρ‚Π°ΠΊ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ внимания удСляСтся ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΡŽ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ это Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΈ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΠ½ΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚, ΠΈ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ, Ρ‚ΠΎΠΌΡƒ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ устройства.Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΈΠ½ называСтся Β«ΠžΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π΅Ρ€Β».

Β 

МодСль транзистора

НазваниС ΠšΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ происходит ΠΎΡ‚ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ транзистора, поэтому ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ смысл Π½Π°Ρ‡Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ с ΠΊΡ€Π°Ρ‚ΠΊΠΎΠ³ΠΎ рассмотрСния Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΊΠ°ΠΊ транзистор ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ°.

На Π»Π΅Π²ΠΎΠΉ сторонС схСма энкодСра (Π½Π΅ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π°, Π½ΠΎ состоящая ΠΈΠ· свСтодиодных ΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ/Π΄Π΅Ρ‚Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² ΠΏΠΎ ΠΌΠ΅Ρ€Π΅ нСобходимости ΠΈ ΡΡ€Π°Π²Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… усилитСлСй) ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ 24 Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π° ΠΈ зСмлю, ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π°Π΅ΠΌΡƒΡŽ Ρ€Π°Π·ΡŠΠ΅ΠΌΠΎΠΌ питания, ΠΈ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ нСбольшоС напряТСниС Π½Π° ΡΠΈΠ³Π½Π°Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ схСму Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π‘Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ транзистора.

Π­Ρ‚Π° сигнальная схСма справа прСдставляСт собой NPN-транзистор, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ соСдиняСт Π²Ρ…ΠΎΠ΄ ΠŸΠ›Πš с Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅ΠΉ. Π’Ρ…ΠΎΠ΄ ΠŸΠ›Πš Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΌΡƒΡŽ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΌΡƒ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Ρƒ транзистора. Π­Ρ‚ΠΎ обСспСчиваСт Π½Π°Π·Π²Π°Π½ΠΈΠ΅ Β«ΠžΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Β», ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚ Π½Π° ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅ ΠΆΠ³ΡƒΡ‚Π° ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΎΠ², ΠΏΠΎΠΊΠ° ΠΎΠ½ Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΊ ΠŸΠ›Πš. Π‘ΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½Π΅Π½ΠΈΠ΅ с Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅ΠΉ β€” это ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ эмиттСра транзистора.

Когда сигнал Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ° высокий, транзистор пропускаСт Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΎΡ‚ ΠŸΠ›Πš ΠΊ Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅. Когда сигнал Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ° Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ, транзистор Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ, ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ большС Π½Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Ρ‚Π΅Ρ‡ΡŒ ΠΎΡ‚ ΠŸΠ›Πš.

Ни Π² ΠΊΠΎΠ΅ΠΌ случаС Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‚ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ° ΠΊ ΠŸΠ›Πš. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Ρ‚ΠΎΠ½ΡƒΡ‰ΠΈΠΌ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠΌ.

БоСдинСния с внСшним ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠΌ ΠΏΠΎ-ΠΏΡ€Π΅ΠΆΠ½Π΅ΠΌΡƒ состоят ΠΈΠ· +V, сигнальной Π·Π΅ΠΌΠ»ΠΈ ΠΈ сигнального ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π°, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° схСмС. Π’ΠΎΡ‡Π½ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊ ΠΆΠ΅, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²ΠΎ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… 3-ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠ². Π§Ρ‚ΠΎ касаСтся энкодСров, Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²ΠΎ ΠΈΠ· Π½ΠΈΡ… Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ ΠΆΠ³ΡƒΡ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΎΠ², состоящий ΠΈΠ· Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π°. Π’Ρ‹ ΠΏΠΎ-ΠΏΡ€Π΅ΠΆΠ½Π΅ΠΌΡƒ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚Π΅ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ +V ΠΈ ΡΠΈΠ³Π½Π°Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ зСмлю, Π½ΠΎ Ρƒ вас Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ количСство ΡΠΈΠ³Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΎΠ².

Π’ этих случаях с нСсколькими ΡΠΈΠ³Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ ΡƒΠ±Π΅Π΄ΠΈΡ‚Π΅ΡΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ваш Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΌΠΎΠ΄ΡƒΠ»ΡŒ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π²ΠΌΠ΅ΡΡ‚ΠΈΡ‚ΡŒ достаточноС количСство энкодСров. НапримСр, Ссли ΠΊ энкодСру ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΎ 3 ΡΠΈΠ³Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π°, ΠΌΠΎΠ΄ΡƒΠ»ΡŒ с 8 Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ 2 энкодСра. Если энкодСр ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΏΡΡ‚ΡŒ ΡΠΈΠ³Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΎΠ², этот ΠΌΠΎΠ΄ΡƒΠ»ΡŒ с 8 Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ с ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌ энкодСром.

Β 

Π˜Π½ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ энкодСр с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ. Π˜Π·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ прСдоставлСно SICK Sensors.

Β 

Π’Π°ΠΆΠ½ΠΎ Π·Π½Π°Ρ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² конструкции Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠ² с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ всСгда ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ NPN-транзистор, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΄Π΅Π»Π°Π΅Ρ‚ ΠΈΡ… Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌΠΈ ΠΆΠ΅, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ всС Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΈ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° Sinking.Π­Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Ρ‹ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΌΠΎΠ΄ΡƒΠ»ΡŒ Sourcing, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ встрСчаСтся Π½Π΅ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π΅ΠΆΠ΅, Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΌΠΎΠ΄ΡƒΠ»ΠΈ Sinking.

Основная ΠΏΡ€ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° использования NPN-транзисторов Π² этих прилоТСниях Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠŸΠ›Πš ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ любоС напряТСниС Π½Π° этот ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΏΠΎ ΠΌΠ΅Ρ€Π΅ нСобходимости, Π΄Π°ΠΆΠ΅ Ссли сам Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΊ источнику питания 24 Π’.

Если ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ прСдставляСт собой 12-Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ΠΎΠ²ΡƒΡŽ систСму, ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ соСдинит эти 12 Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ с Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅ΠΉ. Если это 5-Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ΠΎΠ²Π°Ρ ΠΈΠ»ΠΈ другая 24-Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ΠΎΠ²Π°Ρ систСма, ΠΎΠ½Π° всС Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ вСрнСтся Π½Π° зСмлю Π² любом случаС.ΠΠ»ΡŒΡ‚Π΅Ρ€Π½Π°Ρ‚ΠΈΠ²ΠΎΠΉ являСтся транзистор PNP, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡Π΅ΠΉ напряТСния источника. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Ссли Π±Ρ‹ Ρƒ вас Π±Ρ‹Π»Π° 12-Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ΠΎΠ²Π°Ρ систСма управлСния, Π²Π°ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΡˆΠ»ΠΎΡΡŒ Π±Ρ‹ Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ 12-Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ источник питания Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ для этого Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ°, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½Π΅ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΡ‡Π½ΠΎ.

Β 

БоСдинСния модуля

Для энкодСров ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠ΄ΡƒΠ»ΠΈ высокоскоростных счСтчиков ΡΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ сигналы, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ эти сигналы энкодСров ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒΡΡ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ быстро.

Для получСния ΠΏΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½ΠΎΠΉ ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΎΠ± этом Ρ‚ΠΈΠΏΠ΅ модуля ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅ΡΡŒ ΠΊ Π΄ΠΈΡΡ‚Ρ€ΠΈΠ±ΡŒΡŽΡ‚ΠΎΡ€Ρƒ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΡ‡ΠΈΡ‚Π°Π΅ΠΌΠΎΠΉ Π²Π°ΠΌΠΈ систСмы управлСния ΠΈ спроситС ΠΎ HSC (высокоскоростном счСтчикС) ΠΈ ΠΈΡ… возмоТностях.Если Π²Ρ‹ ΠΏΠ»Π°Π½ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ΄Π΅Ρ€ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° Open Collector, ΡƒΠ±Π΅Π΄ΠΈΡ‚Π΅ΡΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ HSC ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ источниками.

Для стандартного 3-ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ° с ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Β«ΠžΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Β» ΡΠΈΠ³Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ ΠΎΡ‚ кабСля ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚ΡŒΡΡ нСпосрСдствСнно ΠΊ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠ΅ ΠŸΠ›Πš, Π½ΠΎ ΠΎΠΏΡΡ‚ΡŒ ΠΆΠ΅ с риском повторСния. Π­Ρ‚ΠΎ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΌΠΎΠ΄ΡƒΠ»ΡŒ источника.

Π₯ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΈΠΉ ΡƒΡ€ΠΎΠΊ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΠ·Π²Π»Π΅Ρ‡ΡŒ ΠΈΠ· этих Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΎΠ±ΡΡ‚ΠΎΡΡ‚Π΅Π»ΡŒΡΡ‚Π² ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ, Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ часто Π±Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½ΠΎ ΠΏΠΎΠ½ΡΡ‚ΡŒ, ΠΏΠΎΡ‡Π΅ΠΌΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ-Ρ‚ΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ это ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎ. Иногда Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°Π΅Ρ‚ соблазн Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ быстрый ΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ ΠΈΠ»ΠΈ схСму ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ, Π½ΠΎ это Ρ€Π΅ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΡƒ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π½Π° Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚.Π”ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ усилия для изучСния Ρ‚Π΅ΠΎΡ€ΠΈΠΈ Ρ‡Π΅Π³ΠΎ-Ρ‚ΠΎ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ слоТного ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π½ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ возмоТности для Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΡΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡˆΠ΅Π½Π½Ρ‹Ρ… систСм ΠΈ Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΉ Π² Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‰Π΅ΠΌ.

ΠžΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ / ΠšΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ Offener / ΠžΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΉ Π΄Ρ€Π΅Π½Π°ΠΆ

Der Open-Collector (OC) ist der unbeschaltete Kollektor-Anschluss eines Transistors am Ausgang eines integrierten Schaltkreises (IC). Mit «unbeschaltet» ist offen (Π°Π½Π³Π». ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΉ) gemeint.
Der Open-Collector ist einer von mehreren Ausgangstypen fΓΌr digitale integrierte Schaltkreise.Dazu gehΓΆren TTL, CMOS und weitere Schaltkreisfamilien. ΠžΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚Π΅ TTL-ICs, wie heute ΓΌblich, CMOS-ICs verwendet werden, dann spricht man von Open-Drain-AusgΓ€ngen (vom Feldeffekttransistor abgelitet). Die Funktion und die Bedeutung sind identisch mit dem Open-Collector.
Π€ΠΎΠ½ der Schaltung Π΅Π΅, ist der Open-Collector Ein NPN-Transistor, dessen Emitter auf Masse Liegt und der Collector als Ausgang dient. Der Kollektor des Transistors wird dabei ohne weitere innere Beschaltung an den Ausgang des integrierten Schaltkreises gefΓΌhrt.Dadurch ist es mΓΆglich, den Ausgang des integrierten Schaltkreises ohne weitere Beschaltung auf Masse zu ziehen. Ist der Transistor nicht durchgesteuert, ist der Ausgang hochohmig. Spannung Liegt Keine an.

Beschaltung des Open Collector

Der Open-Collector verhΓ€lt sich wie ein Schaltausgang. Allerdings ist nicht definiert, wie logisch HIGH und LOW zu 1 und 0 zugeordnet sind. Er wird deshalb gerne dazu verwendet einen Ausgang ein beliebiges Spannungsniveau zu schalten.Dadurch ist es mΓΆglich auf eine Spannungs- bzw. Pegelanpassung zu verzichten. Durch den Verzicht des Kollektorwiderstands ist es sogar mΓΆglich mehrere Open-Collector-AusgΓ€nge zusammenzuschalten. Dies nennt man eine Wired-OR-VerknΓΌpfung (Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΉ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΉ) ΠΈΠ»ΠΈ Wired-AND-VerknΓΌpfung (Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΉ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΉ).

ΠžΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ с Π²Ρ‹Ρ‚ΡΠ³ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉΡΡ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠΉ подставкой

Soll der Open-Collector-Ausgang wie ein normaler Ausgang mit Spannungspotential funktionieren, dann muss der Open-Collector-Ausgang mit einem Pullup-Widerstand beschaltet werden.Erst dann kommt im anderen logischen Zustand eine Spannung heraus. Nachteilig ist dabei der große Unterschied der Ausgangsimpedanz. Bei logisch LOW (Transistor geschlossen) sind es es praktisch 0 Ohm, bei logisch HIGH (Transistor offen) entspricht die Ausgangsimpedanz dem Wert des Kollektorwidestands. Bei hâheren Schaltfrequenzen wirkt sich das deshalb stârend aus, weil die ansteigende Flanke weniger steil verlÀuft als die fallde. Das kommt von der parasitÀren KapazitÀt, die am Ausgang angeschlossen ist.

ΠžΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ с Ρ€Π΅Π»Π΅

Wenn ein digitaler Schaltkreis ein Relais ansteuern muss, dann ist ein Open-Collector-Ausgang dazu besonders gut geeignet. Ohne weitere Beschaltung des Ausgangs, kann ein Relais (mit Freilaufdiode) ΠΈ den Ausgang geschaltet werden.

Weitere verwandte Π’Π΅ΠΌΡ‹:

Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½ΠΈΠΊ-Fibel

Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½ΠΈΠΊ einfach und leicht verstΓ€ndlich

Die Elektronik-Fibel ist ein Buch ΓΌber die Grundlagen der Elektronik, Bauelemente, Schaltungstechnik und Digitaltechnik.

Das will ich haben!

Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ Π½Π°Π±ΠΎΡ€ «Starter Edition»

Elektronik erleben mit dem Elektronik-Set «Starter Edition»

Perfect for Einsteiger und Widereinsteiger

  • Elektronik-Einstieg ohne Vorkenntnisse
  • Schnelles VerstΓ€ndnis fΓΌr Bauteile und Schaltsymbole
  • Ohne LΓΆtkolben Experimentieren: Bauteile einfach stecken

Π”ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ информация Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ Π½Π°Π±ΠΎΡ€ Jetzt Bestellen

Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ Π½Π°Π±ΠΎΡ€ «Basic Edition»

Umfangreiches Elektronik-Sortiment

  • Π£Π±Π΅Ρ€ 1.300 элСктронных ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ²: Π£Π½ΠΈΠ²Π΅Ρ€ΡΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΡΠ½Ρ‹Π΅, кондСнсаторныС, Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅, транзисторныС ΠΈ ΡƒΠ½ΠΈΠ²Π΅Ρ€ΡΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ свСтодиоды Π² Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… источниках свСта.
  • Anschlussbelegung, Kennzeichnung und wichtige Kennwerte: Mit dabei fΓΌr alle Bauteile im Elektronik-Guide als PDF-Datei zum Download.
  • FΓΌr jeden Elektroniker: Als sinnvolle Erstausstattung fΓΌr Einsteiger oder fΓΌr alte Hasen, die mal wieder ihren Bestand auffΓΌllen oder ergΓ€nzen Wollen.

Bauteilliste ansehen Elektronik-Set jetzt bestellen

Часто Π·Π°Π΄Π°Π²Π°Π΅ΠΌΡ‹Π΅ вопросы ΠΏΠΎ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠΌΡƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρƒ/ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠΌΡƒ Π΄Ρ€Π΅Π½Π°ΠΆΡƒ

Часто Π·Π°Π΄Π°Π²Π°Π΅ΠΌΡ‹Π΅ вопросы ΠΏΠΎ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠΌΡƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρƒ/ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠΌΡƒ Π΄Ρ€Π΅Π½Π°ΠΆΡƒ

Β Β Β  ΠšΠΎΠ½Ρ‚ΡƒΡ€ с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ/ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ стоком
Часто Π·Π°Π΄Π°Π²Π°Π΅ΠΌΡ‹Π΅ вопросы (часто


Β Β Β  Π—Π°Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ вопросы)

Π§Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ схСма с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ/ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ стоком?

ΠžΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€/ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΉ сток – это тСхнология, которая позволяСт
устройства для двустороннСй связи ΠΏΠΎ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Ρƒ.

Устройства с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ/ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ стоком ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π»ΡΡŽΡ‚ (ΠΏΡ€ΠΎΠΏΡƒΡΠΊΠ°ΡŽΡ‚) Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΡ€ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΌ напряТСнии
Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ΅ (логичСский 0) состояниС ΠΈΠ»ΠΈ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ высокий импСданс (Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π΅ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚) Π² своих
Π’Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½ΠΎΠ΅ Π½Π΅Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ΅ (логичСская 1) состояниС. Π­Ρ‚ΠΈ устройства ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚
с внСшним ΠΏΠΎΠ΄Ρ‚ΡΠ³ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ рСзистором, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΡƒΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ ΡΠΈΠ³Π½Π°Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ линию Π½Π° высоком ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ Π΄ΠΎ Ρ‚Π΅Ρ… ΠΏΠΎΡ€, ΠΏΠΎΠΊΠ°
устройство Π½Π° ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π΅ потрСбляСт достаточно Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡΠ½ΠΈΠ·ΠΈΡ‚ΡŒ линию. Много устройств
ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊ ΡΠΈΠ³Π½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Ρƒ. Если всС устройства, ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Ρƒ
находятся Π² Π½Π΅Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ состоянии, подтяТка Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΡƒΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ Π² высоком
НапряТСниС.Если ΠΎΠ΄Π½ΠΎ ΠΈΠ»ΠΈ нСсколько устройств находятся Π² Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ состоянии, ΡΠΈΠ³Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄
напряТСниС Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ.

Π‘ΠΈΠ³Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ/ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ стоком Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π΄Π²ΡƒΠ½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ.
Π”Π²ΡƒΠ½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ устройство ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΊΠ°ΠΊ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ Π²Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ сигнал Π½Π°
ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ. Помимо контроля состояния своСго
ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΊ ΡΠΈΠ³Π½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Ρƒ (Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌΡƒ ΠΈΠ»ΠΈ Π½Π΅Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌΡƒ), устройство
Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡ‚ΡŒ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ напряТСния сигнального ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π°. Π₯отя Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄
устройства с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ/ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ стоком ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π½Π°Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ Π² Π½Π΅Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ (высоком) состоянии,
ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄, ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΊ устройству, ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π½Π°Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ Π² Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ (Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΌ) состоянии ΠΈΠ·-Π·Π°
активности Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠ³ΠΎ устройства, ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Ρƒ.

Π”Π²ΡƒΠ½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ устройства с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ/ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ стоком
Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΄Π΅Π»Π°Π΅Ρ‚ эту схСму ΡΡ‚ΠΎΠ»ΡŒ Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎΠΉ для соСдинСния ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… устройств Π½Π°
общая линия. Π¨ΠΈΠ½Π° I2C ΠΈ SMBus ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ этот ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ для ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ
Π΄ΠΎ 127 устройств.

ΠžΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΉ сток относится ΠΊ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρƒ стока ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ МОП-транзистора. ΠžΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€
Ρ‚Π° ΠΆΠ΅ концСпция Π½Π° биполярном устройствС.

НС ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ здСсь ΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ Π½Π° свой вопрос? Π’ΠΎΠ³Π΄Π° ΠΎΡ‚ΠΏΡ€Π°Π²ΡŒΡ‚Π΅ свой вопрос ΠΏΠΎ элСктронной ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚Π΅
ΠΊ Π½Π°ΠΌ ΠΏΠΎ адрСсу support@mcc-us.ΠΊΠΎΠΌ

I 2 C Π½Π° расстоянии ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‰Π΅Π»Ρ‡ΠΊΠ° ΠΌΡ‹ΡˆΠΈ TM


A Π‘Ρ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΡ… Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… сигналов энкодСра

Когда Π΄Π΅Π»ΠΎ Π΄ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Π΄ΠΎ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π° энкодСра для прилоТСния управлСния Π΄Π²ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ, Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΡΠ΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ нСсколько Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚ΠΎΠ². Π˜Π½ΠΆΠ΅Π½Π΅Ρ€, ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊ, Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Ρ€Π΅ΡˆΠΈΡ‚ΡŒ, трСбуСтся Π»ΠΈ для Π΅Π³ΠΎ примСнСния ΠΈΠ½ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ, Π°Π±ΡΠΎΠ»ΡŽΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ энкодСр. ПослС Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΠ½ΠΈ ΡƒΠ·Π½Π°ΡŽΡ‚, ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΉ Ρ‚ΠΈΠΏ ΠΈΠΌ Π½ΡƒΠΆΠ΅Π½, Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ Ρ€Π°ΡΡΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Π΄Π»ΠΈΠ½Π½Ρ‹ΠΉ список Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ², Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΊΠ°ΠΊ: Ρ€Π°Π·Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅, схСма ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆΠ°, Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ Π²Π°Π»Π° двигатСля ΠΈ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΠ΅ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠ΅.ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΈΠ½ΠΎΠ³Π΄Π° ΡƒΠΏΡƒΡΠΊΠ°ΡŽΡ‚ ΠΈΠ· Π²ΠΈΠ΄Ρƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌ Ρ‚ΠΈΠΏ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала энкодСра. ΠžΡ‚Π²Π΅Ρ‚ Π½Π΅ всСгда ясСн, поэтому Π² этом постС ΠΌΡ‹ рассмотрим Ρ‚Ρ€ΠΈ основных Ρ‚ΠΈΠΏΠ° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… сигналов практичСски любого энкодСра: ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€, Π΄Π²ΡƒΡ…Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ ΠΈ Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹ΠΉ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€. Π­Ρ‚ΠΈ Ρ‚Ρ€ΠΈ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΎΠΏΠΈΡΡ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ физичСский ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΉ связи.

НСзависимо ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, являСтся Π»ΠΈ это ΠΊΠ²Π°Π΄Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½Ρ‹ΠΌ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΈΠ½ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ энкодСра, Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ полюса двигатСля ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ энкодСра ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ интСрфСйсом, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠΎΠ», всС эти сигналы ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΈ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ высокоС ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ΅ состояния.Π­Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ для энкодСра 5 Π’ сигналы всСгда Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ 0 Π’ (зСмля), Ρ‡Ρ‚ΠΎ являСтся Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ ΠΈΠ»ΠΈ Π΄Π²ΠΎΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΌ 0, ΠΈ 5 Π’, Ρ‡Ρ‚ΠΎ являСтся высоким ΠΈΠ»ΠΈ Π΄Π²ΠΎΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ 1. Π’ этом постС ΠΌΡ‹ сосрСдоточимся Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π°Ρ… ΠΈΠ½ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ энкодСра, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ основная ΠΏΡ€ΡΠΌΠΎΡƒΠ³ΠΎΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ Π²ΠΎΠ»Π½Π°.

Π’ΠΈΠΏΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΡΠΌΠΎΡƒΠ³ΠΎΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ сигнал 5 Π’

Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ

Π‘ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²ΠΎ ΠΏΠΎΠ²ΠΎΡ€ΠΎΡ‚Π½Ρ‹Ρ… энкодСров Π½Π° Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ΅ Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ сигнала ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ Π½Π° зСмлю, Π° ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° сигнал Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ высоким, Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ просто ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ.Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ называСтся ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ, ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π½Π° транзисторС остаСтся ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал высокий.

Биполярный ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ транзистор, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΉ Π² энкодСрах с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ

. Для взаимодСйствия с этим устройством трСбуСтся внСшний рСзистор, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Β«ΠΏΠΎΠ΄Ρ‚ΡΠ½ΡƒΡ‚ΡŒΒ» ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ Π΄ΠΎ ΠΆΠ΅Π»Π°Π΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ высокого уровня напряТСния. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΈΠΏ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°, Ссли ΠΈΠ½ΠΆΠ΅Π½Π΅Ρ€ пытаСтся ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ ΠΊ систСмС с Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹ΠΌΠΈ уровнями напряТСния. ΠšΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ поднят, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ ΠΈΠ»ΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высоким уровням напряТСния, Ρ‡Π΅ΠΌ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ энкодСр.

ΠŸΠΎΠ΄Ρ‚ΡΠ³ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ рСзистор, Π΄ΠΎΠ±Π°Π²Π»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΊ энкодСру с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ

ΠΈΠ·Π²Π½Π΅. Однако нСдостатки этого интСрфСйса часто ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π²Π΅ΡˆΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ измСнСния ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΉ напряТСния энкодСра. Π”ΠΎΠ±Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Π½Π΅ΡˆΠ½ΠΈΡ… рСзисторов ΠΊ энкодСрам с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Π½Π΅ прСдставляСт особой слоТности, ΠΈ Π²ΠΎ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΠ΅ Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Ρ‹ ΠΎΠ½ΠΈ ΡƒΠΆΠ΅ встроСны, Π½ΠΎ эти внСшниС рСзисторы ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π»ΡΡŽΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ для Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΈ Π²Π»ΠΈΡΡŽΡ‚ Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал, измСняя Π΅Π³ΠΎ характСристики Π² зависимости ΠΎΡ‚ частоты. Π‘Π½ΠΎΠ²Π° рассмотрим ΠΏΡ€ΡΠΌΠΎΡƒΠ³ΠΎΠ»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ Π²ΠΎΠ»Π½Ρƒ ΠΈΠ½ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ энкодСра, Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π½Π° этот Ρ€Π°Π· ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½Π½ΡƒΡŽ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΎ ΠΊ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ ΠΈΠ· ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ Π΅Π³ΠΎ состояния.Нам нравится Π΄ΡƒΠΌΠ°Ρ‚ΡŒ ΠΎ Π½Π°ΡˆΠΈΡ… Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… сигналах ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎ ΠΌΠ³Π½ΠΎΠ²Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΎΡ‚ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ³ΠΎ уровня ΠΊ высокому, Π½ΠΎ ΠΌΡ‹, ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎ, Π·Π½Π°Π΅ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ всС Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ. ΠœΡ‹ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌ эту Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΡƒΡŽ Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΡƒ ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ нарастания.

ΠšΡ€ΡƒΠΏΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ»Π°Π½ ΠΏΡ€ΡΠΌΠΎΡƒΠ³ΠΎΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Π²ΠΎΠ»Π½Ρ‹ с Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΉ ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ нарастания

Π’ случаС Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ² с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Π½Π° ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ нарастания влияСт сопротивлСниС ΠΏΠΎΠ΄Ρ‚ΡΠ³ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ рСзистора, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ рСзистор дСйствуСт ΠΊΠ°ΠΊ R Π² RC-Ρ†Π΅ΠΏΠΈ синхронизации. Π‘ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠ΅ скорости нарастания ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°ΡŽΡ‚ ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΆΠ΅Π½Π½ΡƒΡŽ ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ энкодСра (ΠΈ/ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠ΅ Ρ€Π°Π·Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π² случаС ΠΈΠ½ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… энкодСров).Π‘ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ нарастания ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠΈΡ‚ΡŒ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ рСзисторов с мСньшим Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ (Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΡΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ подтяТки), Π½ΠΎ этот компромисс ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ систСма потрСбляСт большС энСргии, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ этот ΠΏΠΎΠ΄Ρ‚ΡΠ³ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ рСзистор Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π»ΡΡ‚ΡŒ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· сСбя больший Ρ‚ΠΎΠΊ, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° сигнал Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ.

Π”Π²ΡƒΡ…Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Π΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹

Π›ΡƒΡ‡ΡˆΠΈΠΉ ΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ Π½Π° нСдостатки интСрфСйса с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ β€” двухтактная конфигурация. Π’ Π΄Π²ΡƒΡ…Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π΄Π²Π° транзистора вмСсто ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ. Π’Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΈΠΉ транзистор Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ ΠΊΠ°ΠΊ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΠ΄Ρ‚ΡΠ³ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ, Π° Π½ΠΈΠΆΠ½ΠΈΠΉ транзистор Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Ρ‚Π°ΠΊ ΠΆΠ΅, ΠΊΠ°ΠΊ транзистор Π² ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ.Π”Π²ΡƒΡ…Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Π΅ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ быстрыС Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ с Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высокой ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ нарастания, Ρ‡Π΅ΠΌ это Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ использовании рСзисторов, ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΡΠΈΠ³Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ. Π‘Π΅Π· рСзисторов, Ρ€Π°ΡΡΠ΅ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, этот Ρ‚ΠΈΠΏ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ потрСбляСт мСньшС энСргии. Π­Ρ‚ΠΎ Π΄Π΅Π»Π°Π΅Ρ‚ Π΄Π²ΡƒΡ…Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ Π³ΠΎΡ€Π°Π·Π΄ΠΎ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠΈΠΌ Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚ΠΎΠΌ для ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ с Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΉΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ, Π³Π΄Π΅ доступная ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ большоС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅.

ΠšΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΡ Π΄Π²ΡƒΡ…Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора

ВсС нСсиммСтричныС энкодСры AMT ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Π½ΠΈΠΈ CUI Devices ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ Π΄Π²ΡƒΡ…Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΈΠΏ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π°. Для сопряТСния с Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»Π΅ΠΉ ΠΊΠΎΠ΄ΠΈΡ€ΠΎΠ²Ρ‰ΠΈΠΊΠ° AMT Π½Π΅ трСбуСтся Π½ΠΈΠΊΠ°ΠΊΠΈΡ… Π²Π½Π΅ΡˆΠ½ΠΈΡ… ΠΏΠΎΠ΄Ρ‚ΡΠ³ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… устройств.Π­Ρ‚ΠΎ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΡƒΠΏΡ€ΠΎΡ‰Π°Π΅Ρ‚ тСстированиС ΠΈ созданиС ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΎΡ‚ΠΈΠΏΠΎΠ², ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ для запуска ΠΈ запуска трСбуСтся мСньшС расходных ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ². Π’Π°ΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² тСхничСском описании Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΊΠΎΠ΄Π΅Ρ€Π° AMT ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ ΠΊΠ°ΠΊ CMOS . Π­Ρ‚ΠΎ просто ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚, ΠΊΠ°ΠΊ интСрфСйсноС устройство Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€ΠΏΡ€Π΅Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ высокиС ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠ΅ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½ΠΈ напряТСния, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΎΠ½ΠΎ Π²ΠΈΠ΄ΠΈΡ‚ Π½Π° Π΄Π²ΡƒΡ…Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠΌ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅. Π­Ρ‚ΠΈ Π²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΈΠ΅ ΠΈ Π½ΠΈΠΆΠ½ΠΈΠ΅ значСния Π²Π°Ρ€ΡŒΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² зависимости ΠΎΡ‚ устройства, поэтому слСдуСт ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‰Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΊ тСхничСскому описанию ΠΆΠ΅Π»Π°Π΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚Π°.

Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Π° Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ

НСсмотря Π½Π° Ρ‚ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΄Π²ΡƒΡ…Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Π΅ энкодСры ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с ΠΈΡ… ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡˆΠ΅ΡΡ‚Π²Π΅Π½Π½ΠΈΠΊΠ°ΠΌΠΈ с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ, ΠΎΠ½ΠΈ Π½Π΅ всСгда подходят для ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚Π° ΠΈΠ·-Π·Π° ΠΈΡ… нСсиммСтричных Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ².Если ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ большой протяТСнности ΠΊΠ°Π±Π΅Π»Π΅ΠΉ ΠΈΠ»ΠΈ Ссли ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Π΅ ΠΊΠ°Π±Π΅Π»ΠΈ Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ ΠΏΠΎΠ΄Π²Π΅Ρ€ΠΆΠ΅Π½Ρ‹ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΎΠΌΡƒ количСству элСктричСских ΡˆΡƒΠΌΠΎΠ² ΠΈ ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ…, Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠΈΠΌ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ энкодСр с Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Π°. Π”ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ с Ρ‚ΠΎΠΉ ΠΆΠ΅ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ транзисторов, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΈ Π΄Π²ΡƒΡ…Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Π΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹, Π½ΠΎ вмСсто ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ сигнала Π³Π΅Π½Π΅Ρ€ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π΄Π²Π° сигнала. Π­Ρ‚ΠΈ сигналы Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΏΠ°Ρ€ΠΎΠΉ; ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΈΠ· сигналов совпадаСт с исходным сигналом, Π° Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ являСтся ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ исходному сигналу, поэтому Π΅Π³ΠΎ ΠΈΠ½ΠΎΠ³Π΄Π° Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ сигналом .

ΠŸΡ€ΠΈ нСсиммСтричном Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊ всСгда соотносит ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Π²Π°Π΅ΠΌΡ‹ΠΉ сигнал с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅ΠΉ. Однако Π½Π° Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… расстояниях, Π³Π΄Π΅ напряТСниС ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Ρ‚Π΅Π½Π΄Π΅Π½Ρ†ΠΈΡŽ ΠΊ падСнию, Π° ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ нарастания ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ, часто Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°ΡŽΡ‚ ошибки сигнала. Π’ Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ хост Π³Π΅Π½Π΅Ρ€ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ исходный нСсиммСтричный сигнал, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π·Π°Ρ‚Π΅ΠΌ поступаСт Π½Π° Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊ. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊ создаСт Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ ΠΏΠ°Ρ€Ρƒ для ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ ΠΏΠΎ кабСлю. ΠŸΡ€ΠΈ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ Π΄Π²ΡƒΡ… сигналов ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊ большС Π½Π΅ соотносит ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ напряТСния с Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅ΠΉ, Π° вмСсто этого соотносит сигналы Π΄Ρ€ΡƒΠ³ с Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΌ.Π­Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ вмСсто Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΈΡΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½Ρ‹Π΅ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½ΠΈ напряТСния, ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊ всСгда смотрит Π½Π° Ρ€Π°Π·Π½ΠΈΡ†Ρƒ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ двумя сигналами. Π—Π°Ρ‚Π΅ΠΌ Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊ рСконструируСт ΠΏΠ°Ρ€Ρƒ сигналов ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎ Π² ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ нСсиммСтричный сигнал, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€ΠΏΡ€Π΅Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ хост-устройством с использованиСм ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… логичСских ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΉ, Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… хостом. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΈΠΏ интСрфСйса Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ позволяСт устройствам с Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹ΠΌΠΈ уровнями напряТСния Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ вмСстС посрСдством связи ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ°ΠΌΠΈ. ВсС это Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ вмСстС, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ΄ΠΎΠ»Π΅Ρ‚ΡŒ ΡƒΡ…ΡƒΠ΄ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ сигнала, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ ΠΌΠΎΠ³Π»ΠΎ Π±Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·ΠΎΠΉΡ‚ΠΈ с нСсиммСтричным ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… расстояниях кабСля.

Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал энкодСра управляСтся Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ΠΎΠΌ ΠΈ рСконструируСтся ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊΠΎΠΌ

Однако ΡƒΡ…ΡƒΠ΄ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ сигнала β€” Π½Π΅ СдинствСнная ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΠ°, Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°ΡŽΡ‰Π°Ρ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠΊΠ»Π°Π΄ΠΊΠ΅ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… расстояний. Π§Π΅ΠΌ Π΄Π»ΠΈΠ½Π½Π΅Π΅ ΠΊΠ°Π±Π΅Π»ΠΈ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ систСмы, Ρ‚Π΅ΠΌ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ Π²Π΅Ρ€ΠΎΡΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ элСктричСскиС ΡˆΡƒΠΌΡ‹ ΠΈ ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ…ΠΈ ΠΏΠΎΠΏΠ°Π΄ΡƒΡ‚ Π½Π° ΠΊΠ°Π±Π΅Π»ΠΈ ΠΈ, Π² ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠΌ счСтС, Π² ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΡƒΡŽ систСму. Когда ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ…ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ½ΠΈΠΊΠ°ΡŽΡ‚ Π² ΠΊΠ°Π±Π΅Π»ΠΈ, ΠΎΠ½ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ напряТСний Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹. Π’ систСмах с энкодСрами с нСсиммСтричным Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ это ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ привСсти ΠΊ Ρ‚ΠΎΠΌΡƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°ΡŽΡ‰Π°Ρ сторона систСмы Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΡΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ Π»ΠΎΠΆΠ½Ρ‹Π΅ высокиС ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠ΅ логичСскиС значСния, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ ΠΊ ΠΎΡˆΠΈΠ±ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΌ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΎ мСстополоТСнии.Π­Ρ‚ΠΎ массовая ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΠ°! К ΡΡ‡Π°ΡΡ‚ΡŒΡŽ, интСрфСйсы Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ΠΎΠ² Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΎ приспособлСны для Π±ΠΎΡ€ΡŒΠ±Ρ‹ с этим ΡˆΡƒΠΌΠΎΠΌ. CUI Devices ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ΅Π½Π΄ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ для ΠΊΠ°Π±Π΅Π»Π΅ΠΉ Π΄Π»ΠΈΠ½ΠΎΠΉ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 1 ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°.

ΠŸΡ€ΠΈ использовании Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ΠΎΠ² Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ трСбуСтся витая ΠΏΠ°Ρ€Π°. КабСли с Π²ΠΈΡ‚ΠΎΠΉ ΠΏΠ°Ρ€ΠΎΠΉ состоят ΠΈΠ· сигналов A ΠΈ A-, ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΏΠ»Π΅Ρ‚Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… вмСстС с ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ количСством Π²ΠΈΡ‚ΠΊΠΎΠ² Π½Π° Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ расстоянии. Π‘ этим Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠΌ кабСля ΡˆΡƒΠΌ, создаваСмый Π½Π° ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ сигнальном ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π΅, Π² Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠΉ стСпСни распространяСтся Π½Π° ΠΏΠ°Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄.Если Π½Π° сигналС А Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°Π΅Ρ‚ всплСск напряТСния, ΠΎΠ½ Π² Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠΉ стСпСни примСняСтся ΠΊ сигналу А-. ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊ Π²Ρ‹Ρ‡ΠΈΡ‚Π°Π΅Ρ‚ сигналы Π΄Ρ€ΡƒΠ³ ΠΈΠ· Π΄Ρ€ΡƒΠ³Π°, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ рСконструированный сигнал, ΠΎΠ½ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΈΠ³Π½ΠΎΡ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΡˆΡƒΠΌ, ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²ΠΎ ΠΎΡ‚ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ°Π΅ΠΌΡ‹ΠΉ Π½Π° ΠΎΠ±ΠΎΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π°Ρ…. Π‘ΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊΠ° ΠΈΠ³Π½ΠΎΡ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ напряТСния, ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ Π½Π° ΠΎΠ±Π΅ΠΈΡ… ΡΠΈΠ³Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… линиях, называСтся ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ синфазного сигнала . Из-Π·Π° своих возмоТностСй подавлСния ΡˆΡƒΠΌΠ° интСрфСйсы Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ΠΎΠ² Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΉ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΈ Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… прилоТСниях.

Π”ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊ ΠΈΠ³Π½ΠΎΡ€ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ всС, Ρ‡Ρ‚ΠΎ являСтся ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ для ΠΎΠ±ΠΎΠΈΡ… сигналов

Понимая Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ Ρ‚ΠΈΠΏΡ‹ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… сигналов энкодСра, ΠΈΡ… прСимущСства ΠΈ нСдостатки, ΠΈΠ½ΠΆΠ΅Π½Π΅Ρ€ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΈΠΏ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала для своСго прилоТСния. ВсС ΠΊΠΎΠ΄ΠΈΡ€ΠΎΠ²Ρ‰ΠΈΠΊΠΈ AMT ΠΎΡ‚ CUI Devices ΠΏΡ€Π΅Π΄Π»Π°Π³Π°ΡŽΡ‚ΡΡ с Π΄Π²ΡƒΡ…Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ для Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ³ΠΎ энСргопотрСблСния ΠΈ простоты установки. Π’Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚Ρ‹ Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Π° Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ доступны Π²ΠΎ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… модСлях для Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ.

Π”ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ рСсурсы



Π•ΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€ΠΈΠΈ ΠΏΠΎ этому посту ΠΈΠ»ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠ°ΠΌ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π²Ρ‹ Ρ…ΠΎΡ‚Π΅Π»ΠΈ Π±Ρ‹ Π²ΠΈΠ΄Π΅Ρ‚ΡŒ Π² Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‰Π΅ΠΌ?

ΠžΡ‚ΠΏΡ€Π°Π²ΡŒΡ‚Π΅ Π½Π°ΠΌ письмо ΠΏΠΎ адрСсу cuiinsights@cuidevices.ΠΊΠΎΠΌ

ΠšΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΡ с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ стоком | Ахил Π”ΠΆΠ°ΠΉΠ½

Π§Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΉ Π΄Ρ€Π΅Π½Π°ΠΆ/ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€?

Open Drain β€” это Ρ‚ΠΈΠΏ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎΡ€Ρ‚Π° с Π΄Π²ΡƒΡ…Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠΉ, Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΈ ΠΊΠ²Π°Π·ΠΈ-Π΄Π²ΡƒΠ½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ конфигурациями. ΠžΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€/ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΉ сток – это схСма, ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‰Π°Ρ нСскольким устройствам ΠΎΠ±ΠΌΠ΅Π½ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Π² Π΄Π²ΡƒΡ… направлСниях по ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Ρƒ. Π­Ρ‚ΠΎ Π² основном Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ обСспСчиваСт Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΡŽ вытягивания Π²Π½ΠΈΠ·.

ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€/ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΉ сток  – это Ρ‚ΠΈΠΏ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°, распространСнный Π²ΠΎ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ…Β ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… схСмах (ИБ). ВмСсто Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° сигнала ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния ΠΈΠ»ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал подаСтся Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅Π³ΠΎ NPN-транзистора, ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ вынСсСн (ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚) Π½Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ микросхСмы. Π­ΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€ транзистора Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅ соСдинСн с Π·Π°Π·Π΅ΠΌΠ»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠΌ. Если Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ устройством являСтся MOSFET, Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ называСтся с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ стоком , ΠΈ ΠΎΠ½ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ.

ΠŸΡ€ΠΎΡΡ‚Π°Ρ схСма ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ схСмы (ИБ).

Ѐункция:

Устройства с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ стоком ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π»ΡΡŽΡ‚ (ΠΏΡ€ΠΎΠΏΡƒΡΠΊΠ°ΡŽΡ‚) Ρ‚ΠΎΠΊ Π² своСм Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½ΠΎΠΌ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ (логичСский 0) состоянии ΠΈΠ»ΠΈ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ высокий импСданс (Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π΅ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚) Π² своСм Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½ΠΎΠΌ Π½Π΅Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ (логичСская 1) состоянии. Π­Ρ‚ΠΈ устройства ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚ с внСшним ΠΏΠΎΠ΄Ρ‚ΡΠ³ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ рСзистором, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΡƒΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ ΡΠΈΠ³Π½Π°Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ линию Π½Π° высоком ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ Π΄ΠΎ Ρ‚Π΅Ρ… ΠΏΠΎΡ€, ΠΏΠΎΠΊΠ° устройство Π½Π° ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π΅ Π½Π΅ ΠΏΠΎΠ³Π»ΠΎΡ‚ΠΈΡ‚ достаточный Ρ‚ΠΎΠΊ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΎΠΏΡƒΡΡ‚ΠΈΡ‚ΡŒ линию Π½Π° Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ. К ΡΠΈΠ³Π½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Ρƒ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ мноТСство устройств.Если всС устройства, ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Ρƒ, находятся Π² Π½Π΅Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ состоянии, подтяТка Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΡƒΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ ΠΏΠΎΠ΄ высоким напряТСниСм. Если ΠΎΠ΄Π½ΠΎ ΠΈΠ»ΠΈ нСсколько устройств находятся Π² Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ состоянии, напряТСниС Π½Π° сигнальном ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ.

Π‘ΠΈΠ³Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ/ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ стоком Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π΄Π²ΡƒΠ½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ. Π”Π²ΡƒΠ½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ устройство ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈ Π²Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ сигнал ΠΏΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Ρƒ. Π’ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŽ состояния своСго Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°, ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊ ΡΠΈΠ³Π½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Ρƒ (Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΉ ΠΈΠ»ΠΈ Π½Π΅Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΉ), устройство Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡ‚ΡŒ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ напряТСния сигнального ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π°.Π₯отя Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ устройства с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ/ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ стоком ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π½Π°Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ Π² Π½Π΅Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ (высоком) состоянии, ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄, ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΊ устройству, ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π½Π°Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ Π² Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ (Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΌ) состоянии ΠΈΠ·-Π·Π° активности Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠ³ΠΎ устройства, ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ. ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄.

Π”Π²ΡƒΠ½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ устройства с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ/ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ стоком Π΄Π΅Π»Π°Π΅Ρ‚ эту схСму ΡΡ‚ΠΎΠ»ΡŒ Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎΠΉ для соСдинСния ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… устройств Π½Π° ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ. Π¨ΠΈΠ½Π° I2C ΠΈ SMBus ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ этот ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ для ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Π΄ΠΎ 127 устройств.

Π“Π΄Π΅ ΠΎΠ½ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚?

Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΡ€Ρ‚Π°Ρ… ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ΠΎΠ² для ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ схСмы.Если Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠΎΡ€Ρ‚ установлСн Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ стоком , Ρ‚ΠΎ Π½Π°ΠΌ Π½Π΅ трСбуСтся какая-Π»ΠΈΠ±ΠΎ схСма для сниТСния Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ значСния Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°.

ΠšΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΡ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ стоком ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ всС подтягивания ΠΈ управляСт ΠΏΠΎΠ΄Ρ‚ΡΠ³ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ транзистором Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° ΠΏΠΎΡ€Ρ‚Π° Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Ρ‚ΠΎΠ³Π΄Π°, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π·Π°Ρ‰Π΅Π»ΠΊΠ° ΠΏΠΎΡ€Ρ‚Π° содСрТит логичСский Β«0Β». Для использования Π² качСствС логичСского Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΏΠΎΡ€Ρ‚, сконфигурированный Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ внСшний ΠΏΠΎΠ΄Ρ‚ΡΠ³ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ рСзистор, ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ рСзистор, ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΊ VDD. ВытягиваниС для этого Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΆΠ΅, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ для ΠΊΠ²Π°Π·ΠΈ-Π΄Π²ΡƒΠ½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ°.

ΠšΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΡ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ стоком

Β 

Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π° Π² качСствС Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π° с высоким импСдансом ΠΏΡ€ΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π΅, этот ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ сконфигурирован Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ стоком, Π° ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π±ΠΈΡ‚ рСгистра ΠΏΠΎΡ€Ρ‚Π° Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ установлСн Π² 1.

ΠŸΡ€ΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠΎΠ»Ρ‹, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Open Drain Π² качСствС физичСской Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ:

ΠŸΡ€ΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠΎΠ»Ρ‹

I2C ΠΈ SPI ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΉ сток Π² качСствС физичСской Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ.

На физичСском ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ SCL ΠΈ SDA ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ собой Π²Π²ΠΎΠ΄Ρ‹-Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ стоком ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Ρ‚ΡΠ³ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ рСзисторами.ΠŸΠΎΠ΄Ρ‚ΡΠ³ΠΈΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ ΠΊ Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅ Ρ€Π°ΡΡˆΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ΡΡ ΠΊΠ°ΠΊ логичСский ноль, Π° освобоТдСниС Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ ΠΈ Π΅Π΅ свободноС Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ β€” ΠΊΠ°ΠΊ логичСская Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Π°. На самом Π΄Π΅Π»Π΅ устройство Π½Π° шинС IΒ²C Β«Π³ΠΎΠ½ΠΈΡ‚ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π½ΡƒΠ»ΠΈΒ».

На элСктричСском ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ ΠΊΠΎΠ½Ρ„Π»ΠΈΠΊΡ‚ Π²ΠΎΠΎΠ±Ρ‰Π΅ отсутствуСт, Ссли нСсколько устройств ΠΏΡ‹Ρ‚Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ ΠΏΠΎΠΌΠ΅ΡΡ‚ΠΈΡ‚ΡŒ любой логичСский ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ Π½Π° Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ ΡˆΠΈΠ½Ρ‹ IΒ²C. Если ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΈΠ· Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ΠΎΠ² попытаСтся Π·Π°ΠΏΠΈΡΠ°Ρ‚ΡŒ логичСский ноль, Π° Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ β€” Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΡƒΡŽ Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Ρƒ, Ρ‚ΠΎ структура с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ стоком ΠΈ подтягиваниСм Π³Π°Ρ€Π°Π½Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ярлыка Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚, ΠΈ шина Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΡƒΠ²ΠΈΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ логичСского нуля ΠΏΠΎ шинС.Π”Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌΠΈ словами, Π² любом ΠΊΠΎΠ½Ρ„Π»ΠΈΠΊΡ‚Π΅ всСгда Β«ΠΏΠΎΠ±Π΅ΠΆΠ΄Π°Π΅Ρ‚Β» логичСский ноль.

Однако Π±Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ ситуации, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π²Π΅Π΄ΠΎΠΌΠΎΠ΅ устройство IΒ²C Π½Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ с Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ²ΠΎΠΉ частотой, Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ Π²Π΅Π΄ΡƒΡ‰ΠΈΠΌ, ΠΈ Π΅ΠΌΡƒ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ Π½Π΅ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Π΄Π»ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ. Π­Ρ‚ΠΎ дСлаСтся с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΌΠ΅Ρ…Π°Π½ΠΈΠ·ΠΌΠ°, Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ растяТСниСм Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ²ΠΎΠΉ частоты, ΠΈ стало Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ благодаря особой структурС с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ стоком / подтягиваниСм Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ ΡˆΠΈΠ½Ρ‹ IΒ²C.

Π’ΠΎΡ‚ Ρ‚Π°ΠΊ:

Нравится ЗагруТаСтся…

Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ стоком ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с Π΄Π²ΡƒΡ…Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹ΠΌ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ

ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Ρ‹ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ для взаимодСйствия с внСшним ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠΌ.Как ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎ, Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ собой физичСскиС Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ Π½Π° корпусС ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ схСмы (ИБ) (ИБ) , Π³Π΄Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊ ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Π΅. Π—Π° ΠΊΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΌ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ (Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ микросхСмы) находится ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ схСма, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΠ°Ρ для Π΅Π³ΠΎ управлСния. Π­Ρ‚Π° схСма (ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ называСмая ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΊΠΎΠΉ) ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ сконфигурирована Ρ‚Π°ΠΊ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ ΠΌΠΎΠ³ Π²Π·Π°ΠΈΠΌΠΎΠ΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ с Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Ρ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΌΠΈ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΈ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… схСм. Π’Ρ‹Π±ΠΎΡ€ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² являСтся Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎΠΉ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒΡŽ проСктирования встраиваСмой систСмы. Π’ этой ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠ΅ ΠΌΡ‹ рассмотрим Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ распространСнныС Ρ‚ΠΈΠΏΡ‹ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΉ ΠΈ ΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅.

Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΎΠ±ΡŠΡΡΠ½ΠΈΡ‚ΡŒ особСнности ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π°, ΠΌΡ‹ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ сначала ввСсти ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΈΠ½Ρ‹:

Π¨Ρ‚Ρ‹Ρ€ΡŒ с высоким импСдансом (High-Z, Hi-Z) устраняСт Π΅Π³ΠΎ влияниС Π½Π° ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΡƒΡŽ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ, ΠΊ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ ΠΎΠ½ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½. Он Π½Π΅ управляСтся Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎ ΠΈ являСтся Β«ΠΏΠ»Π°Π²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌΒ», Ссли ΠΈΠΌ Π½Π΅ управляСт Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠ΅ внСшнСС устройство ΠΈΠ»ΠΈ схСма (pull-up/pull-down).

ΠŸΠ»Π°Π²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΡˆΡ‚ΠΈΡ„Ρ‚ β€” Π¨Ρ‚Ρ‹Ρ€ΡŒ являСтся Β«ΠΏΠ»Π°Π²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌΒ», Ссли ΠΎΠ½ Π½Π΅ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΈ Π½Π΅ приводится Π² дСйствиС схСмой Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ схСмы.Π£Ρ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ Π΅Π³ΠΎ напряТСния Π½Π΅ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ ΠΈ нСпрСдсказуСм. Π’Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ с высоким импСдансом, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π½Π΅ приводится Π² дСйствиС схСмой подтягивания ΠΈΠ»ΠΈ вытягивания, называСтся ΠΏΠ»Π°Π²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ.

ΠŸΠΎΠ΄Ρ‚ΡΠ³ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Ρ‚ΡΠ³ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ рСзисторы – Π­Ρ‚ΠΈ рСзисторы ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ для установки ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ уровня (логичСский 0 ΠΈΠ»ΠΈ логичСская 1) Π½Π° ΠΏΠ»Π°Π²Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΌ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π΅. ΠŸΠΎΠ΄Ρ‚ΡΠ³ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ рСзистор ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΊ источнику питания, поэтому ΠΎΠ½ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ΄Ρ‚ΡΠ³ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠ»Π°Π²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ ΠΊ высокому логичСскому ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½ΡŽ. ΠŸΠΎΠ΄Ρ‚ΡΠ³ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ рСзистор соСдиняСт ΠΏΠ»Π°Π²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ с Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅ΠΉ (логичСский 0).

Π”Π²ΡƒΡ…Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ

Π”Π²ΡƒΡ…Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ β€” Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ распространСнная конфигурация Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π°.Как слСдуСт ΠΈΠ· названия, Π΄Π²ΡƒΡ…Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ двумя Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌΠΈ уровнями. Один ΠΈΠ· Π½ΠΈΡ… подтягиваСтся ΠΊ Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅ (Π²Ρ‹Ρ‚ΡΠ³ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ/Π²Ρ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΎΡ‚ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ), Π° Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ подталкиваСтся ΠΊ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ источника питания (Π²Ρ‹Ρ‚Π°Π»ΠΊΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚/источник Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅). Π”Π²ΡƒΡ…Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Π½ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΏΠ°Ρ€Ρ‹ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ. ΠŸΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠ°Ρ рСализация Π² ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ схСмС ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΠ»Π°Π³Π°Π΅Ρ‚ использованиС транзисторов.

На рис. 1 ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° рСализация Π΄Π²ΡƒΡ…Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° с использованиСм PMOS ΠΈ NMOS-транзистора. Π‘Π»Π΅Π²Π° ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° опСрация Π²ΠΎ врСмя Ρ„Π°Π·Ρ‹ выталкивания , Π° справа β€” опСрация Π²ΠΎ врСмя Ρ„Π°Π·Ρ‹ вытягивания .

Рис. 1. УпрощСнная схСма Π΄Π²ΡƒΡ…Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π°. Вранзистор PMOS Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½, ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π½Π΅Π³ΠΎ ΠΎΡ‚ VDD ΠΊ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Ρƒ. Вранзистор NMOS Π½Π΅Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π΅Π½ (ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚) ΠΈ Π½Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ.

  • Π€Π°Π·Π° вытягивания β€” Когда Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΠΉ сигнал, ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΊ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°ΠΌ транзисторов, устанавливаСтся Π½Π° высокий логичСский ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ (логичСская 1), транзистор NMOS активируСтся (закрываСтся), ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ Ρ‚Π΅Ρ‡ΡŒ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π½Π΅Π³ΠΎ ΠΎΡ‚ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π° ΠΊ Π—Π•ΠœΠ›Π―.Π’ Ρ‚ΠΎ ΠΆΠ΅ врСмя транзистор PMOS Π½Π΅Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π΅Π½ (ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚) ΠΈ Π½Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ.
  • Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΈΠΏ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° Π½Π΅ позволяСт ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ нСсколько устройств вмСстС Π² ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΡˆΠΈΠ½Ρ‹, ΠΊΠ°ΠΊ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ стоком. ΠšΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΡ push-pull Ρ‡Π°Ρ‰Π΅ всСго ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² интСрфСйсах с ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ линиями (ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡Π° ΠΏΠΎ Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ ΠΈΠ΄Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ β€” SPI, UART ΠΈ Ρ‚. Π΄.).

    ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ Π΄Π²ΡƒΡ…Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Π΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ постоянно ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ (высокий ΠΈΠ»ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ), ΠΎΠ½ΠΈ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΡƒΡŽ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Ρ€Π΅Ρ‡ΡŒ ΠΈΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎ Π½Π°ΠΊΠ»ΠΎΠ½Π°Ρ… Π³Π΅Π½Π΅Ρ€ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… сигналов.

    Π‘Π»Π΅Π΄ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚, сконфигурированный ΠΊΠ°ΠΊ Π΄Π²ΡƒΡ…Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ, Π² Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²Π΅ случаСв ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ динамичСски ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ. Π­Ρ‚ΠΎ достигаСтся Π·Π° счСт закрытия ΠΎΠ±ΠΎΠΈΡ… транзисторов, Ρ‡Ρ‚ΠΎ обСспСчиваСт состояниС высокого импСданса Π½Π° Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ. Π—Π°Ρ‚Π΅ΠΌ линия ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒΡΡ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌΠΈ внСшними устройствами ΠΈ Π²ΠΎΡΠΏΡ€ΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Ρ‚ΡŒΡΡ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠΈ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ схСмы.

    ΠžΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΉ сток

    Π’ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ стоком Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠ°, стоящая Π·Π° ΡˆΡ‚ΠΈΡ„Ρ‚ΠΎΠΌ, ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ привСсти Π΅Π³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΊ зазСмлСнию (логичСский 0). Π”Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠ΅ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΠ΅ состояниС: высокий импСданс (Hi-Z) .РСализация ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΠ»Π°Π³Π°Π΅Ρ‚ использованиС ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора. Если Π΅Π³ΠΎ дрСнаТная ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠ° ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Π° (устройство Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΎ), ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ остаСтся ΠΏΠ»Π°Π²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ Π² состоянии Hi-Z. ΠŸΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π΅Π³ΠΎ ΠΊ высокому логичСскому ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½ΡŽ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ использования Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ схСмы ΠΈΠ»ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Π°. Π’ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²Π΅ случаСв ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ внСшний ΠΏΠΎΠ΄Ρ‚ΡΠ³ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ рСзистор (ΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Ρ‹, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΠ΄Ρ‚ΡΠ³ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ рСзисторы для ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΉ с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ стоком).

    На рис. 2 ΠΌΡ‹ Π²ΠΈΠ΄ΠΈΠΌ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ стоком. Он Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Π½ с использованиСм N-канального МОП-транзистора, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ притягиваСт Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ ΠΊ Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° транзистор ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚, ΠΈ оставляСт Π΅Π³ΠΎ ΠΏΠ»Π°Π²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° транзистор Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½.

    Рис. 2 Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ стоком

    Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ стоком Ρ‡Π°Ρ‰Π΅ всСго ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΠ½ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… интСрфСйсах, Π³Π΄Π΅ нСсколько устройств ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Ρ‹ ΠΊ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ (Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, I2C, One-Wire ΠΈ Ρ‚. Π΄.). Когда всС Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ устройств, ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΊ Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ, находятся Π² состоянии Hi-Z, линия пСрСводится Π½Π° ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ логичСской 1 ΠΏΠΎ ΡƒΠΌΠΎΠ»Ρ‡Π°Π½ΠΈΡŽ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ подтяТки. Π›ΡŽΠ±ΠΎΠ΅ устройство ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ пСрСвСсти линию Π² логичСский 0, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ стоком, ΠΈ всС устройства ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π²ΠΈΠ΄Π΅Ρ‚ΡŒ этот ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ.

    ΠŸΡ€ΠΈ использовании ΠΏΠΎΠ΄Ρ‚ΡΠ³ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ рСзистора с Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ стоком Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ нСсколько ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² линия ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΠ΅Ρ‚ Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€ Π½ΠΈΠΆΠ½ΠΈΡ… частот.Π’ зависимости ΠΎΡ‚ Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»Π° рСзистора ΠΈ Смкости Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π½Π°Π±Π»ΡŽΠ΄Π°Ρ‚ΡŒΡΡ видимая Ρ€Π°Π·Π½ΠΈΡ†Π° Π² Π½Π°ΠΊΠ»ΠΎΠ½Π°Ρ… Π½Π°Ρ€Π°ΡΡ‚Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… Ρ„Ρ€ΠΎΠ½Ρ‚ΠΎΠ² ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с ΠΏΠ°Π΄Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ Ρ„Ρ€ΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΌΠΈ. Π‘ΠΏΠ°Π΄Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ„Ρ€ΠΎΠ½Ρ‚ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ€Π΅Π·ΠΊΠΈΠΉ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΠ½ достигаСтся Π·Π° счСт использования транзистора с ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΠΌ сопротивлСниСм. Однако Π½Π°Ρ€Π°ΡΡ‚Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ„Ρ€ΠΎΠ½Ρ‚ формируСтся ΠΏΠΎΠ΄Ρ‚ΡΠ³ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ рСзистором, ΠΈ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ΡƒΠΏΠΎΠΌΡΠ½ΡƒΡ‚Ρ‹ΠΉ эффСкт Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π½ΠΈΠΆΠ½ΠΈΡ… частот Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π²Ρ‹Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½.

    Рис. 1 Π€Ρ€ΠΎΠ½Ρ‚Ρ‹ ΠΏΡ€ΡΠΌΠΎΡƒΠ³ΠΎΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала, Π³Π΅Π½Π΅Ρ€ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ стоком

    ΠŸΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π»ΡΠ΅ΠΌΠ°Ρ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ ΡˆΡƒΠΌΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ…ΠΈ – ΠŸΡ€ΠΈ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π΅ значСния ΠΏΠΎΠ΄Ρ‚ΡΠ³ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… рСзисторов сущСствуСт компромисс.Когда устройство Π½Π° Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ управляСт ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΌ логичСского 0, это Π²Ρ‹Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π½ΠΈΠ΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высокого Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΏΠΎΠ΄Ρ‚ΡΠ³ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ рСзисторы с Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌΠΈ значСниями, ΠΈ это ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ энСргии. Однако Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€ рСзисторов с Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высокими значСниями, Π² свою ΠΎΡ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΡŒ, ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ ΠΊ Ρ‚ΠΎΠΌΡƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· рСзистор Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ мСньший Ρ‚ΠΎΠΊ, ΠΈ это ΠΎΠ±Π»Π΅Π³Ρ‡ΠΈΡ‚ ΡƒΠ»Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Π²Π½Π΅ΡˆΠ½ΠΈΡ… ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ… (ΡˆΡƒΠΌΠ°) Π½Π° Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ.

    РСзюмС

    • Π”Π²ΡƒΡ…Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ всСго ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ для ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΠ½ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… интСрфСйсов с ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ линиями (Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€,g SPI, UART ΠΈ Ρ‚. Π΄.). ΠžΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΉ сток ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ для Π΄Π²ΡƒΠ½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΠ½ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… интСрфСйсов, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΊ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΎ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π΄Π²ΡƒΡ… устройств (Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, I2C, One-Wire ΠΈ Ρ‚. Π΄.) рСзисторы, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ.
    • ΠžΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ Π΄Π²ΡƒΡ…Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ быстрый Π½Π°ΠΊΠ»ΠΎΠ½, Ρ‡Π΅ΠΌ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ с ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ стоком.

    Π”ΠΎΠ±Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€ΠΈΠΉ

    Π’Π°Ρˆ адрСс email Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Π½. ΠžΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ поля ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ *